Технология СБИС / sbis / implant / impl_mpr

Механизм проникновения ионов в подложкуМеханизм проникновения ионов в подложку Введем понятия:R - общая длина пробега;

Rp - проецированная длина пробега;

DRp - флуктуации величины;

Rp DRt - боковое рассеяние.Распределение внедренных атомов по глубине мишени оценивается с помощью симметричной функции распределения Гаусса:

максимизируем на расстоянии x = Rp. Через дозу

Оказалось, что экспериментальные профили не симметричны. Для учета несимметрии необходимо более тщательное исследование профилей распределения ионов.