Самойликов / Коллоквиум / колобок

Вопросы для подготовки к колоквиуму по ТПОМ (В.К.Самойликов)

© kolik 15.01.2002

Внимание! Не все вариантов ответов правильные!

1

Какой из стадий реакции определяется

скорость осаждения эпитаксиальных

слоев кремния при низких температурах ?

Среди ответов нет правильного

Скорость конденсации

Скорость зародышеобразования

Скорость адсорбции

Скорость химической реакции

Скорость транспортировки к(от) поверхности

Скорость поверхностной диффузии

2

Какой из стадий реакции определяется

скорость осаждения эпитаксиальных

слоев кремния при высоких температурах ?

Среди ответов нет правильного

Скорость конденсации

Скорость зародышеобразования

Скорость адсорбции

Скорость химической реакции

Скорость транспортировки к(от) поверхности

Скорость поверхностной диффузии

3

Какой из процессов осаждения слоев кремния

допускает использование аргона в качестве

газа носителя ?

Гидридный

Хлоридный

Оба процесса

4

Дана реакция. Номер какого

выражения соответствует действию

объемных источников переноса субстанции ?

1

2

3

5

Какую размерность имеет

величина в нижеприведенном

уравнении ?

кг/м

моль/м

кг/сек

или безразмерная

Среди ответов нет правильного

6

Какая из нижеперечисленных реакций

упрощенно описывает механизм осаждения

кремния в гидридном процессе ?

Механизмом номер 1

Механизмом номер 2

Могут использоваться для описания как 1 так и 2 механизмы

7

Какая из нижеперечисленных реакций

упрощенно описывает механизм осаждения

кремния в хлоридном процессе ?

Механизмом номер 1

Механизмом номер 2

Моогут использоваться для описания как 1 так и 2 механизмы

8

Какой из графиков отвечает

случаю переменного угла

подложкодержателя ?

A

B

Среди ответов нет правильного

9

Дана реакция. Номер какого

выражения соответствует конвективной

составляющей переноса субстанции ?

1

2

3

Среди ответов нет правильного

10

Какому из реакторов

соответствует график (1),

при прочих равных условиях?

A

B

C

11

Какой из графиков учитывает

влияние термодиффузии ?

Красный

Зеленый

12

Какие из перечисленных

величин относятся к

термодинамическим параметрам ?

Расход ПГС

Температура

Концентрация

Общее давление смеси

Парциальное давление в смеси

Плотность

Молекулярная масса

Удельный обЪем

13

В какой из областей происходит

процесс осаждения эпитаксиальных

слоев ?

A B C D

14

Дана реакция. Какая запись

константы равновесия

для нее верна ?

1

2

3

Среди ответов нет правильного

15

В каком из эпитаксиальных процессов

происходит более быстрое обеднение ПГС ?

В гидридном

В хлоридном

Одинаково

16

Какая (Какие) из реакций имеют

некорректную запись?

1

2

3

4

5

6

17

Какое из граничных условий отвечает

случаю на стенке реактора ?

1

2

3

Среди ответов нет правильного

18

В каком из процессов является

критичной температура стенки реактора ?

В хлоридном

В гидридном

Одинаково

19

Какая из составляющих

уравнения характеризует

естественную конвекцию ?

1

2

3

4

Среди ответов нет правильного

20

Какие из технологических параметров

при индукционном нагреве подложкодержателя

определяют его толщину ?

Напряжение питающей сети

Напряжение на выходе индуктора

Ток, идущий по индуктору

Удельное сопротивление материала индуктора

Удельное сопротивление материала П/Д

Размеры индуктора

Магнитная проницаемость индуктора

21

Какой из графиков отвечает

случаю переменного расхода

ПГС ?

A

B

Среди ответов нет правильного

22

С какой целью поверхность

графитового подложкодержателя (П/Д)

покрывается слоем карбида кремния ?

Это покрытие улучшает теплоотвод от поверхности пластины, что предотвращает ее перегрев

Это покрытие предотвращает диффузию примесей с поверхности подложкодержателя в подложку

Это покрытие предназначено для повышения стойкости П/Д к агрессивным средам

23

Какой из видов нагрева наиболее

распространен в технологических процессах

получения эпитаксиальных структур ?

Только номер 1

Только номер 3

Номера 1 и 2

Номера 2 и 3

24

Какой из графиков учитывает

влияние естественной

конвекции ?

Красный

Зеленый

25

Каким условием определяется температура

на выходе из каждой зоны подложкодержателя ?

Уравнением теплового баланса и массоотдачи

Уравнением теплового баланса и теплоотдачи

Уравнением баланса массы и теплоотдачи

Среди ответов нет правильного

26

В каком из видов реакторов будет наиболее

эффективное использование активного

компонента ПГС при прочих равных условиях ?

A

B

C

27

Какое из граничных условий отвечает

случаю на поверхности подложкодержателя ?

1

2

3

Среди ответов нет правильного

28

В каких случаях не учитывается

влияние взаимной диффузии ?

При малой концентрации

При большой концентрации

При любой концентрации

Среди ответов нет правильного

29

Можно ли в хлоридной установке

проводить гидридный процесс ?

Да

Нет

30

Из какого материала изготавливается

подложкодержатель при осаждении эпитаксиальных

слоев кремния и индукционном нагреве ?

Из графита

Из особо чистой меди

Из кварца

31

В каком из видов реакторов наиболее сильное

влияние оказывает естественная конвекция на

процесс осаждения ?

A

B

C

32

Какое соотношение температур

является верным ?

T1>T2>T3

T1<T2<T3

T1=T2=T3

33

Можно ли в гидридной установке

проводить хлоридный процесс ?

Да

Нет

34

Для какого из режимов течения

справедлива рассматриваемая модель ?

Для турбулентного

Для ламинарного

Для переходного

Среди ответов нет правильного

35

Какой из графиков концентрации реагента

ПГС на поверхности п/п пластины

соответствует кинетической процесса ?

A

B

C

D

36

Дано уравнение:

Концентрация на начальном участке подложкодержателя

Концентрация на конечном участке подложкодержателя

Концентрация на всем подложкодержателе

Концентрация на стенке реактора

Среди ответов нет правильного

37

При численном решении задачи

подложкодержатель разбивается

на участки :

С постоянным шагом

С произвольным шагом

С шагом, увеличивающимся к концу ПД

38

В каком из процессов (при одинаковых условиях)

скорость разложения исходного

кремнесодержащего компонента выше ?

В хлоридном процессе выше, чем в гидридном

В гидридном процессе выше, чем в хлоридном

Скорости осаждения в хлоридном и гидридном процессах примерно одинаковы

39

Из какого материала изготавливаются

индуктора для установок с ВЧ-нагревом ?

Из низкоомного материала

Из высокоомного материала

Не имеет значения

40

Какой из нижеперичисленных компонентов

является основным в гидридном процессе

осаждения кремния ?

Компоненты под номерами 2,3 и 4

Только компонент под номером 2

Только компонент под номером 1

Все из вышеперечисленных компонентов

41

В каком из видов установок можно использовать

металлическую стенку реактора при

индукционном нагреве ?

A

B

C

42

Даны уравнения:

(2) является решением (1)

(2) является преобразованием (1)

1. и (2) не связаны

43

Какая из составляющих

уравнения характеризует

продольную диффузию ?

1

2

3

4

Среди ответов нет правильного

44

Какой вид нагрева применяется в

данной конструкции реактора ?

Резистивный

Индукционный

Инфракрасный

45

Даны уравнения.

Как перейти от (1) к (2) ?

Решением

Введением новых переменных

Переход от (1) к (2) невозможен

46

С какой целью зона осаждения слоев

разбивается на участки с шагом,

увеличивающимся от входа к выходу ?

Это связано с обеднением ПГС

Это связано с изменением температуры ПГС

Это связано с изменением толщины пограничного слоя

Среди ответов нет правильного

47

Дана реакция. Номер какого

выражения соответствует диффузионной

составляющей переноса субстанции ?

1

2

3

Среди ответов нет правильного

48

С какой целью решение уравнения

приводится в обобщенном виде ?

Для универсализации результатов решения

Для компактности вычислений

Среди ответов нет правильного

49

С какой целью в горизонтальных

эпитаксиальных реакторах предусмотрен

наклон подложкодержателя ?

Для компенсации обеднения ПГС и получения равномерных по толщине эпитаксиальных структур

При расположении П/Д по диагонали реактора на нем умещается большее количество пластин

Угол необходим для создания наиболее равномерной температуры на поверхности П/Д

50

С какой целью проводится

термодинамический анализ процесса ?

С целью определения условий максимального выхода продукта

С целью определения оптимального расхода

С целью определения геометрических размеров

Среди ответов нет правильного

51

Для какого уровня концентрации

справндлива данная реакция ?

Для малой

Для большой

Для любой

52

Какой из графиков учитывает

влияние продольной

диффузии ?

Красный

Зеленый

53

При каких уровнях концентраций

осаждаются эпитаксиальные слои

кремния в гидридном процессе ?

Для малой

Для большой

Для любой

54

Какой из типов подложкодержателя

позволяет получить более однородные

по толщине осаждаемые слои ?

С постоянным углом

С переменным углом

Не имеет значения

55

В каком случае может произойти

переход процесса осаждения из диффузионной области

в кинетическую ?

При увеличении температуры поверхности осаждения

При увеличении скорости потока ПГС

При понижении скорости потока ПГС

Среди ответов нет правильного

56

Какому из графиков соответствует

максимальный градиент концентрации ?

1

2

3

Среди ответов нет правильного

57

Назовите основное требование к материалу

подложкодержателя при индукционном нагреве ?

Коррозийная стойкость

Магнитная проницаемость

Электропроводность

Жаропрочность

58

Для чего делается охлаждение

ПГС при выходе из реактора ?

Для лучшей утилизации отходов

Для экономии энергии

Для увеличения стойкости уплотняющих элементов стыковочного узла

59

Что такое "замороженный" поток ?

Не происходят гетерогенные реакции

Не происходят гомогенные реакции

Реакции вообще не происходят

60

При увеличении концентрации активного

компанента ПГС эффект

термодиффузии ..... ?

слабевает

величивается

Остается постоянным

Среди ответов нет правильного

61

Дана реакция.

Что такое S ?

Масса

Энергия

Импульс

Все вышеперечисленное

Среди ответов нет правильного

62

Какой из графиков концентрации реагента ПГС

на поверхности п/п пластины соответствует

диффузионной области процесса ?

A

B C

D