Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
OE_i_RE / lekcii_2013 / lekciya_11.pptx
Скачиваний:
22
Добавлен:
13.04.2015
Размер:
880.6 Кб
Скачать

 

СТАТИЧЕСКИЕ

 

ХАРАКТЕРИСТИКИ

Транзистор в электрических схемах используется в качестве

БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

четырехполюсника,

характеризующегося четырьмя величинами:

входным и выходным напряжениями и входным и выходным токами

( uВХ, uВЫХ, iВХ, iВЫХ).

iВХ

iВЫХ

 

 

 

uВХ Транзистор uВЫХ

Функциональные зависимости между этими величинами называются статическими характеристиками транзистора.

Различают четыре типа характеристик транзистора:

- входная характеристика:

- характеристика обратной

 

передачи (связи) по

- характеристика (прямой)

передачи тока, называемая - выходная характеристика: также управляющей или

передаточной характеристикой:

- входная характеристика:

- характеристика обратной передачи

 

(связи) по напряжению:

- характеристика (прямой) передачи

тока, называемая также управляющей - выходная характеристика: или передаточной характеристикой:

Статические характеристики транзистора могут задаваться соответствующими аналитическим выражениями, а могут быть представлены графически.

Несколько характеристик одного типа, полученные при различных значениях параметра, образуют семейство характеристик.

Семейства входных и выходных характеристик транзистора считаются основными и приводятся в справочниках, с их помощью легко могут быть получены два других семейства характеристик.

В различных схемах включения транзистора в качестве входных и выходных токов и напряжений выступают токи, протекающие в цепях различных электродов, и напряжения, приложенные между различными электродами.

Поэтому конкретный вид статических характеристик зависит от

Статические характеристики транзистора по схеме ОБ

Всхеме с ОБ входным током является ток эмиттера iЭ, а выходным

-ток коллектора iК, соответственно, входным напряжением является напряжение uЭБ, а выходным - напряжение uКБ.

Входная характеристика в схеме ОБ представляет собой зависимость:

Выходная характеристика транзистора в схеме ОБ представляет собой зависимость:

Входная характеристика

Выходная характеристика

(схема ОБ):

(схема ОБ):

Семейство входных

Семейство выходных

характеристик биполярного

характеристик биполярного

транзистора

транзистора

(схема ОБ):

(схема ОБ):

Статические характеристики транзистора по

В схеме с общим эмиттером входным током является ток базы iБ, а выходным - ток коллектора iК, соответственно, входным напряжением является напряжение uБЭ, а выходным - напряжение uКЭ.

Входная характеристика в схеме ОЭ представляет собой зависимость:

Выходная характеристика в схеме ОЭ представляет собой зависимость:

Входная характеристика

Выходная характеристика

(схема ОЭ):

(схема ОЭ):

Семейство входных

Семейство выходных

характеристик биполярного

характеристик биполярного

транзистора

транзистора

(схема ОЭ):

(схема ОЭ):

ДИНАМИЧЕСКИЙ РЕЖИМ РАБОТЫ

ТРАНЗИСТОРА

Свойства транзистора, проявляющиеся под воздействием импульсных или синусоидальных сигналов, описываются

динамическими характеристиками.

Eк = U+ Uкэ

U= Iк ∙ Rк

Eк = Uкэ + Iк ∙ Rк

Uкэ = Eк - Iк ∙ Rк

уравнение динамического режима работы транзистора

Уравнение динамического режима работы транзистора:

Uкэ = Eк - Iк ∙ Rк

Уравнение динамического режима является уравнением выходной динамической характеристики. Так как это уравнение линейное, выходная динамическая характеристика представляет собой прямую линию и строится на выходных статических характеристиках транзистора.

Две точки для построения прямой находятся из начальных условий.

Выходная динамическая характеристика получила название нагрузочной прямой.

Точка пересечения нагрузочной прямой с одной из ветвей выходной статической характеристики для

заданного тока базы

В зависимости от состояния p-n переходов транзисторов различают 3 вида его работы:

-линейный (активный) режим;

-режим отсечки;

-режим насыщения

Линейный режим – это режим, при котором эмиттерный переход открыт, а коллекторный закрыт:

Iб.max > Iб > 0;

Iк.н > Iк > Iкбо

Eк > Uкэ > Uкэ.нас

Режим отсечки – такой режим, при котором оба перехода транзистора закрыты (и эмиттерный и коллекторный). Ток базы при этом равен нулю, ток коллектора равен обратному току, уравнение динамического режима имеет вид:

Uкэ = Eк - Iкбо ∙ Rк,

Uкэ → Eк.

Соседние файлы в папке lekcii_2013