Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Cadence / DSD2 / Лекция5-6.doc
Скачиваний:
29
Добавлен:
16.04.2013
Размер:
435.71 Кб
Скачать

Создание активного контакта.

Следующий шаг это выполнение активного контакта. Эти контакты выполняются к областям истока и стока N-МОП транзистора.

1. Выбирается слой ca(Active Contact) в окне LSW.

  1. Используем измерительную линейку для отсчета точки привязки окна на расстоянии 0.1мкм от угла диффузионной области. Минимальный и максимальный размер контактного окна составляет 0.2 мкм.

  1. Из меню Edit выбираем Copy

Edit Copy

Для копирования открывается диалоговое окно, позволяющее провести копирование.

  1. Копирование контакта.

После введения процедуры копирования, необходимо выбрать объект. Для этого необходимо подвести курсор под контактное окно и выбрать его мышкой. Далее, передвинув его на нужное место, зафиксировать новое размещение щелчком мышки.

В топологических ограничениях отмечено, что минимальное контактное окно может быть размером 2 (0,2х0,2 мкм

Выполнение контактных металлических нашлепок.

Активные контакты выполняются в слое окисла. Межсоединения с диффузионными областями выполняются металлическим слоем.

  1. Выбор слоя Metal-1 в окне слоев LSW

  1. Прорисовка двух прямоугольников шириной 0.4 мкм для получения контакта.

Слой Metal-1должен перекрывать контактное окно не меньше, чем на 0.1 мкм (1).

Выполнение охранного кольца n-типа

Диффузионное пространство каждого n-МОП транзистора должно быть обязательно окружено специальным диффузионным слоем n-типа для улучшения свойств транзистора (увеличение толщины базы паразитного биполярного транзистора и уменьшения токов утечки).

1. Выбираем активным слоем nselect в окне слоев LSW.

2. Прорисовываем прямоугольник вокруг активной области транзистора на 0.1 мкм больше во всех напрвлениях.

Создание p –МОП транзистора.

P-МОП транзистор создается подобным образом как и n-МОП транзистор. Отличие заключается в том, что p-МОП выполняется в n-кармане и используются диффузионные слои p-типа для создания областей стока и истока и охранных колец.

Создание активной области транзистора.

Области истока и стока для Р-МОП транзистора выполяются р-диффузией.

  1. Выбираем в окне слоевLSW слой pactive

2. Прорисовываем прямоугольник размером 1.4 мкм на 0.4 мкм.

Формируем р-МОП транзистор.

Следующие три шага создания транзистора такие же как при формировании n-МОП транзистора.

  1. Выполнение затвора.

  1. Размещение контактных окон к областям стока и истока.

  1. Выполнение металлических нашлепок над контактными окнами.

Создание охранного кольца вокруг р-канального транзистора.

Также как для n-МОП транзистора необходимо и для р-МОП вокруг активной области транзистора создать охранное кольцо р-типа.

1. Выбираем активный слой pselect в окне слоев LSW

2. Прорисовываем область прямоугольником вокруг активной области транзистора размером 2.0 мкм на 0.6 мкм. ( с перекрытием активной области на 0.1 мкм.

Выполнение области кармана .

Поскольку для создания КМОП структуры используется подложка р-типа, то для выполнения р-канального транзистора необходимо создать область, в которой возможна реализация транзистора.

  1. Выбор nwell слоя в окне LSW.

2. Прорисовка вокруг сформированных областей области кармана минимальным размером 1.0 мкм.

Размещение тразисторов.

Для перемещения р-МОП транзистора в другое место необходимо выбрать все области транзистора и переместить их. Минимальное расстояние между диффузионными областями может быть 0.4 мкм. Поэтому транзисторы не могут располоагаться друг к другу ближе, чем на этом расстоянии.

  1. Выбираем все области во всех слоях.

2. Перемещаем транзистор.

Выполняем межсоединения слоем mmetal1.

Выполняем соединение затворов поликремнием.

Формируем область для создания переходного контакта от поликремния к металлу.

Создаем контакное окно и вход слоем металла.

Формируем шину питания и земли.

Формируем область контакта к подложке около n-МОП транзистора.

Формируем область контакта к карману около р-МОП транзистора.

Соединяем карман с шиной питания и истоком р-МОП, а подложку с шиной земли и истоком n-МОП.

Тут вы можете оставить комментарий к выбранному абзацу или сообщить об ошибке.

Оставленные комментарии видны всем.

Соседние файлы в папке DSD2