3. Защита поверхности терморезистивного слоя чип-терморезистора пленкой легкоплавкого стекла.

Для защиты терморезистивного слоя от внешних воздействий выбрали защитную пасту ПСЗ–2 (ЕТ0.035.180 ТУ). На станке трафаретной печати через сетчатый трафарет на поверхность терморези­стивного слоя наносился слой этой пасты. Слой пасты высушивали в сушильном шкафу при температуре 120…160 С в течение 10…15 мин и затем оплавляли в печи при температуре (5005) С в течение 10…15 мин.

Характеристики чип-терморезистора, защищенного полученной пленкой стекла, приведены на Рис. 2.15. Из рисунка видно, что защитная пленка стекла значительно повышает стабильность электрофизических свойств пленочного терморезистора.

3. Выводы.

1. Выбраны две системы для синтеза терморезистивных материалов (NiO–CoO и NiO–Li₂O)и в этих системах синтезированы пять составов полупроводниковых материалов для терморезисторов с большим отрицательным температурным коэффициентом сопротивления (ТКС).

2. Изготовлены образцы и исследованы физические и электрофизические свойства синтезированных терморезистивных материалов.

3. Определены зависимости температурного коэффициента сопротивления (ТКС), коэффициента температурной чувствительности (В), сопротивления при комнатной температуре (R₂₀) чип-терморезисторов от состава материала, толщины терморезистивной пленки, от условий измельчения исходного порошка и температуры спекания терморезистивной пленки. Показано, что паста №3 (на основе порошка NiO–CoO с помолом 70 мин и вжиганием пяти слоев (80050)С) наиболее полно удовлетворяет предъявленным требованиям по температурному коэффициенту сопротивления, коэффициенту температурной чувствительности и сопротивлению при комнатной температуре.

4. Исследована температурно-временная стабильность характеристик чип-терморезисторов, изготовленных на основе пасты №3. Показано, что защита чип-терморезисторов пленкой легкоплавкого стекла увеличивает температурно-временную стабильность температурного коэффициента сопротивления, коэффициента температурной чувствительности и сопротивления при комнатной температуре.

5. Проведен поиск и определены составы материалов, позволяющих получать методом трафаретной печати чип-терморезисторы с характеристиками полностью удовлетворяющими предъявленным к ним требованиям:

• Номинальное сопротивление: (0,5…1)10⁶ Ом;

• ТКС: –4,5…–­2,3 %/град;

• Коэффициент температурной чувствительности: 2000…4000 К

• Рабочий интервал температур: 20…250 С;

• Толщина резистивного слоя: до 100мкм;

• Габаритные размеры: 12 мм.