Elektronika / popov_uch-posob-FOM
.pdfСОДЕРЖАНИЕ
1КОРПУСКУЛЯРНО-ВОЛНОВОЙ ДУАЛИЗМ ………………. 3
2ФАЗОВАЯ И ГРУППОВАЯ СКОРОСТИ …………………….. 3
3 |
СООТНОШЕНИЕ НЕОПРЕДЕЛЕННОСТЕЙ ГЕЙЗЕНБЕРГА |
5 |
4 |
УРАВНЕНИЕ ШРЕДИНГЕРА ………………………………… |
7 |
5 ПРИМЕРЫ ПРАКТИЧЕСКОГО ПРИМЕНЕНИЯ УРАВНЕНИЯ ШРЕДИНГЕРА 10
…………………………………………….
5.1Движение свободной микрочастицы …………………….. 10
5.2Прохождение микрочастицы через потенциальный
|
барьер. Туннельный эффект ……………………………… |
12 |
5.3 |
Движение микрочастицы в потенциальной яме ………… |
15 |
6 ОСНОВЫ ЗОННОЙ ТЕОРИИ ТВЕРДЫХ ТЕЛ ………………. |
17 |
|
6.1 |
Металлы, диэлектрики и полупроводники ……………… |
19 |
6.2Понятие о дырках …………………………………………. 21
6.3Примесные уровни в полупроводниках …………………. 23
6.3.1Донорные уровни ………………………………….. 23
|
6.3.2 Акцепторные уровни ……………………………… |
25 |
6.4 |
Эффективная масса электрона …………………………… |
26 |
6.5 |
Рекомбинационные эффекты …………………………….. |
29 |
7 ОСНОВЫ СТАТИСТИКИ ЭЛЕКТРОНОВ В ТВЕРДЫХ ТЕЛАХ …………………………………………………………… 32
7.1Функция распределения для невырожденного газа …….. 37
7.2Функция распределения для вырожденного газа фермионов 38
……………………………………………………...
7.2.1 Распределение электронов в металле при абсолютном нуле. Энергия Ферми 39
…………………….
7.2.2Влияние температуры на распределение Ферми– Дирака ……………………………………………… 41
7.3 Функция распределения для вырожденного газа бозонов 42
7.4Положение уровня Ферми и зависимость концентрации носителей от температуры в полупроводниках …………. 42
7.4.1Зависимость концентрации свободных носителей от положения уровня Ферми ……………………... 42
7.4.2Положение уровня Ферми и зависимость
концентрации носителей от температуры в собственных полупроводниках 46
…………………………………..
7.4.3 |
Положение уровня Ферми и температурная |
|
|
зависимость концентрации носителей в |
48 |
|
примесных полупроводниках |
|
|
………………………………….. |
|
7.4.4 |
Закон действующих масс …………………………. |
53 |
8ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ МЕТАЛЛОВ …………………….. 54
8.1Удельная электропроводность металлов ………………... 54
8.2Оценка подвижности. Эффект Холла ……………………. 55
8.3Правило Матиссена ……………………………………….. 61
8.4Механизмы рассеяния …………………………………….. 62
8.4Электропроводность сплавов …………………………….. 65
8.5Явления сверхпроводимости ……………………………... 66
9ТЕПЛОПРОВОДНОСТЬ ТВЕРДЫХ ТЕЛ ……………………. 70
10КОНТАКТНЫЕ И ПОВЕРХНОСТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ ……….. 74
10.1 Методы получения p-n-переходов ……………………… 75
10.2Работа выхода ……………………………………………. 80
10.3Термоэлектронная эмиссия ……………………………... 82
10.4Эффект Шоттки ………………………………………….. 86
10.5 |
Контактная разность потенциалов ……………………… |
87 |
10.6 |
Барьер Шоттки …………………………………………… |
89 |
10.7Равновесное состояние p-n-перехода …………………... 92
10.8Внутренний фотоэффект ………………………………... 94
10.8.1Экситонные состояния …………………………... 97
10.9Эффект Ганна …………………………………………….. 98
10.10Поверхностные состояния ……………………………... 101
10.11Приповерхностный слой объемного заряда ………….. 104
10.12Поверхностная рекомбинация …………………………. 106
11 ПЕРЕНОС НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ТОНКИХ ПЛЕНКАХ 108
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ …………………………………………. 111
ДЛЯ ЗАМЕТОК