ПамятьDirectRambusDram.

В рассмотренных выше типах синхронной памяти увеличение пиковой пропускной способности достигалось за счет незначительного увеличения тактовой частоты. При этом ширина шины данных, равная 64 бит, оставалась неизменной. Технологически повысить пропускную способность памяти за счет одновременного увеличения и частоты, и ширины шины данных в настоящее время не представляется возможным. Более того, при значительном увеличении тактовой частоты приходится жертвовать шириной шины данных.

В данный момент тактовая частота работы памяти в стандарте Direct Rambus DRAM составляет 400 и 533 МГц, причем обращение к памяти происходит по положительному и отрицательному фронту тактовых импульсов (как и в DDR-памяти), поэтому эффективная частота составляет 800 и 1066 МГц соответственно. Столь высокая частота достигается за счет уменьшения ширины шины данных. Дело в том, что с увеличением разрядности шины возникает проблема подавления помех синхронизации. Чем больше ширина шины, а следовательно, и количество проводников, тем большее число сигналов будет переключаться одновременно, а значит, будет генерироваться больше высокочастотных шумов, так что их общий уровень может стать абсолютно неприемлемым. Поэтому в стандарте Direct Rambus DRAM ширина шины данных составляет всего 16 бит, или 2 байт.

Другой характерной особенностью DRDRAM-памяти является многобанковая архитектура c чередованием. В DRDRAM-памяти каждая микросхема разделена на 16 независимых банков (или даже на 32), причем операции со строками могут проводиться для четырех банков одновременно. Многобанковая архитектура позволяет проводить операции чтения и записи практически непрерывно, так как они выполняются с разными банками памяти.

Структура подсистемы памяти имеет следующий вид (Рис. 13):

Рисунок 13. Структура подсистемы памяти Direct Rambus DRAM.

Подсистема памяти RDRAM включает в себя контроллер, микросхемы памяти, канал Rambus.

Микросхемы памяти DRDRAM - составляют часть подсистемы Rambus, запоминающую данные. В канале может быть установлено до 32 микросхем, и все они соединены параллельно. Разрядность ОЗУ DRDRAM (128 бит) не зависит от числа установленных микросхем, а число банков, доступных контроллеру, и объем памяти суммируется по всем микросхемам канала. При этом в канале могут присутствовать микросхемы разной емкости в любых сочетаниях.

Канал Rambus - создает электрические соединения между контроллером и микросхемами памяти. Данные передаются по двухбайтной шине данных, которая включает два канала данных разрядностью по 8 бит.

Конструктивные исполнения памяти dram (модули памяти)

Память типа DRAM конструктивно выполняют и в виде отдельных микросхем в корпусах типа DIP, и в виде модулей памяти типа: SIPP, SIMM, DIMM, RIMM.

Микросхемы в корпусах типа DIP выпускались до использования модулей памяти. Эти микросхемы имеют два ряда контактов, расположенных вдоль длинных сторон чипа и загнутых вниз.

Модули типа SIPP (Single In-line Pin Package) представляют собой прямоугольные платы с контактами в виде маленьких штырьков. Этот тип памяти в настоящее время практически не используется, так как был вытеснен модулями памяти типа SIMM.

Модули типа SIMM (Single In-line Memory Module) представляют собой прямоугольную плату с контактной полосой вдоль одной из сторон, модули фиксируются в разъёме поворотом с помощью защёлок. Наиболее распространены 30- и 72-контактные SIMM (см. рис. 14). Широкое распространение нашли SIMM на 4, 8, 16, 32 и даже 64 Мбайт.

Рисунок 14.Внешний вид модуля памяти SIMM 72 pin

Модули типа DIMM (Dual In-line Memory Module) наиболее распространены в виде 168-контактных модулей, устанавливаемых в разъём вертикально и фиксируемых защёлками. Память типа DDR SDRAM выпускается в виде 184-контактных DIMM-модулей (см. рис. 15), а для памяти типа DDR2 SDRAM выпускаются 240-контактные модули.

Рисунок 15 Внешний вид DIMM памяти DDR SDRAM

Модули SO-DIMM. Для портативных и компактных устройств (материнских плат форм-фактора Mini-ITX, лаптопов, ноутбуков, таблетов и т.п.) а также принтеров, сетевой и телекомуникационной техники и др. широко применяются конструктивно уменьшенные модули DRAM (как SDRAM так и DDR SDRAM) — SO-DIMM (Small outline DIMM) — аналоги модулей DIMM в компактном исполнении для экономии места.

Модули RIMM (Rambus In-line Memory Module) менее распространены, в таких модулях выпускается память типа Direct RDRAM. Они представлены 168/184-контактными прямоугольными платами (см. рис. 16). Микросхемы памяти в таких модулях обычно закрыты плоским радиатором для лучшего отвода тепла.

Рисунок 16 Внешний вид 184-контактного модуля DRDRA

В отличие от модулей DIMM, у которых объем памяти кратен степени числа 2, модули RIMM могут иметь более плавный ряд объемов — в канал RDRAM память можно добавлять хоть по одной микросхеме. В пустые слоты необходимо устанавливать Continuity module, который представляет собой модуль RIMM, но без микросхем памяти, и нужен он для того, чтобы замыкать цепь канала Rambus. Если используются не все слоты, то память выгоднее ставить ближе к контроллеру — она будет работать быстрее.