Министерство образования российской федерации
НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ
Кафедра ПП и МЭ
Курсовая работа
Тема: МОП-транзистор с индуцированным каналом.
Факультет: РЭФ
Группа: РМС7-11
Студент: Шутилов Е.А.
Преподаватель: Макаров Е.А.
Дата: 26.04.2013
Отметка о защите:
Новосибирск 2013г.
Министерство образования Российской Федерации
НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ
Кафедра ____ Полупроводниковых приборов и микроэлектроники
ЗАДАНИЕ НА КУРСОВОЙ ПРОЕКТ (работу)
Студент Шутилов Е.А. код021201215 группаРМС7-11
фамилия, инициалы
1. Тема МОП-транзистор с индуцированным каналом.
Вариант №8
2. Срок предоставления проекта (работы) к защите
«___»_____________2012 г.
3. Исходные данные для проектирования (научного исследования)
|
Затвор |
Тип |
SiПК |
|
|
Толщина диэлектрика |
|
500 | |
|
Фиксированный заряд |
|
| |
|
Концентрация примеси |
|
| |
|
Подложка |
Тип |
p |
|
|
Концентрация примеси |
|
| |
|
Исток-сток |
Концентрация примеси |
|
|
|
Глубина залегания |
|
0.5 | |
|
Канал |
Подвижность |
|
800 |
|
Длина |
|
5 | |
|
Ширина |
|
40 |
Содержание пояснительной записки курсового проекта (работы):
Теоретические сведения
Основные электрические параметры, исходные данные, константы
Расчет параметров транзистора
Графический материал
Рассчитанные значения
Список литературы
Перечень графического материала Выходные вольтамперные характеристики, передаточная характеристика транзистора, зависимости параметров от концентрации примеси в подложке, зависимости параметров от толщины диэлектрика.
Руководитель проекта (работы) _________________ _ Макаров Е. А.___
подпись, дата инициалы, фамилия
Задание принял к исполнению __________________ «___» ________________ 2013 г.
подпись
Министерство образования Российской Федерации новосибирский государственный технический университет пояснительная записка
к курсовому проекту (работе) по ___« Элементная база электроники»_____
наименование учебной дисциплины
на тему: МОП-транзистор с индуцированным каналом.
Вариант №8
Автор проекта (работы) _________Шутилов Е. А.
подпись, дата, инициалы, фамилия
Специальность ______222900, Нанотехнология и микросистемная техника
номер, наименование
Факультет РЭФ группа РМС7-11
Руководитель проекта ________________________ ___ Макаров Е. А.
подпись, дата инициалы, фамилия
Проект (работа) защищен(а) ____________________ Оценка_______________________
дата