Cursov2 / ЗАЩИТА И ОТВЕТЫ / Вопросы_к_экзамену_по_ТТЭ_ 08

Твердотельная электроника. Основные контрольные вопросы курса.

1. Потенциальный барьер и р-п-переход

2. Контактная разность потенциалов в р-п-переходе

3. Зависимость ширины области пространственного заряда от внешнего напряжения.

4. Емкость р-п-перехода

5. Зависимость концентрации носителей заряда от напряжения на переходе.

6. Распределение носителей вблизи р-п-перехода

7. Токи через р-п-переход

8. Вольтамперная характеристика диода

9. Зависимость обратного тока перехода от легирования и температуры.

10. Переключение диода из прямого направления в обратное.

11. Включение и выключение диода.

12. Туннелирование в р-п-переходе.

13. Коэффициент ионизации при лавинном пробое

14. Коэффициент умножения в р-п-переходе

15. Зависимость напряжения пробоя р-п-перехода

от легирования и температуры.

16. Контакты металл-полупроводник и гетеропереходы

17. Принцип действия биполярного транзистора

18. Статические ВАХ транзистора в схеме ОБ

19. Распределение носителей в базе транзистора

20. Коэффициент передачи тока в транзисторе

21. Основные соотношения для модели Эберса- Молла.

22. Модуляция базы коллекторным напряжением

23. Т-образная эквивалентная схема транзистора

24. У- и Н- параметры транзистора

25. Особенности схем включения транзистораОБ, ОЭ и ОК

26. Предельная частота коэффициента передачи тока

27. Частотные свойства схемы ОЭ

28. Эквивалентная схема транзистора на ВЧ

29. Обратная связь и выходная проводимость транзистора на ВЧ

30. Изменение заряда в базе при переключении транзистора

31. Длительность фронта, спада и рассасывания при пере­ключении транзистора постоянным базовым током.

32. Физическая структура и топология биполярного транзистора интегральных схем.

33. Назначение скрытого слоя и разделительной диффузии в интегральном транзисторе.

34. Эквивалентная схема интегрального транзистора.

35. Конструкция, принцип действия и ВАХ тиристора

36. Влияние тока управления на ВАХ тиристора

37. Конструктивные разновидности полевого транзисторов (ПТ).

38. Принцип действия ПТ с управляющим р-п- переходом.

39. Крутизна и напряжение отсечки ПТ.

40. Свойства МДП структур и пороговое напряжение МДП транзистора.

41. ВАХ МДП транзистора в крутой и пологой областях.

42. Основные технологические процессы микроэлектроники

43. Элементы ЗУ на МДП транзисторах.

ЛИТЕРАТУРА

1. Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы. – СПб., ЛАНЬ, 2000.

2. Макаров Е.А., Усольцев Н.В. Твердотельная электроника. Учебн. пособие. НГТУ, 2004.

3. Ферри Д., Эйкерс Л., Гринич Э. Электроника ультрабольших ИС,1991.

4. Сугано Т. Введение в микроэлектронику,1988

5. Россадо Л. Физическая электроника и микроэлектроника,1991.

6. Тугов Н.М., Глебов Б.А., Чарыков Н.А. Полупроводниковые приборы,1990.

7. Аваев Н.А., Наумов Ю.Е., Фролкин В.Г. Основы микроэлектроники. - М.: Радио и связь, 1991.

15.12.08 Макаров Е.А.