Cursov2 / Задание на КР по БТ

НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ

Кафедра Полупроводниковых приборов и микроэлектроники

ЗАДАНИЕ НА КУРСОВУЮ РАБОТУ

Студент_____________________________________Код_____________Группа___________

фамилия, инициалы

1. Тема: Расчет параметров транзистора со структурой металл-окисел-полупроводник

2. Срок предоставления работы к защите

«___»_____________200 г.

2. Исходные данные для проектирования

3.1. Глубины залегания эмиттерного и коллекторного переходов.

3.2. Толщина эпитаксиальной пленки коллектора и параметры скрытого слоя и разделительной диффузии.

3.3. Концентрация примесей в подложке, базе и эмиттере.

3.4. Концентрация примеси и истока и стока.

3.5. Размеры канала.

По заданным концентрациям и глубинам залегания переходов рассчитать нормальный,

инверсный коэффициенты передачи тока и коэффициент передачи тока в подложку.

Рассчитать начальные токи.

По модели Эберса – Молла рассчитать входные и выходные характеристики транзистора в режиме IE =1 мА и Uc =5 В.

4. Содержание пояснительной записки курсовой работы:

Титульный лист и лист задания на курсовую работу.

Расчеты профилей распределения примесей, начальных токов переходов и основных электрических параметров.

Емкости переходов и частотные свойства транзисторов.

Вольтамперные характеристики.

4. Перечень графического материала

5.1.Физическая структура транзистора с обозначениями областей и глубин залегания слоев и переходов.

5.2.Профили распределения примесей в активной области транзистора под эмиттером.

5.3.Топология транзистора.

5.4.Входные характеристики транзистора в схеме ОБ для напряжения на коллекторе 0 В и 5 В.

5.5.Три выходных характеристики в схеме ОБ для входных токов 0.5 мА, 1 мА и 2 мА.

Зависимости нормального коэффициента передачи от глубины залегания эмиттерного перехода.

Руководитель работы Макаров Е.А.

подпись, дата инициалы, фамилия

Задание принял к исполнению __________________ «___» ________________ 2013 г.

подпись