Добавил:
Когда то был здесь Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Metod_Chokhralskogo

.pdf
Скачиваний:
0
Добавлен:
06.06.2026
Размер:
2.18 Mб
Скачать

лять в редакторах «Mathtype» или «Microsoft Equation» и следует располагать непосредственно после текста, в котором они упоминаются впервые. Все формулы должны быть пронумерованы, в тексте работы на них должны быть даны ссылки в круглых скобках.

Пронумерованные формулы, на которые обязательны ссылки в тексте, выносятся отдельной строкой и располагаются по центру рабочего поля. В тексте же допустимо расположение только однострочных выражений, на которые нет ссылок. Номер формулы составляется по тем же правилам, что и номер рисунка и таблицы: арабскими цифрами указывается сначала номер главы (раздела), затем (после точки) порядковый номер формулы в данной главе; оба они заключаются в круглые скобки и выравниваются по правому краю печатного листа. Номер, не умещающийся в строке формулы, располагают в следующей строке ниже формулы. Место номера при переносе формулы – на уровне последней строки. При необходимости перенос допускается делать: в первую очередь на знаках соотношений (=, ≠ и др. ), во вторую – на знаках сложения и вычитания (+, –), в последнюю – на знаке умножения (причем знак точки обязательно в этом случае должен быть заменен на косой крест « »). Перенос на знаке деления не допускается.

Математический знак, на котором разрывается формула при переносе, обязательно должен быть повторен в начале второй строки.

Последовательность расшифровки буквенных обозначений (экспликации) должна соответствовать последовательности расположения этих обозначений в формуле. После формулы перед экспликацией ставят запятую, затем с новой строки без отступа от левого края – слово «где» (без двоеточия), за ним обозначение первой величины, после тире ее расшифровку и далее единицу измерения. Все элементы располагаются в строку. В конце расшифровки каждого элемента ставят точку с запятой, а в конце последнего – точку, например:

I

U

R

 

,

(5.12)

где I – сила тока, A; U – напряжение, В; R – сопротивление, Ом.

Если правая часть формулы является дробью, то сначала поясняют обозначения величин, помещенных в числителе, в том же порядке, что и в формуле, а затем – в знаменателе. Элементы экспликации рекомендуется располагать в подбор (подряд).

80

При оформлении формул допускается использовать все виды скобок – круглые, квадратные и фигурные. Высота скобок должна быть достаточной, чтобы охватывать находящееся в них выражение, например:

 

 

2

G

СМ

 

 

 

 

 

 

 

 

x2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

i

 

 

P,T

 

 

 

 

 

 

0

.

Основным знаком умножения является точка на средней линии. Косой крест в качестве знака умножения ставят:

а) при указании размеров: 2 × 5 м;

б) при записи векторного произведения векторов: a × b ; в) при переносе формулы на знаке умножения.

При переносе формулы знаки , =, + дублируется в конце верхней и начале нижней строчки:

S

конф

k lnW

 

 

 

 

 

k N

A

 

 

 

 

 

k ln

N

 

 

 

B

 

 

NA NB ! NA !NB !

 

N

 

 

 

A

ln

N

 

N

A

B

 

 

k ln N

A

N

B

! ln

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

N

A

 

 

 

 

N

B

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

N

 

N

 

N

 

 

N

 

A

B

 

A

B

 

 

 

 

 

 

 

N

A

! ln N

B

!

 

 

 

 

ln

 

N

B

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

NA NB

,(1.9)

ε x, y, z 1

xy

ε

GaP

1

y(1 x)

ε

InP

1

xz

ε

GaAs

1

(1 x) y

ε

InAs

1

 

ε x, y, z 2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ε

 

 

2

ε

 

 

2

ε

 

 

2

ε

 

 

2

 

GaP

 

InP

 

GaAs

 

InAs

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

+ x

(1

y z) εGaSb 1 (1 x) 1

εGaSb 2

yz εInSb

εInSb

1

2

.

(1.10)

Многоточие применяется при пропуске членов в ряду суммирования, вычитания или равенства. При этом знаки операции ставятся и перед многоточием, и после него:

f x

, x

, ..., x

a

a x

... a

x .

1

2

n

0

1 1

n

n

Многоточие при перемножении набирается на средней линии выражения, а в системах уравнений, в матрицах и определителях при пропуске строк делается отточие на полную строку.

Размер шрифтов в формуле (на примере Microsoft Equation 3, 0 и 5, 0): «Times New Roman» – обычный 14 pt, крупный индекс 12 pt, мелкий ин-

декс 10 pt, крупный символ 18 pt, мелкий символ 14 pt:

1 B 2

nk

 

X kp A .

p 1

81

1.5. Сноски

Сноски помечаются в тексте либо «звездочкой», либо надстрочной цифрой (без скобки) со сквозной нумерацией в пределах страницы. Текст печатается через 1 интервал. Размер шрифта:

«Times New Roman»: основной текст – 12 pt, индексы – 10 pt.

1.6. Список использованных источников

Список использованных источников составляется в соответствии с правилами, указанными в ГОСТ 7.1–2003 «Система стандартов по информации, библиотечному и издательскому делу. Библиографическая запись. Библиографическое описание. Общие требования и правила составления». На все работы, указанные в списке использованных источников, даются ссылки в тексте в квадратных скобках [1, 3–5].

Ниже представлены примеры библиографического описания.

1.Иванов И. И. Книга одного-трех авторов. М.: Изд-во, 2010. 000 с.

2.Книга четырех авторов / И. И. Иванов, П. П. Петров, С. С. Сидоров, В. В. Васильев. СПб.: Издательство, 2010. 000 с.

3.Книга пяти и более авторов / И. И. Иванов, П. П. Петров, С. С. Сидоров и др. СПб.: Издательство, 2010. 000 с.

4.Описание книги под редакцией / под ред. И. И. Иванова. СПб.: Издательство, 2010. 000 с.

5.Иванов И. И. Описание учебного пособия и текста лекций: учеб. пособие. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2010. 000 с.

6.Иванов И. И., Петров П. П. Описание учебно-методического пособия: учеб.-метод. пособие. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2010. 000 с.

7.Иванов И. И. Описание статьи с одним-тремя авторами из журнала

//Название журнала. 2010. Вып. (№) 00. С. 000–000.

8.Описание статьи с четырьмя и более авторами из журнала / И. И. Иванов, П. П. Петров, С. С. Сидоров и др. // Название журнала. 2010. Вып. (№) 00.

С. 000–000.

9.Иванов И. И. Описание тезисов доклада с одним-тремя авторами

//Название конференции: тез. докл. III Междунар. науч.-техн. конф., СПб., 00–00 янв. 2000 г. / СПбГЭТУ «ЛЭТИ». СПб., 2000. С. 000–000.

10.Описание тезисов доклада с четырьмя и более авторами / И. И. Иванов, П. П. Петров, С. С. Сидоров и др. // Название конференции: тез. докл.

III Междунар. науч.-техн. конф., СПб., 00–00 янв. 2000 г. / СПбГЭТУ «ЛЭТИ». СПб., 2000. С. 000–000.

82

11.Описание электронного ресурса // Наименование сайта. URL: http://east-front.narod.ru/memo/latchford.htm (дата обращения: 00.00.2010).

12.ГОСТ 0.0–00. Описание стандартов. М.: Изд-во стандартов, 2010.

13.Пат. RU 00000000. Описание патентных документов / И. И. Иванов, П. П. Петров, С. С. Сидоров. Опубл. 00.00.2010. Бюл. № 00.

14.Иванов И. И. Описание авторефератов диссертаций: автореф. дис. … канд. техн. наук / СПбГЭТУ «ЛЭТИ». СПб., 2010.

15.Описание федерального закона: Федер. закон [принят Гос. Думой 00.00.2010] // Собрание законодательств РФ. 2010. № 00. Ст. 00. С. 000–000.

16.Описание федерального постановления: постановление Правительства Рос. Федерации от 00.00.2010 № 00000 // Опубликовавшее издание. 2010. № 0. С. 000–000.

17.Описание указа: указ Президента РФ от 00.00.2010 № 00 // Опубликовавшее издание. 2010. № 0. С. 000–000.

1.7. Приложения

Каждое приложение следует начинать с новой страницы с указанием наверху посредине страницы слова «Приложение», его обозначения. Приложение должно иметь заголовок, который записывают симметрично относительно текста с прописной буквы отдельной строкой. Выравнивание текста по центру, без отступа, шрифт «Times New Roman» (14 pt), полужирный, интервал 1,5 строки.

83

 

ОГЛАВЛЕНИЕ

 

ЦЕЛИ, СОДЕРЖАНИЕ И ПРИМЕРНЫЕ ТЕМЫ КУРСОВОЙ РАБОТЫ .......

3

ОСНОВНЫЕ ВОПРОСЫ КУРСОВОЙ РАБОТЫ ...............................................

8

1.

Методы выращивания монокристаллов (краткое описание) ..............

8

 

1.1. Метод нормальной направленной кристаллизации ..............................

8

 

1.2. Метод Чохральского.................................................................................

9

 

1.3. Метод зонной плавки .............................................................................

12

2.

Равновесный, эффективный и обобщенный коэффициенты

 

 

распределения...............................................................................................

14

3.

Расчет легирования кристалла .................................................................

19

 

3.1. Расчет концентрации легирующей примеси........................................

19

 

3.2. Расчет массы легирующей примеси .....................................................

24

4.

Распределение примеси вдоль слитка .....................................................

25

 

4.1. Распределение примеси вдоль слитка при вытягивании

 

 

кристаллов из расплава ..........................................................................

25

 

4.2. Распределение примеси вдоль слитка с учетом ее испарения

 

 

из расплава...............................................................................................

28

 

4.3. Распределение примеси вдоль слитка при зонной плавке .................

30

 

4.3.1. Зонная очистка (проход расплавленной зоны

 

 

через однородный в среднем образец) .......................................

31

 

4.3.2. Проход легирующей зоны через чистый исходный образец ...

33

 

4.3.3. Метод целевой загрузки...............................................................

33

5.

Расчет выхода годного материала ............................................................

35

6.

Методы получения однородно легированных кристаллов ................

36

 

6.1. Метод компенсационного испарения ...................................................

36

 

6.2. Методы получения однородно легированных кристаллов

 

 

при подпитке из жидкой фазы...............................................................

37

 

6.2.1. Общие сведения о методах подпитки из жидкой фазы ............

37

 

6.2.2. Распределение примеси вдоль слитка в методе двойного

 

 

капиллярного тигля ......................................................................

39

 

6.2.3. Выращивание монокристаллов методом плавающего тигля...

43

7.

Рентгеновский фазовый анализ как основной

 

 

метод контроля фазового состава кристалла ........................................

44

 

7.1. Уравнение Вульфа–Брэгга .....................................................................

44

84

7.2. Основные факторы, влияющие на ширину рентгеновской

 

дифракционной линии............................................................................

46

7.3. Основные факторы, влияющие на интенсивность рентгеновских

 

дифракционных линий ...........................................................................

48

7.4. Рентгеновский фазовый анализ систем с эвтектическим типом

 

диаграммы состояния .............................................................................

49

7.5. Рентгеновский фазовый анализ систем с неограниченной

 

растворимостью компонентов ...............................................................

52

ТИПОВЫЕ ЗАДАЧИ ............................................................................................

55

КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ ДЛЯ ПОДГОТОВКИ К ЗАЩИТЕ

 

КУРСОВОЙ РАБОТЫ ..........................................................................................

61

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ.....................................................................................

65

ПРИЛОЖЕНИЯ .....................................................................................................

66

А. Физико-химические и электрические свойства важнейших

 

полупроводников .......................................................................................

66

Б. Некоторые параметры кубических кристаллов и источников

 

рентгеновского излучения для определения интенсивности

 

рассеяния рентгеновских лучей ...............................................................

71

В. Указания по оформлению курсовой работы ...........................................

74

85

Александрова Ольга Анатольевна Мараева Евгения Владимировна

Технология материалов микросистемной техники

Учебно-методическое пособие

Редактор Э. К. Долгатов

––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––

Подписано в печать 17.03.20. Формат 60×84 1/16. Бумага офсетная. Печать цифровая. Печ. л. 5,5.

Гарнитура «Times New Roman». Тираж 64 экз. Заказ .

––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––

Издательство СПбГЭТУ «ЛЭТИ» 197376, С.-Петербург, ул. Проф. Попова, 5

86

View publication stats