- •В. Н. Седалищев Физические основы получения измерительной информации с использованием генераторных и параметрических первичных преобразователей Учебное пособие
- •Введение
- •Глава 1
- •1. Информационно-энергетические основы теории измерений
- •1.1 Понятие информации. Разновидности информации
- •1.2 Количественная оценка информации
- •1.3 Связь понятий энергии и информации Информационный подход к анализу физических процессов
- •1.4 Применение энерго-информационного подхода к анализу физических процессов
- •Аномалии физических и химических свойств воды
- •1.5 Связь теории информации с теорией измерений
- •Количественная оценка измерительной информации
- •Естественные пределы измерений
- •1.6 Причины наличия ограничений количества информации, получаемой при измерениях
- •Разновидности шумов и причины их появления
- •1.7 Способы повышения информативности измерительного процесса
- •1.8 Общая характеристика этапов измерительного преобразования
- •Метрологические характеристики измерительных преобразователей
- •1.2 Классификация физических эффектов и областей их применения в измерительной технике
- •«Фундаментальное единство» природы. Метод электромеханических аналогий
- •Физические основы построения измерительных преобразователей генераторного типа
- •Физические основы создания электромеханических измерительных преобразователей генераторного типа
- •2.3 Пьезоэффект и его применение в измерительной технике
- •2.3.1 Теоретические основы построения пьезоэлектрических измерительных преобразователей генераторного типа
- •2.3.3 Ээсз пьезоэлектрического преобразователя генераторного типа
- •2.3.4 Физические основы работы пьезорезонансных измерительных преобразователей
- •2.3.2 Электрострикция и области применения ее в измерительной технике
- •2.4 Физические основы создания термоэлектрических измерительных преобразователей
- •2.4.1 Пироэффект и применение его в измерительных устройствах
- •2.4.2 Термоэлектрические эффекты в проводниках и полупроводниках
- •2.4.3 Особенности практической реализации термоэлектрических эффектов в измерительных устройствах
- •2.5 Гальваномагнитные эффекты и применение их в измерительных устройствах
- •2.5.1 Эффект Холла и применение его в измерительных устройствах
- •3. Физические эффекты, связанные с модуляцией активного сопротивления ээсз измерительного преобразователя
- •3.1 Принципы построения и разновидности резистивных измерительных преобразователей
- •3. 2 Физические основы создания пьезорезистивных преобразователей контактного сопротивления
- •3.3 Физические основы создания тензорезистивных проводниковых измерительных преобразователей
- •3.4 Физические основы полупроводниковых тензорезистивных преобразователей
- •3.6 Физические основы магниторезистивных измерительных преобразователей
- •3.7 Физические основы работы проводниковых терморезистивных измерительных преобразователей
- •3.8 Физические основы создания полупроводниковых терморезистивных измерительных преобразователей
- •3.9 Физические основы создания фоторезистивных измерительных преобразователей
- •3.10 Физические основы применения явления сверхпроводимости в измерительных устройствах
- •3.10.1 Свойства сверхпроводников
- •3.10.2 Квантово-механическая теория сверхпроводимости
- •Объяснение понятий экситона и поляритона
- •3.10.3 Применение явления сверхпроводимости в измерительной технике
- •3.10.4 Эффект Мейснера и его практическое применение
- •3.10.5 Стационарный и нестационарный эффекты Джозефсона и применение их в измерительной технике
- •4. Физические основы создания электрохимических измерительных преобразователей
- •4.1 Полярографический эффект в растворах и применение его в измерительных устройствах
- •4.2 Физические основы работы кондуктометрических измерительных преобразователей
- •4.3 Применение в измерительной технике электрокинетических явлений в растворах
- •4.4 Принципы работы гальванических измерительных преобразователей
- •5. Физические основы создания первичных преобразователей, основанных на модуляции магнитных параметров измерительной цепи
- •5.1 Принцип работы магнитоиндукционных измерительных преобразователей генераторного типа
- •5.2 Теоретические основы создания индуктивных измерительных преобразователей
- •5.3 Принцип работы вихретоковых измерительных устройств
- •5.4 Физические основы магнитомодуляционных измерительных преобразователей
- •Эффект Виганда
- •5.5 Физические эффекты, связанные с модуляцией магнитных характеристик материалов
- •Пример реализации магнитострикционного эффекта в датчиках линейных перемещений
- •Принцип работы устройства
- •Дополнительные эффекты, возникающие в магнитомодуляционных преобразователях
- •5.6 Физические основы создания магнитоупругих измерительных преобразователей
- •5.7 Зависимость магнитной проницаемости ферромагнетиков от влияющих факторов
- •6. Физические основы создания емкостных измерительных преобразователей
- •6.1 Модуляция геометрических размеров емкостных преобразователей
- •Принципы работы емкостных измерительных преобразователей
- •Емкостной преобразователь с переменной площадью обкладок
- •6.2 Физические основы емкостных измерительных устройств, основанных на модуляции диэлектрических свойств веществ
- •6.2.1 Строение материалов
- •6.2.2 Виды связей и механизмы поляризации диэлектриков
- •6.2.3 Влияние агрегатного состояния вещества на его диэлектрические свойства
- •6.2.4 Примеры практической реализация емкостных измерительных устройств, основанных на управлении диэлектрической проницаемостью веществ
- •7. Физические основы создания биодатчиков генераторного и параметрического типов
- •Глава 1. Информационно-энергетические основы теории измерений
- •Глава 2. Физические основы построения измерительных преобразователей генераторного типа
- •Глава 3. Физические эффекты, связанные с модуляцией активного сопротивления ээсз измерительного преобразователя
- •Глава 4. Физические основы создания электрохимических измерительных преобразователей
- •Глава 5. Физические основы создания первичных преобразователей, основанных на модуляции магнитных параметров измерительной цепи
- •Глава 6. Физические основы создания емкостных измерительных преобразователей
- •Глава 7. Физические основы создания биодатчиков генераторного и параметрического типов
- •Перечень физических эффектов
2.3 Пьезоэффект и его применение в измерительной технике
В 1880-1881 г. братья Кюри открыли и исследовали прямой и обратный пьезоэффект (обратный эффект предсказал Липпман). Кулон предполагал о наличии связи между электрическим зарядом и механической деформацией кристаллов. В течение почти 30 не могли дать теоретического объяснения данного эффекта, и долгое время считали его научным курьезом.
В 1890 году Фёдоров установил основные законы кристаллографии, связывающие структуру веществ с их свойствами (теоретически рассчитал все возможные типы кристаллических решеток, ячейки которых обеспечивают минимум потенциальной энергии связи атомов в кристаллах: 7 видов правильных геометрических фигур, 32 класса симметрии, 230 типов кристаллических решёток). Согласно этой теории кристаллы могут быть не центросимметричными, что лежит в основе механизма поляризации в результате их деформации.
В разное время проводили теоретические и экспериментальные исследование пьезоэлектричества кварца известные ученые: Беккерель, Иоффе, Курчатов и др. В связи с развитием радиотехники пьезокварцевые резонаторы нашли практическое применение для стабилизации частоты и фильтрации электрических сигналов (1918 г.). Поль Ланжевен использовал пьезоэлементы для эхолокации. В 1940–х годах Шубников теоретически обосновал возможность создания искусственных пьезоэлементов. К настоящему времени разработаны различные типы пьезокерамических материалов, которые находят широкое применение в измерительной технике.
2.3.1 Теоретические основы построения пьезоэлектрических измерительных преобразователей генераторного типа
Рассмотрим более подробно явление пьезоэффекта в монокристаллах (в пьезокварце) и поликристаллических материалах (в пьезокерамике). Суть данного физического эффекта заключается в том, что в результате механического воздействия на пьезоматериал на его поверхности появляется электрический разность потенциалов.
Рис. 2.1 Явление пьезоэффекта в кристалле кварца.
Пьезоэффект подразделяется на прямой и обратный. Прямой эффект - под действием механических напряжений на поверхности элемента появляется электрический заряд. Обратный эффект - в электрическом поле происходит деформация пьезоэлементов.
Рис. 2.2 Иллюстрация механизма генерации зарядов на поверхности пьезокварца.
Величину генерируемого при этом электрического заряда (Q) можно определить с использованием следующих упрощенных формул:
, ,,, (2.2)
где d – пьезомодуль материала;
Q – электрический заряд на поверхности пьезоэлемента,
С – электрическая ёмкость пьезоэлемента,
- плотность заряда на поверхности пьезоэлемента,
- механическое напряжение,
Е – напряженность электрического поля,
- относительная деформация пьезоэлемента,
- модуль Юнга.
Для расчета пьезоэлектрических преобразователей генераторного типа можно использовать следующие математические соотношения:
, ,, (2.3)
, ,(2.4)
, , (2.5)
, ,. (2.6)
Электрическое смещение (Д), соответствует плотности зарядов и пропорционально величине механического напряжения () в материале. Как следует из полученных соотношений, абсолютное значение деформации пьезоэлемента () и напряжение на его обкладках () линейно взаимосвязаны между собой. Пьезоэффект обуславливает появление в твердых телах как продольных, так и поперечных деформаций.
Для описания пьезоэлектрических свойств материалов используют матрицы пьезомодулей, отражающих связь между электрическими напряжениями в кристаллах по трем направлениям с механическими напряжениями - по шести направлениям:
. (2.7)
Например,
для пьезокварца:
, ,
, ,
,
для пьезокерамики типа ЦТС-19:
, .
Рациональное расположение граней кристалла относительно его кристаллографических осей позволяет создавать пьезоэлектрические преобразователи с особыми свойствами: термочувствительные; тензочувствительные и др.
Для нелинейных диэлектриков зависимость электрического смещения от напряженности электрического поля может принимать вид петли гистерезиса. Наличие гистерезиса является причиной низкой добротности резонаторов из таких пьезоматериалов.
Рис. 2.3 Петля гистерезиса для сегнетоэлектрика.
Природный материал – пьезокварц – обладает менее выраженными пьезоэлектрическими свойствами, но более стабилен при воздействии температуры и других факторов. Пьезокерамика обладает большим пьезоэффектом, но её свойства сильно зависят от температуры, есть старение во времени. Поэтому пьезокварцевые преобразователи используют для создания измерительных устройств с частотным выходом, а пьезокерамические – для амплитудных датчиков.
Пьезокерамику получают путём спекания спрессованной смеси, состоящей из мелкораздробленных, мелкодисперсных сегнетоэлектрических кристаллов с присадками (свинец, титан). У сегнетоэлектриков кристаллы разбиты на домены, в пределах которых существует упорядоченная структура, что обуславливает определенное направление их спонтанной поляризации. При изготовлении пьезокерамики направления поляризации доменов распределены равномерно, поэтому суммарного электрического поля не создается. При спекании смеси к образцу прикладывается сильное внешнее электрическое поле, содействующее ориентации доменов в определенном направлении. После снятия внешнего поля и охлаждения пьезоэлемента домены удерживаются в заданном направлении. Содержание ориентированных доменов в образце не превышает 7-10% от их общего числа. Под действием внешнего электрического поля напряженностью в десятки киловольт на сантиметр относительные деформации пьезоэлемента составляют сотые доли процента.
Области применения пьезоэффекта в измерительной технике:
для создания источников и приемников акустических сигналов;
прямой пьезоэффект применяют для измерения динамических усилий, давлений, механических колебаний, микроперемещений;
обратный пьезоэффект используют для создания излучателей ультразвуковых колебаний и волн, пьезодвигателей, микроперемещений;
одновременно прямой и обратный пьезоэффекты – для создания пьезорезонаторов, пьезотрансформаторов и измерительных преобразователей на их основе.
Одним из широко применяемых в последнее время пьезоэлектрических материалов является также лантан галлиевый силикат (лангасит), представляющий собой кристалл, обладающий уникальным сочетанием физических свойств, обеспечивающим применением его в пьезотехнике.
С точки зрения физических свойств лангасит не может быть отнесен ни к пироэлектрикам ни к сегнетоэлектрикам. Это связано с тем, что по своим характеристикам лангасит занимает промежуточное положение в ряду других известных пьезоэлектрических материалов, таких как ниобат лития, танталат лития и кварц. Он перекрывает собой те области применения, где использование других традиционных материалов по ряду характеристик не эффективно. Лангасит имеет меньшую, по сравнению с кварцем, ниобатом лития и танталатом лития анизотропию коэффициентов линейного расширения, что является важным свойством для высокотемпературных применений. Пьезоэлектрические подложки на основе кристаллов лангасита используются для изготовления ПАВ и ОАВ фильтров, резонаторов и других пьезоэлектрических приборов. Кристаллы лангасита выращиваются вдоль осей <001>, <011> и <110>.
Пьезоматериалы, которые используются в качестве подложек для ПАВ-приборов, имеют два наиболее важных параметра:
скорость распространения ПАВ и ее температурная зависимость;
коэффициент электромеханической связи;
Сравнительная характеристика основных параметров наиболее распространенных пьезоматериалов для приборов, работающих на объемных акустических волнах (ОАВ).
| ||||
Кристалл |
Коэффициент электромеханической связи К2эмс,% (ОАВ) |
Резонансный промежуток Δf, % |
Добротность Q, х103 |
Температурный коэффициент частоты, TFC, |
Кварц, SiO2 |
7,0 |
0,25 |
100 |
0,5 |
Лангасит, La3Ga5SiO14 |
15,8 |
0,90 |
50 |
1,6 |
Тетраборат лития, Li2B2O3 |
24,0 |
4,00 |
10 |
6,0 |
Танталат лития, LiTaO3 |
47,0 |
7,00 |
2 |
4,0 |
Параметры наиболее распространенных пьезоматериалов, используемых для изготовления ПАВ-подложек.
| ||||||
Материал |
Ориентация подложки |
Скорость ПАВ (м/с) |
Коэффициент связи (%) |
Температурная стабильность |
Диэлектрическая постоянная (ε) | |
SiO2 |
(0°,135,75°,0°) |
3 157 |
0,14 |
- |
-3,2 |
4,92 |
La3Ga5SiO14(ЛГС) |
(0°,140°,22,5°) |
2 742 |
0,32 |
- |
-7,8 |
- |
(0°,140°,25°) |
2 736 |
0,38 |
- |
-6,8 |
27 | |
(0°,138,5°,26,7°) |
2 723 |
0,34 |
- |
-7,2 |
28 | |
LiNbO3 |
127,86°Y-срез |
3 980 |
5,5 |
7,5 |
|
85,2(), 28,7() |
Y- срез |
3 488 |
4,9 |
9,4 |
| ||
41°Y- срез |
4 792 |
17,2 |
5,0 |
| ||
64°Y- срез |
4 742 |
11,3 |
7,0 |
| ||
LiTaO3 |
X- срез |
3 290 |
0,75 |
1,8 |
|
53,6(), 43,4()
|
36°Y- срез |
4 160 |
5,0 |
2,8-3,2 |
|
На основе подложек из лангасита (ЛГС) изготавливаются фильтры с относительной полосой пропускания до 2%.
Лантан галлиевый танталат ЛГТ (лангатат) представляет собой пьезоэлектрический кристалл, который также как и лангасит обладает сочетанием ряда уникальных физических свойств, обеспечивающих применение его в пьезотехнике. Например, по сравнению с традиционными материалами (пьезокерамикой и кварцем), применяемыми в датчиках физических величин, лангатат имеет следующие преимущества:
отсутствие у кристаллов ЛГТ фазовых переходов вплоть до температуры плавления 1450°С;
отсутствие у кристаллов ЛГТ пироэлектрического эффекта;
отсутствие у кристаллов ЛГТ гистерезиса физических свойств;
коэффициент электромеханической связи у кристаллов ЛГТ в два раза больше чем у кварца;
постоянный пьезоэлектрический модуль в диапазоне температур от 25°С до 600°С (изменение до температуры 450°С не превышает 5%);
высокое удельное сопротивление (не менее при температуре 540°С).
Кристаллы лангатата выращиваются вдоль осей <001> и <110>, имеют ряд важных физических свойств, что позволяет использовать их в качестве материала для датчиков физических величин. Эти свойства в сравнении с другими пьезоматериалами приведены в таблице.
| ||||||
Свойства |
Ед. изм. |
Обозначен. |
ЛГТ |
Кварц |
APC-850 N-2 |
APC-856 |
Относительная диэлектрическая постоянная |
|
K=εT33/ε0 |
80,3 |
4,6 |
1750 |
4100 |
Температура Кюри |
°С |
Tc |
- |
570 |
360 |
150 |
Пьезомодули |
10-12Кл/Н или м/В |
-d11 |
6,5 |
2,3 |
d33=400 |
d33=620 |
-d14 |
4,7 |
0,9 |
d15=590 |
d15=710 | ||
Пьезокоэффициенты по напряжению |
10-3В м/Н или м2/Кл |
-g11 |
38 |
58 |
g33=26 |
g33=18,5 |
g14 |
27,7 |
18 |
g15=36 |
g15=25 | ||
Модуль Юнга |
1010Н/м2 |
YE11 |
11 |
7,8 |
6,3 |
5,8 |
Плотность |
г/см2 |
ρ |
6,13 |
2,65 |
7,7 |
3,57 |