Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

КР (1-2) / 2 / Лекция 8 / 1-3

.docx
Скачиваний:
14
Добавлен:
13.02.2015
Размер:
75.95 Кб
Скачать

Методы детектирования газов. Достоинства и недостатки.

  1. Масс-спектрометрия:

-: мол. ионы образуются лищь у 20% орг. соед.; метод применим только для определения легколетучих термически стабильных соед.; в значениях полного ионного тока на ионы с большими значениями m/z, дающие информацию о мол. массе и наличии функц. групп, приходится меньшая часть; отрицательно заряженные ионы, имеющие большое значение в структурном анализе, образуются в очень небольшом кол-ве и ограниченным числом орг. соединений. Хим. ионизация осуществляется при столкновении молекул исследуемого в-ва с ионами реагентного газа, в качестве к-рого м. б. индивидуальные в-ва или их смеси.

+: колоссальная чувствительность

  1. КР – спектроскопия

-: нелинейность интенсивности почернения фотопластинки относительно интенсивности падающего света

+: высокая чувствительность фотопластинок; они могут одновременно измерять сигналы на различных длинах волн, т.е. фотопластинки являются многоканальными приёмниками; наконец, они могут накапливать сигнал во времени.

  1. ИК-спектроскопия

-(классс. Схема): невозможность регистрации слабых сигналов из-за малого отношения сигнал: шум

+(класс. Схема): простота конструкции, относит. дешевизна

-(Фурье-спектрометра): сложность изготовления и высокая стоимость,

+ (Фурье-спектрометра): высокое отношение сигнал : шум, возможность работы в широком диапазоне длин волн без смены диспергирующего элемента, быстрая (за секунды и доли секунд) регистрация спектра, высокая разрешающая способность (до 0,001 см1).

  1. Парамагнитные датчики

-: ремонт и настройка датчика сложны и могут быть выполнены только с использованием специального оборудования.

+: не требует для работы расходных материалов, время реакции порядка 0.15 сек

Терромагнитные датчики:

+: просты по конструкции, надежны и долговечны

-: инерционны (время их реакции около 30 сек.)

  1. Химические сенсоры

- (оптических сенсоров): достаточно высокая, хотя и селективная чувствительность к световым помехам, а также определенная подверженность влиянию температуры (в случае использования полупроводников при изготовлении сенсора)

+ (оптических сенсоров):

       высокая чувствительность;

       высокая скорость отклика;

       возможность бесконтактного обнаружения;

       высокая помехозащищенность;

       нечувствительны к электромагнитным полям (не оптической частоты);

       нечувствительны к радиационным полям;

       способность передавать аналитический сигнал без искажения на большие расстояния (например, по оптоволокну);

       удобство мультиплексирования сигналов;

       высокая плотность передачи данных;

       стойкость к вредным воздействиям окружающей среды;

       удобство применения интегральной технологии.

  1. Смешанные техники

Ничего толкового в инете нет. Логично, что это использование нескольких техник в попытке минимизировать минусы одного метода плюсами другого.

Основные классы сенсоров и требования к сенсорным материалам.

  1. Потенциометрические

  2. Люминисцентные

  3. Спектрофотометрические

  4. Пьезо массметрические

  5. Сенсор на поверхностно-акустических волнах

  6. Термические

  7. Полупроводниковые

Требования

В презентации нет, там только диаграмма какие вещества используются, но там ТОЛЬКО оксиды.

Ну и скорее всего стандартные требования – они д.б. оправданы экономически.

Требования к сенсорным полупроводниковым материалам и пути их синтеза.

Пути синтеза (относятся для диоксида олова, вполне возможно, что и для других полупроводников):

 Осаждение из растворов

 Золь – гель технология

 Гидротермальный метод

 Пиролиз

 Выращивание диоксида олова из пара монооксида олова

 Химическое парофазное осаждение

 Плазменные методы

 Физическое парофазное осаждение

Требования:

В полупроводниках валентная зона заполнена при О К полностью и отделена от зоны проводимости запрещенной зоной, ширина которой различна у различных полупроводников. Поэтому, для того чтобы в полупроводнике стала возможной электропроводность, электроны из валентной зоны или с примесных донорных уровней в запрещенной зоне должны быть «заброшены» в зону проводимости, а также на созданные легированием акцепторные уровни в запрещенной зоне. В последнем случае носителями заряда становятся положительно заряженные «дырки» в валентной зоне.

Соседние файлы в папке Лекция 8