1 и 2 контрольная / 2012 - 1кр / 1 вариант-2012
.doc1 вариант (1 контрольная)
1 вариант (1 контрольная)
1. Причина возникновения центров нуклеации в растворах:
а - ΔG < 0,
б - флуктуаций концентрации,
в - резкое снижение межфазного натяжения,
г - резкое изменение плотности раствора.
2. При гомогенной изотропной кристаллизации радиус критических зародышей с увеличением температуры в системе:
а - уменьшается, б - увеличивается,
в - не зависит, г - в разных системах по-разному.
3. При анизотропной кристаллизации потенциальный барьер образования центров нуклеации по сравнению с изотропной кристаллизацией:
а - такой же, б - ниже,
в - выше, г - в разных системах по-разному.
4. В соответствии с правилом Вант-Гоффа: при увеличении произведения валентностей составляющих соль ионов максимальное пересыщение растворов:
а - уменьшается, б - увеличивается,
в - не зависит, г - для разных солей по-разному.
5. Как примеси в растворе влияют на скорость образования центров кристаллизации:
а - уменьшают, б - увеличивают,
в - не влияют, г - зависит от типа примеси.
6. Диффузионная теория роста кристаллов может быть использована, если:
а - скорость включения молекул в кристаллическую решетку << скорости диффузии вещества из объема раствора к поверхности растущего кристалла,
б - скорость включения молекул в кристаллическую решетку >> скорости диффузии вещества из объема раствора к поверхности растущего кристалла,
в - скорость включения молекул в кристаллическую решетку ≈ скорости диффузии вещества из объема раствора к поверхности растущего кристалла,
г - растущий кристалл имеет определенный тип кристаллической решетки.
7. Молекулярно-кинетическая теория, в частности модель Косселя-Странского, описывает построение:
а - идеального кристалла,
б - неидеального кристалла,
в - кристалла с поверхностными дефектами,
г - неидеального кристалла, но только при постоянной температуре.
8. Как скорость роста кристаллов зависит от скорости перемешивания раствора (лимитирующая стадия - диффузия вещества к поверхности кристалла):
а - проходит через максимум,
б - проходит через минимум,
в - увеличивается,
г - уменьшается.
9. При проведении кристаллизации высаливанием добавляемое вещество:
а - снижает растворимость кристаллизующегося соединения,
б - уменьшает степень гидратации кристаллизующегося соединения,
в - молекулы высаливающего вещества покрываются гидратной оболочкой, тем самым, снижая гидратацию кристаллизующегося соединения,
г - возможно действие всех трех факторов (а) + (б) + (в).
10. Дисперсии сферических наночастиц золота размером 10-20 нм имеют окраску:
а - синюю,
б - зеленую,
в - желтую,
г - красную.
11. В методе Туркевича в качестве восстановителя используется:
а - оксалат натрия,
б - ацетат натрия,
в - цитрат натрия,
г - карбонат натрия.
12. При использовании метода Браста для синтеза наночастиц золота в качестве переносчика и стабилизатора используется:
а - сорбитанолеат,
б - полиэфиры глицерина и олеиновой кислоты,
в - диэтилгексилсульфосукцината Na,
г - тетраоктиламмонийбромид.
13. Для роста наностержней золота необходимы:
а - предварительно синтезированные НЧ серебра,
б - предварительно синтезированные НЧ золота,
в - предварительно синтезированные НЧ любого другого металла,
г - ничего не надо, рост наностержней золота протекает самопроизвольно.
14. Более мелкие магнитные наночастицы образуются при синтезе в:
а - в водной среде без ПАВ,
б - в водной среде с ПАВ,
в - органической фазе без ПАВ,
г - органической фазе с ПАВ.
15. При синтезе полупроводниковых наночастиц по методу контролируемой нуклеации рост наночастиц прекращают:
а - резким снижением температуры реакционной смеси,
б - введением добавок специальных веществ,
в - сменой растворителя,
г - все три варианта (а) + (б) + (в).
16. В методе молекулярных прекурсоров при синтезе полупроводниковых наночастиц получается более узкое распределение НЧ по размерам при:
а - низкой концентрации мономеров,
б - высокой концентрации мономеров,
в - не зависит от концентрации мономеров, так как всегда протекает Оствальдово созревание,
г - зависит от типа синтезируемого полупроводника.
17. Нанесение оболочки SiO2:
а - увеличивает устойчивость дисперсий за счет образования гелеобразного слоя на поверхности наночастиц,
б - увеличивает устойчивость дисперсий за счет электростатической стабилизации,
в - два фактора (а) + (б),
г - ни один из этих факторов.
18. Оболочка SiO2 состоит из:
а - только линейных полимеров,
б - из линейных и разветвленных полимеров,
в - из циклических полимеров,
г - из линейных, разветвленных и циклических полимеров.
19. Из-за высокой кривизны поверхности наночастиц металлов и оксидов металлов формирование оболочки SiO2 проводят в две стадии:
а - нанесение тонкого слоя в растворе тетраалкилсиликата, затем толстого слоя - в растворе силиката натрия,
б - нанесение тонкого слоя в растворе силиката натрия, затем толстого слоя - в растворе тетраалкилсиликата,
в - нанесение толстого слоя в растворе силиката натрия, затем модификация его поверхности - в растворе тетраалкилсиликата,
г - нанесение толстого слоя в растворе тетраалкилсиликата силиката натрия, затем модификация его поверхности - в растворе силиката натрия.
20. При синтезе полых структур, состоящих из Ag и Au, растворяется элемент:
а - с более низким стандартным электродным потенциалом,
б - с более высоким стандартным электродным потенциалом,
в - у которого более высокая растворимость в водной фазе,
г - у которого более низкая степень окисления.