53 Нормоконтроль технологической документации. Правила заполнения комплекта тд.
При серийном производстве и маршрутно-операционном типе технологического процесса комплект ТД включает:
1) титульный лист (ГОСТ 3.1104‑81);
2) ведомость технологических документов (ГОСТ 3.1121‑84, форма 4);
3) комплектовочную карту (ГОСТ 3.1123‑84, форма 6 и 6а);
4) маршрутные карты (ГОСТ 3.1118‑84 формы 1 и 1а);
5) ведомость оснастки (ГОСТ 3.1122‑84 формы 2 и 2а).
При крупносерийном или массовом производстве и операционном типе технологического процесса комплект ТД дополнительно включает:
1) операционную карту сборки (ГОСТ 3.1407-82, форма 3 и 3а);
2) карту эскизов (ГОСТ 3.1105-84 формы 5 и 5а).
Общие правила оформления ТД
Каждому разработанному технологическому документу присваивается самостоятельное обозначение. Согласно ГОСТ 3.1201-85, установлена следующая структура обозначения документа
Правила оформления ТД
Технологические документы заполняются, как правило, с помощью печатных устройств по ГОСТ 2.004‑88 шрифтом 11-12 pt.
Наименования разделов и подразделов записывают в виде заголовков и подзаголовков и, при необходимости, подчеркивают. Под заголовками и между разделами следует оставлять 1-2 свободные строки. Запись данных производят в технологической последовательности выполнения операций, переходов, приемов работ, физических и химических процессов.
Операции нумеруют числами ряда арифметической прогрессии (5, 10, 15 и т.д.). Допускается к числам добавлять слева нули. Переходы нумеруют числами натурального ряда (1, 2, 3 и т.д.) в пределах данной операции. Установы нумеруют прописными буквами русского алфавита (А, Б, В и т.д.).
Размерные характеристики и обозначение обрабатываемых поверхностей указывают арабскими цифрами .
54 Перспективы развития технологии рэс. Cals технологии, нанотехнологии. Открытие мемристора.
CALS (Continuous Acquisition and Lifecycle Support) – непрерывная информационная поддержка жизненного цикла продукта. Внедрение CALS на предприятии обычно предполагает: - полное реформирование процессов на предприятии, включая проектирование, конструирование, подготовку производства, закупки, производство, управление производством, материально-техническое снабжение, сервисное обслуживание; - использование современных информационных технологий; - совместное использование данных, полученных на различных стадиях жизненного цикла продукта; - применение международных стандартов в области информационных технологий в целях интеграции, совместного использования информации и управления ею. Используемые при этом технологии анализа и реинжиниринга бизнес- процессов (BPR), хранения и управления данными о продукте (PDM) и др. объединены понятием CALS-технологий.
Нанотехнологии
Нанотехнологии использовать наноструктур материал( покрытия, паяльная паста)
Повышая твердость материал, изменение температуры плавления материала от размеры наночастиц.
Использование нанометериала из наночастиц, обладают уникальным свойствами
Нанотрубка: 1-10 нм сток исток
затвор
наноприемники радиосигналов
А
Наноматериалы могут обеспечить значительно большую удельную емкость встроенных конденсаторов: с 10 до 100nF/in2 в диапазоне рабочих температур от 25 до 100 С, низкое сопротивление проводящих материалов: от 10-4 до 10-6 Ом·см. Полимеры, модифицированные нанокерамическими зернами , имеют более низкую диэлектрическую проницаемость в диапазоне 5,41- 2, 03.
Открытие мемристора.
Схематическое изображение «перекрестной» структуры мемристора. Между платиновыми проводниками (толщиной 2-3 нм, шириной – 40-50 нм) располагается, т. н. «переключатель» из двух слоев диоксида-титана TiO2 (переменной толщиной 3-30 нм) – обычного и обедненного кислородом.
Сопротивление мемристора можно существенно (на три порядка) изменять, пропуская через него ток. Изменение сопротивления эквивалентно переключению между единичным и нулевым состоянием, что и наделяет новый элемент свойством памяти. Важно, что энергия затрачивается только в момент переключения.
Мемристор (англ. memristor, от memory — «память», и resistor — «электрическое сопротивление») — пассивный элемент в микроэлектронике, способный изменять свое сопротивление.
Работа устройства обеспечивается за счет химических превращений в тонкой (5 нм) двухслойной пленке двуокиси титана. Один из слоев пленки слегка обеднен кислородом, и кислородные дырки мигрируют между слоями под действием приложенного к устройству электрического напряжения. Данную реализацию мемристора следует отнести к классу наноионных устройств.