Оперативная память. Задачи и виды модулей оперативной памяти
Оперативная память - это временная память компьютера, которая работает при включенном состоянии компьютера и которая нужна для нормальной работы программ и процессов. Как только вы выключаете компьютер или перезагружаете, оперативка стирается (грамотно говорить - обнуляется).
Типы памяти
FPM DRAM (SIMM)
FPM (Fast Page Mode) — вид динамической памяти. Его название соответствует принципу работы, так как модуль позволяет быстрее получать доступ к данным, которые находятся на той же странице, что и данные, переданные во время предыдущего цикла. Эти модули использовались на большинстве компьютеров с процессорами 486 и в ранних системах с процессорами Pentium, ориентировочно в 1995 году.
EDO DRAM (SIMM)
Модули EDO (Extended Data Out) появились в 1995 году как новый тип памяти для компьютеров с процессорами Pentium. Это модифицированный вариант FPM. В отличие от своих предшественников, EDO начинает выборку следующего блока памяти в то же время, когда отправляет предыдущий блок центральному процессору. BEDO (Burst) – расширенное время удержание данных на выходе с блочным доступом
SDR SDRAM (DIMM)
SDRAM (Synchronous DRAM) — вид памяти со случайным доступом, работающий на столько быстро, чтобы его можно было синхронизировать с частотой работы процессора, исключая режимы ожидания. Микросхемы разделены на два блока ячеек так, чтобы во время обращения к биту в одном блоке шла подготовка к обращению к биту в другом блоке. Если время обращения к первой порции информации составляло 60 нс, все последующие интервалы удалось сократить до 10 нс. Начиная с 1996 года большинство чипсетов Intel стали поддерживать этот вид модулей памяти, сделав его очень популярным вплоть до 2001 года. SDRAM может работать на частоте 133 МГц, что почти в три раза быстрее, чем FPM и в два раза быстрее EDO. Большинство компьютеров с процессорами Pentium и Celeron, выпущенных в 1999 году использовали именно этот вид памяти.
RAMBUS DRAM (RIMM)
RAMBUS (RIMM) — это вид памяти, который появился на рынке в 1999 году. Он основан на традиционной DRAM но с кардинально измененной архитектурой. Дизайн RAMBUS делает обращение к памяти более «разумным», позволяя получать предварительный доступ к данным, немного разгружая центральный процессор. Основная идея, использованная в этих модулях памяти, заключается в получении данных небольшими пакетами но на очень высокой тактовой частоте. Например, SDRAM может передавать 64 бит информации при частоте 100 МГц, а RAMBUS — 16 бит при частоте 800 МГц. Эти модули не стали успешными, так как у Intel было много проблем с их внедрением. Модули RDRAM появились в игровых консолях Sony Playstation 2 и Nintendo 64.
DDR SDRAM (DIMM)
DDR (Double Data Rate) стал развитием SDRAM. Этот вид модулей памяти впервые появился на рынке в 2001 году. Основное отличие между DDR и SDRAM заключается в том, что вместо удвоения тактовой частоты для ускорения работы, эти модули передают данные дважды за один такт. Сейчас это основной стандарт памяти, но он уже начинает уступать свои позиции DDR2. Напряжение питания ячеек – 2,5 В.
DDR2 SDRAM (DIMM)
DDR2 (Double Data Rate 2) — более новый вариант DDR, который теоретически должен быть в два раза более быстрым. Впервые память DDR2 появилась в 2003 году, а чипсеты, поддерживающие ее — в середине 2004. Эта память, также как DDR, передает два набора данных за такт. Основное отличие DDR2 от DDR — способность работать на значительно большей тактовой частоте, благодаря усовершенствованиям в конструкции. Но измененная схема работы, позволяющая добиться высоких тактовых частот, в то же время увеличивает задержки при работе с памятью. По внешнему виду отличается от DDR числом контактов: увеличилось с 184 до 240. Напряжение питания ячеек – 1,8 В.
DDR3 SDRAM (DIMM)
DDR3 SDRAM (синхронная динамическая память с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных, третье поколение) — это тип оперативной памяти, используемой в вычислительной технике в качестве оперативной и видео-памяти. Пришла на смену памяти типа DDR2 SDRAM. У DDR3 уменьшено на 40 % потребление энергии по сравнению с модулями DDR2, что обусловлено пониженным (1,5 В, по сравнению с 1,8 В для DDR2 и 2,5 В для DDR) напряжением питания ячеек памяти. Снижение напряжения питания достигается за счёт использования 90-нм (вначале, в дальнейшем 65-, 50-, 40-нм) техпроцесса при производстве микросхем и применения транзисторов с двойным затвором Dual-gate (что способствует снижению токов утечки). Модули DIMM с памятью DDR3 механически не совместимы с такими же модулями памяти DDR2 (ключ расположен в другом месте), поэтому DDR2 не могут быть установлены в слоты под DDR3 (это сделано с целью предотвращения ошибочной установки одних модулей вместо других - эти типы памяти не совпадают по электрическим параметрам). DDR3-1600 (высшая скорость JEDEC) – широко доступна, и все больше производителей уже предлагают DDR3-1800. DDR3-2000 – уже в продаже. JEDEC – Joint Electron Device Engineering Council – Объединённый инженерный совет по электронным устройствам
DDR 4
DDR 4 достигает скорости до 34,1 Гбайт/с и потребляет меньше энергии, чем DDR3L (DDR3 с пониженным напряжением), обеспечивая до 50% роста производительности и скорости, а также снижая энергопотребление всей вычислительной среды (до 2666 МГц).
Позволяет экономить до 40% энергии
DDR4 также выполняет циклические проверки с избыточностью (CRC) для обеспечения повышенной надежности хранения данных
Имеет встроенную функцию контроля нарушения четности для проверки целостности передачи команд и адресов
Обеспечивает повышенную целостность сигнала и другие функции RAS
Визуальные отличия:
Разница в установочных пазах
Увеличенная толщина