Отчёт по практической работе

«Изучение математических моделей полупроводникового диода»

Выполнил: ст. гр. 821701 Омельченко Юрий

7 вариант

1. Исходные значания:

   U, B	I, mA
   0,10	0,062×10-3
   0,15	0,680×10-3
   0,20	5,700×10-3
   0,25	0,025
   0,30	0,058
   0,35	0,097
   0,40	0,140
   0,45	0,184
   0,50	0,230
   0,55	0,270
   0,60	0,320

2. График по данным

3. График с логарифмической шкалой

Обратный ток насыщения:

I₀ = 0,4 × 10^-6 мА;

Последовательное сопротивление диода:

I₂ = 0,5 мА;

ΔU₀ = 0,33 В;

r_s = 0,33 / 0,5 = 0,66 Ом

Коэффициент неидеальности ВАХ:

т.к. ∆ log₁₀(I₁) = 1, то

ΔU₁ = 0,05 В;

n = 16,78 × 0,05 = 0,84

4. Графики ВАХ из MathCAD

Id - идеальной по выражению

;

IDC – экспериментальной;

IDCn - теоретической с учетом rs

­Анализ:

Первое выражение адекватно описывает ВАХ реального диода только в области малых токов, а с помощью последнего выражения можно получить полное описание всей ВАХ диода.

IDC - экспериментальной;

IDCopt – теоретической, с оптимальными значениями параметров.

Анализ:

После проведения оптимизации уменьшилась величина среднеквадратического отклонения SSE. ВАХ диода с оптимальными параметрами лучше аппроксимирует экспериментальную ВАХ.

5. Вычисленные значения из MathCAD

Рассчитанные значения параметров модели:

Значения параметров модели после оптимизации;