Учреждение образования

Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники

Кафедра электроники

Отчёт по практической работе №3

«Исследование ключевых схем

на биполярных транзисторах»

Вариант 7

Выполнил:	Ст. гр. 821701 Омельченко Ю. М.
Проверила:	Зайцева И. Е.

Минск 2011

1. Исходные данные

• Данные для расчёта элементов принципиальной схемы насыщенного ключа на БТ и его параметров:

Длительность импульса = 5 мкс;

Период повторения T = 10 мкс;

Минимальный уровень входного импульса U_вхзап= 0 В;

Амплитуда напряжения входного импульса определяется величиной порогового напряжения единицы U_{вх m} =1,1⋅ U_1пор.

• Принципиальная схема электронного ключа на БТ с ОЭ – (а) и

его эквивалентная схема – (б):

• Параметры БТ:

2. Практическая часть (инженерный расчёт параметров)

3. Практическая часть (анализ рассчитанного усилителя)

Рис.1: Принципиальная схема электронного ключа на БТ с ОЭ.

Рис.2: Зависимость коллекторного напряжения транзистора от напряжения V1.

Рис.3: Форма выходного напряжения ключа.

4. Влияние емкости нагрузки C_н на форму выходного сигнала

Рис.4: Форма Uвых ключа при уменьшении и увеличении ёмкости нагрузки вдвое.

Увеличение емкости конденсатора увеличивает время включения.

Зависимость примерно линейная (с увеличением в 2 раза – время также увеличилось в 2 раза). Особенно это заметно для времени фронта.

На время выключения изменение ёмкости почти не отразилось. Это также видно из формул, по которым производился расчёт.

5. Выводы

Данные по машинному и ручному расчётам – сильно расходятся. Возможно, это связанно с тем, что при составлении схемы, чтобы обеспечить необходимое падение напряжения на базе, мы поменяли направление включения ЭДС, а при расчёте – это не учитывалось. Также исходные данные не позволяли построить теоретически приемлемую выходную характеристику.

Мною был произведен ручной и механический расчёт схемы электронного ключа. Получены новые навыки работы с OrCAD и в понимании принципов анализа параметрических электронных схем.