сборка лаб / Лаба4 / Отчет(эп)4 / Отчет(эп)4
.docМинистерство образования республики Беларусь
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Лабораторная работа №4:
«Исследование ключевых схем»
Выполнила: Проверил:
студентка группы 051002 Дунаева Г.П.
Корнева Светлана
Минск, 2002 г.
-
Исследование передаточных характеристик насыщенного ключа:
-
Схема установки
-
Рис.1. Схема ключа на биполярном транзисторе (насыщенный ключ).
-
Исследования влияние параметров элементов схемы на передаточные характеристики ключа.
а) Rг=4,8 кОм Rб=4,7 кОм Rк=1,2 кОм Uсм=-5В Uип=10В
|
Uвх |
0 |
5,6 |
6,5 |
6,8 |
7,0 |
7,3 |
7,5 |
7,7 |
8,1 |
9,1 |
|
Uвых |
10,0 |
9,8 |
8,0 |
6,4 |
5,5 |
4,5 |
3,4 |
2,5 |
1,1 |
0,1 |
б) Rг=4,8 кОм Rб=10 кОм Rк=1,2 кОм Uсм=-5В Uип=10В
|
Uвх |
0 |
3,0 |
3,8 |
4,3 |
4,7 |
5,1 |
5,5 |
6,0 |
|
Uвых |
10,3 |
10,0 |
8,5 |
6,8 |
5,0 |
3,5 |
1,9 |
0,2 |
в) Rг=4,8 кОм Rб=10 кОм Rк=2,2 кОм Uсм=-5В Uип=10В
|
Uвх |
0 |
2,7 |
3,5 |
3,9 |
4,3 |
4,6 |
4,9 |
5,4 |
|
Uвых |
10,3 |
10,1 |
8,4 |
7,0 |
5,1 |
3,1 |
1,1 |
0,1 |
-
Графики исследования:
-
Исследования влияние смещения на параметры ключа:
а) Rг=1,3 кОм Rб=4,7 кОм Rк=1,2 кОм Uсм=-8В Uип=10В
|
Uвх |
0 |
2,4 |
2,7 |
2,9 |
3,0 |
3,1 |
3,3 |
3,7 |
|
Uвых |
10,3 |
10,0 |
8,5 |
6,6 |
4,9 |
3,8 |
1,5 |
0,1 |
б) Rг=4,8 кОм Rб=4,7 кОм Rк=1,2 кОм Uсм=-2В Uип=10В
|
Uвх |
0 |
2,5 |
3,4 |
3,8 |
4,4 |
5,1 |
5,4 |
6,1 |
|
Uвых |
10,3 |
10,1 |
8,7 |
7,6 |
5,3 |
2,5 |
1,2 |
0,1 |
в) Rг=4,8 кОм Rб=4,7 кОм Rк=1,2 кОм Uсм=-5В Uип=10В
|
Uвх |
0 |
5,4 |
6,2 |
6,8 |
7,1 |
7,6 |
8,1 |
9,1 |
|
Uвых |
10,3 |
10,0 |
8,8 |
6,9 |
5,3 |
2,5 |
1,2 |
0,1 |
г) Rг=4,8 кОм Rб=4,7 кОм Rк=1,2 кОм Uсм=-8В Uип=10В
|
Uвх |
0 |
8,0 |
8,8 |
9,4 |
9,9 |
10,2 |
10,4 |
10,8 |
11,8 |
|
Uвых |
10,3 |
10,0 |
8,7 |
6,7 |
4,6 |
3,4 |
2,6 |
1,1 |
0,1 |
-
Графики исследования:
-
Исследование влияние напряжения питания на характеристики ключа.
а) Rг=4,8 кОм Rб=10 кОм Rк=2,2 кОм Uсм=-5В Uип=8В
|
Uвх |
0 |
3,0 |
3,8 |
4,0 |
4,3 |
4,7 |
4,7 |
|
Uвых |
4,4 |
4,1 |
3,0 |
2,3 |
1,6 |
0,6 |
0,1 |
б) Rг=4,8 кОм Rб=10 кОм Rк=2,2 кОм Uсм=-5В Uип=10В
|
Uвх |
0 |
2,9 |
3,9 |
4,4 |
4,8 |
5,7 |
|
Uвых |
5,6 |
5,4 |
3,9 |
2,5 |
1,1 |
0,1 |
в) Rг=4,8 кОм Rб=10 кОм Rк=2,2 кОм Uсм=-5В Uип=12В
|
Uвх |
0 |
2,8 |
3,6 |
4,4 |
4,7 |
5,1 |
5,6 |
|
Uвых |
6,5 |
6,3 |
5,4 |
3,0 |
2,2 |
0,9 |
0,1 |
-
Графики исследования:
-
Исследование передаточных характеристик электронных ключей на полевом транзисторе с управляющим p-n-переходом и резисторной нагрузкой в цепи стока.
-
Схема установки:
-
Рис. 2. Ключ на полевом транзисторе с резисторной нагрузкой.
-
Исследование влияние параметров сопротивления в цепи стока на передаточные характеристики ключа
а) Rс=2,2кОм Rн=∞ Uип=10В
|
Uвх |
0 |
-1,7 |
-1,7 |
-2,0 |
-2,2 |
-2,3 |
-2,5 |
-2,7 |
-3,4 |
|
Uвых |
0,5 |
1,2 |
1,4 |
3,0 |
4,6 |
6,3 |
7,9 |
9,2 |
10,1 |
б) Rс=3,0кОм Rн=∞ Uип=10В
|
Uвх |
0 |
-2,1 |
-2,3 |
-2,4 |
-2,5 |
-2,6 |
-2,7 |
-3,8 |
|
Uвых |
0,6 |
1,9 |
3,2 |
4,7 |
6,7 |
7,8 |
8,8 |
9,9 |
в) Rс=2,2кОм Rн=2,2кОм Uип=10В
|
Uвх |
0 |
-2,0 |
-2,4 |
-2,7 |
-3,0 |
|
Uвых |
0,5 |
0,7 |
2,4 |
3,6 |
4,2 |
г) Rс=3,0кОм Rн=2,2кОм Uип=10В
|
Uвх |
0 |
-2,0 |
-2,1 |
-2,3 |
-2,4 |
-3,5 |
-7,3 |
|
Uвых |
1,0 |
1,9 |
2,6 |
3,7 |
4,1 |
5,4 |
5,4 |
-
Графики исследования:
-
Исследование влияние напряжения питания на передаточную характеристику.
а) Rс=3,0кОм Rн=∞ ип=8В
|
Uвх |
0 |
-1,9 |
-2,2 |
-2,4 |
-2,5 |
-2,6 |
-2,8 |
-3,4 |
|
Uвых |
0,4 |
0,5 |
1,4 |
3,6 |
4,1 |
5,7 |
7,2 |
7,8 |
б) Rс=3,0кОм Rн=∞ Uип=10В
|
Uвх |
0 |
-1,9 |
-2,2 |
-2,3 |
-2,5 |
-2,7 |
-3,5 |
|
Uвых |
0,6 |
1,0 |
2,3 |
4,2 |
6,4 |
8,4 |
10,0 |
в) Rс=3,0кОм Rн=∞ Uип=12В
|
Uвх |
0 |
-2,0 |
-2,2 |
-2,2 |
-2,3 |
-2,4 |
-2,6 |
-2,8 |
-3,7 |
|
Uвых |
0,7 |
1,6 |
3,9 |
4,4 |
6,1 |
7,1 |
9,4 |
10,8 |
12,0 |
-
Графики исследования: