сборка лаб / Лаба1 / (лаба №1) / (лаба №1)

Белорусский Государственный Университет

Информатики и Радиоэлектроники

Кафедра электроники

ОТЧЁТ

по лабораторной работе №1

“Исследование полупроводниковых диодов”

Выполнил: Проверил:

Минск 2004

Цель работы:

1. Изучить устройство, принцип действия, систему обозначений, параметры и характеристики полупроводниковых диодов, области их применения.

2. Экспериментально исследовать вольт-амперные характеристики (ВАХ) диодов, указанных в карточке задания, и рассчитать по измеренным характеристикам их требуемые параметры

3. Научиться проводить электрические испытания элементной базы электроники и грамотно оформлять протоколы электрических испытаний

. 1. Расчётные формулы:

1. — Теоретическая вольт-амперная характеристика

диода. Где — температурный

потенциал, равный 26мВ при Т = 300К; —

обратный ток насыщения.

2. — Реальная вольт-амперная характеристика

с учётом суммарного сопротивления

базы, омических контактов и выводов

диода .

3. — Прямое сопротивление диода постоянному току.

4. — Обратное сопротивление диода постоянному току.

5. — Прямое дифференциальное сопротивление

6. — Обратное дифференциальное сопротивление

7. — Дифференциальное сопротивление стабилитрона

7. — Статическое сопротивление стабилитрона

2. Схема установки:

Схема диода:

3. Результаты измерений.

1. Выпрямительный диод

Тип диода—FR157

Таблица 1

Прямое	Прямое	Обратное	Обратное
U,B	I, mA	U,B	I, mA
0.2	0	Обратная ветвь не регистрируется (не позволяет прибор)
0.4	2
0.54	4
0.56	6
0.62	8

2. Импульсный диод

Тип диода—1Д507А

Таблица 2

Прямое	Прямое	Обратное	Обратное
U, B	I, mA	U, B	I, mA
0.2	0.15	6,8	0.001
0.3	1
0.4	4.5	8,9	0.0015
0.44	8

3. Стабилитрон

Тип диода—KC156A

Таблица 3

Прямое	Прямое	Обратное	Обратное
U,B	I, mA	U,B	I, mA
0.2	0	1	0.002
0.3	0	2	0.07
0.4	0.2
0.5	5.8	2.015	0.091
0.7	8

4. ВАХ полученные по результатам проведения измерения:

Iпр, mA

КС156А

10 10

Iпр, mA

КС210Б

Uпр, B

Uпр,B

Uобр, B

9 10

Uобр, B

9 10

10

5

0.7

Iобр,mA

10

Iобр, mA

Рис.1 КС156А Рис.2 КС210Б

10

5

. Параметры диодов:

Таблица 4

Тип	Uобр,В	Uпр		Iпр,mА	Iобр при Uобр макс, мкА
		В	При Iпр,мА
FR157	800	1,4	1,7	1,7	50
КД507А	20	0,5	5	16(100)	50

Параметры диодов

Таблица 5

Тип	Uст			Rст	При Iст,мА	Iст мин МА	Iст макс мА	Pмакс мВ
	В	U,В	При Iпр,мА
КС156А	5,6	0,6	10	100	5	3	55	150

6. Рассчитанные параметры приведены в таблицах 6 и 7

Таблица 6

Тип п/п диодов Параметры	KД226	1Д507A
Rпр.Ом	77.5	55
Rдиф пр.Ом	73	42.5

Параметры стабилитрона:

Таблица 7

	Rпр,Ом	Rдиф пр,Ом	Rо,Ом	R,ст.Ом
КС156А	87,5	81	1120	11,54

Теоретическая ВАХ диода:

Iобр, mkA

Iпр, mA

0.7

Uобр, B

Uпр, B

5

Iобр, mkA

В

ывод:

Изучили устройство, принцип действия, систему обозначений, параметры и характеристики полупроводниковых диодов, области их применения. Экспериментально исследовали вольт-амперные характеристики (ВАХ) диодов, указанных в карточке задания, и рассчитали по измеренным характеристикам их требуемые параметры и построили ВАХ.

Выяснили что экспериментальная ВАХ и теоретическая отличаются что обусловлено не учтенной генерацией носителей зарядов в переходе, а также критическим напряжением пробоя и примесными свойствами полупроводникового материала.