сборка лаб / Лаба1 / ЭП №1 HarleY / ЭП №1 HarleY

Белорусский Государственный Университет

Информатики и Радиоэлектроники

Кафедра электроники

ОТЧЁТ

по лабораторной работе №1

“Исследование полупроводниковых диодов”

Выполнил: Проверил:

Студент гр.020603 Дрюк Л. С.

Дашковский Е.С.

Минск 2002г.

Цель работы:

1. Изучить устройство, принцип действия, систему обозначений, параметры и характеристики полупроводниковых диодов, области их применения.

2. Экспериментально исследовать вольт-амперные характеристики (ВАХ) диодов, указанных в карточке задания, и рассчитать по измеренным характеристикам их требуемые параметры.

1.2. Расчётные формулы:

1. — Теоретическая вольт-амперная характеристика диода.

Где — температурный потенциал, равный 26мВ при Т = 300К;

— обратный ток насыщения.

2. — Реальная вольт-амперная характеристика с учётом суммарного сопротивления базы, омических контактов и выводов диода .

3. — Прямое сопротивление диода постоянному току.

4. — Обратное сопротивление диода постоянному току.

5. — Прямое дифференциальное сопротивление

6. — Обратное дифференциальное сопротивление

7. — Дифференциальное сопротивление стабилитрона

8. — Статическое сопротивление стабилитрона

2.1. Схема установки:

Схема диода:

3.1 Результаты измерений.

Тип диода—FR157

Таблица 1

Прямое	Прямое	Обратное	Обратное
U,B	I, mA	U,B	I, mA
0.44	1	Обратная ветвь не регистрируется (не позволяет прибор)
0.5	2
0.53	3
0.54	4
0.56	5
0.57	6
0.58	7
0.58	8
0.59	9
0.6	10

Тип диода—1Д507А

Таблица 2

Прямое	Прямое	Обратное	Обратное
U, B	I, mA	U, B	I, mA
0.27	1	2.2	0.01
0.31	2	2.8	0.02
0.34	3	3.4	0.03
0.36	4	4	0.04
0.38	5	4.6	0.05
0.39	6	5.2	0.06
0.41	7	5.6	0.07
0.42	8	6.1	0.08
0.43	9	6.7	0.09
0.44	10	7.1	0.1

Тип диода---КД521Б

Таблица 3

Прямое	Прямое	Обратное	Обратное
U,B	I, mA	U,B	I, mA
0.54	1	Обратная ветвь не регистрируется (не позволяет прибор)
0.57	2
0.6	3
0.61	4
0.62	5
0.63	6
0.64	7
0.64	8
0.65	9
0.66	10

Тип диода—KC156A(СТАБИЛИТРОН)

Таблица 4

Прямое	Прямое	Обратное	Обратное
U,B	I, mA	U,B	I, mA
0.6	1	Umin = 4.8	3
0.62	2
0.63	3
0.64	4
0.64	5
0.65	6	Umax = 5.6	10
0.66	7
0.66	8
0.66	9
0.67	10

Тип диода—КС210Б (СТАБИЛИТРОН)

Таблица 5

Прямое	Прямое	Обратное	Обратное
U,B	I, mA	U,B	I, mA
Измерение параметров стабилитрона на прямой ветви не требуется		Umin = 9.2	3
		Umax = 9.4	14

ВАХ полученные по результатам проведения измерения:

Iпр, mA

КС156А

10 10

Iпр, mA

КС210Б

Uпр, B

Uпр,B

Uобр, B

9 10

Uобр, B

9 10

10

5

0.7

Iобр,mA

10

Iобр, mA

Рис.1 КС156А Рис.2 КС210Б

10

Рис. 3 FR157, 1Д507А, КД521Б

Параметры диодов:

Тип	Uст			Rст	При Iст,мА	Iст мин МА	Iст макс мА	Pмакс мВ
	В	U,В	При Iпр,мА
КС210Б	10	0,7	5	22	5	3	14	125
КС156А	5,6	0,6	10	100	5	3	55	150

Тип	Uобр,В	Uпр		Iпр,mА	Iобр при Uобр макс, мкА
		В	При Iпр,мА
FR157
КД521Б	60(65)	1	50	50(500)	1
КД507А	20	0,5	5	16(100)	50

Рассчитанные параметры приведены в таблице 6 и 7

Таблица 6

Тип п/п диодов Параметры	FR157	1Д507A	KД521Б
Rпр.Ом	72.5	52.5	80
Rдиф пр.Ом	72	40.5	78

Параметры стабилитрона:

Таблица 7

	Rпр,Ом	Rдиф пр,Ом	Rо,Ом	R,ст.Ом
КС210Б	Не проводили	Не проводили	2000	63,64
КС156А	82.5	81	1120	11,54

Теоретическая ВАХ диода:

Iпр, mA

0.7

Uобр, B

Uпр, B

5

Iобр, mkA

Вывод: В результате опыта провели измерение, по полученным данным рассчитали характеристики диодов и построили ВАХ.

Выяснили, что экспериментальная ВАХ и теоретическая, отличаются что обусловлено не учтенной генерацией носителей зарядов в переходе, а также критическим напряжением пробоя и примесными свойствами полупроводникового материала.

6