сборка лаб / 1ЭП №3
.docМИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РЕСПУБЛИКИ БЕЛАРУСЬ
УЧРЕЖДЕНИЕ ОБРАЗОВАНИЯ
БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ
ИНФОРМАТИКИ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ
Кафедра электроники
ОТЧЕТ
по лабораторной работе №3
«Исследование полевых транзисторов»
Выполнил: |
Проверил: |
ст. гр. 642802, Петрушевич Р. В. |
Русакович А. А. |
Минск 2007
1. Цель работы:
-
Изучить структуру, принцип действия полевых транзисторов, а также область их применения.
-
Экспериментально исследовать статические характеристики и определить дифференциальные параметры полевых транзисторов.
2. Расчетные формулы:
- крутизна |
|
- внутреннее (дифференциальное) сопротивление |
|
- статистический коэффициент усиления |
3. Паспортные данные транзистора:
Таблица 1. Характеристики МДП транзистора КП-301Б
Канал транзистора |
S,мА/В |
,В |
,мВт |
,мА |
P-тип |
2.7 –5.4 |
200 |
15 |
Таблица 2. Характеристики транзистора КП-103Л
Канал транзистора |
S,мА/В |
,В |
PMAX, мВт |
,мА |
P-тип |
1,8 – 3,8 |
2 – 6 |
120 |
6,6 |
4. Схемы исследуемой установки:
Рис. 1. Схема с транзистором с управляющим p-n-переходом |
Рис. 2. Схема с МДП - транзистором с индуцированным каналом |
Результаты полученных измерений:
Таблица 3. Сток-затворная характеристика Iс = f(Uзи), Uси = 6В
, В |
, В |
, мкА |
6 |
управляющий p-n-переход |
|
0,4 |
10 |
|
1,4 |
6 |
|
2,2 |
3 |
|
2,7 |
1 |
|
3,2 (Uзи отс) |
0 |
|
индуцированный канал |
||
3,2 (Uзи пор) |
10 |
|
4,2 |
6 |
|
4,3 |
3 |
|
6,2 |
1 |
|
7,3 |
0 |
Таблица 4. Семейство выходных характеристик Iс = f(Uси), (рис. 1)
Uси, В |
0 |
0,1 |
0,3 |
0,5 |
1 |
3 |
10 |
Uзи = 0·Uзи отс Iс, мА |
0 |
0,7 |
2,2 |
3,6 |
7 |
14 |
16 |
Uзи = 0,3·Uзи отс Iс, мА |
0 |
0,5 |
1,6 |
2,5 |
4,7 |
7,4 |
8,8 |
Uзи = 0,6·Uзи отс Iс, мА |
0 |
0,3 |
0,8 |
1,3 |
2 |
2,7 |
6 |
Таблица 5. Семейство выходных характеристик Iс = f(Uзи), (рис. 2)
Uзи, В |
0 |
0,1 |
0,3 |
0,5 |
1 |
3 |
10 |
Uзи = 1,5·Uзи пор Iс, мА |
0 |
0,2 |
0,4 |
0,7 |
1,2 |
1,7 |
2,6 |
Uзи = 2,5· Uзи пор Iс, мА |
0 |
0,3 |
0,8 |
1,3 |
2,3 |
3,8 |
5,1 |
Uзи = 3,5· Uзи пор Iс, мА |
0 |
0,4 |
1 |
1,8 |
3,4 |
6,2 |
8 |
Рис. 3. Определение напряжения Uзи отс.
Рис. 4. Определение напряжения Uзи пор.
Рис. 5. Семейство выходных характеристик Iс = f(Uси)
Рис. 6. Семейство выходных характеристик Iс = f(Uзи)
Расчет дифференциальных параметров транзистора:
Вывод:
Изучили структуру, принцип действия полевых транзисторов, а также ознакомились с областью их применения, экспериментально исследовали статические характеристики и определили дифференциальные параметры полевых транзисторов.