Готовые отчёты по лабам 1-3 / лаба2эп
.docxМинистерство образования Республики Беларусь
Учреждение образования
«БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ
ИНФОРМАТИКИ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ»
Кафедра электроники
Отчёт по лабораторной работе № 2
ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
Выполнили студенты гр. XXXXXX Проверил:
Минск 2012
Цель работы:
Изучить структуру, принцип действия полевых транзисторов, а также область их применения.
Экспериментально исследовать статические характеристики и определить дифференциальные параметры полевых транзисторов.
Расчетные формулы:
- крутизна
- внутреннее
сопротивление
- статистический
коэффициент усиления
Паспортные данные транзистора
Характеристики 1
|
Канал транзистора |
S,мА/В |
|
|
|
|
КП303Д |
32,6 |
L8 |
200 |
20 |
,В
,мВт
,мАХарактеристики 2
|
Канал транзистора |
S,мА/В |
|
PMAX, мВт |
|
|
К176ЛП1 |
- |
- |
- |
10 |
,В
,мА
Схема транзистора:
Полученные характеристики IС = f(UЗИ):
|
UСИ =5 В |
|
|
UЗИ , В |
IС , мА |
|
0 |
2 |
|
0,1 |
1,5 |
|
0,2 |
1,2 |
|
0,4 |
0,6 |
|
0,6 |
0,3 |
|
0,8 |
0,05 |
|
1,25 |
0 |
1,25 В
Полученные характеристики IС = f(UСИ):
|
UЗИ = 0 В |
|
|
UСИ , В |
IС , мА |
|
0 |
0 |
|
0,2 |
0,5 |
|
0,5 |
1,2 |
|
0,8 |
1,6 |
|
1 |
1,9 |
|
5 |
2,1 |
|
UЗИ = 0,75 В |
|
|
UСИ , В |
IС , мА |
|
0 |
0 |
|
0,2 |
0,034 |
|
0,5 |
0,052 |
|
0,8 |
0,056 |
|
1 |
0,058 |
|
5 |
0,072 |
|
UЗИ = 0,375 В |
|
|
UСИ , В |
IС , мА |
|
0 |
0 |
|
0,2 |
0,2 |
|
0,5 |
0,4 |
|
0,8 |
0,42 |
|
1 |
0,46 |
|
5 |
0,54 |
График 1:
График 2:
График 3:
Рассчитаем дифференциальные параметры полевого транзистора с управляющим p-n-переходом в заданной рабочей точке:
Схема транзистора:
Полученные характеристики IС = f(UЗИ):
|
UСИ =5 В |
|
|
UЗИ , В |
IС , мА |
|
1,6 |
0,001 |
|
2 |
0,008 |
|
3 |
0,04 |
|
4 |
0,08 |
|
5 |
0,22 |
|
8 |
0,78 |
1,6 В
Полученные характеристики IС = f(UСИ)
График 1 График 2 График 3
|
UЗИ = 4 В |
|
|
UСИ , В |
IС , мА |
|
0 |
0 |
|
0,1 |
0,14 |
|
0,2 |
0,28 |
|
0,5 |
0,64 |
|
1 |
0,92 |
|
5 |
1,04 |
|
UЗИ = 5,6 В |
|
|
UСИ , В |
IС , мА |
|
0 |
0 |
|
0,1 |
0,22 |
|
0,2 |
0,4 |
|
0,4 |
0,9 |
|
1 |
2,3 |
|
5 |
2,8 |
|
UЗИ = 2,4 В |
|
|
UСИ , В |
IС , мА |
|
0 |
0 |
|
0,1 |
0,024 |
|
0,2 |
0,032 |
|
0,5 |
0,038 |
|
1 |
0,04 |
|
5 |
0,042 |
График 1:
График 2:
График 3:
Рассчитаем дифференциальные параметры полевого транзистора с управляющим p-n-переходом в заданной рабочей точке:
Вывод:
Мы изучили структуру, принцип действия полевых транзисторов, а также ознакомились с областью их применения, экспериментально исследовали статические характеристики и определили дифференциальные параметры полевых транзисторов.