Скачиваний:
40
Добавлен:
15.06.2014
Размер:
426.35 Кб
Скачать

Вариант 27

Задача №1

Рассчитать и построить ВАХ идеализированного кремниевого диода в пределах изменения напряжения от -5 до +0.7 В при Т=300К и обратном токе насыщения, равном I0 .

Значение теплового потенциала T kTq при Т=300К принять равным 0.026 В.

Определить дифференциальное rдиф и статическое сопротивление R0 диода для заданного

значения Uпр .

Исходные данные: I0 0.4(нА);Uпр 0.3(В).

Решение

 

qU

 

 

 

kT

 

, в котором величина

Расчет ВАХ проведем в соответствии с выражением I I0 e

 

1

 

 

 

 

I0 представляет тепловой ток p-n-перехода, называемый также током насыщения. Для комнатной температуры тепловой потенциал T kTq 0.026(В). Результаты расчета прямой ветви (U 0)

ВАХ представлены в табл. 1.1.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Табл. 1.1

Uпр , В

 

0

 

0.1

 

 

0.2

 

 

0.3

0.4

0.5

 

0.6

 

0.7

 

Iпр, А

 

0

 

1.83 10 8

 

8.76 10 7

 

4.1 10 5

1.92 10 3

0.09

 

4.21

 

197.06

 

Результаты расчета обратной ветви (U 0) ВАХ представлены в табл. 1.2.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Табл. 1.2

Uобр , В

 

0

 

 

 

-0.05

 

-0.1

-0.2

 

-1

 

 

 

-5

 

Iобр,

А

 

0

 

 

-3.42 10 10

 

-3.91 10 10

4 10 10

 

4 10 10

 

 

4 10 10

 

График прямой ветви (U 0) ВАХ изображен на рис. 1.1.

 

Iпр

 

 

 

 

 

 

 

200

 

 

 

 

 

 

 

 

150

 

 

 

 

 

 

 

dU

 

 

 

 

 

 

 

 

I(U) 100

 

 

 

 

 

 

 

А

50

 

 

 

 

 

 

 

 

0

0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7Uпр

 

 

 

 

 

 

 

 

dI

Рис. 1.1

График обратной ветви (U 0) ВАХ изображен на рис. 1.2.

1

Iобр

0

 

 

 

 

 

1 10 10

 

 

 

 

 

2 10 10

 

 

 

 

 

I(U)

 

 

 

 

 

3 10 10

 

 

 

 

 

4 10 10

 

 

 

 

 

5 10 10

4

3

2

1

Uобр

5

0

Рис. 1.2

Для определения дифференциального сопротивления диода Rдиф dUdI , выбрав на прямой

ветви вольт-амперной характеристики рабочую точку А (UA 0.68(В);IA 91(А)) и задав небольшое приращение напряжения U , получают приращение тока I (рис. 1.1). Тогда

r

dU

 

0.7 0.68

 

1.89 10 4 (Ом)

197.06 91

диф

dI

 

 

Изменение напряжения U и соответствующее ему изменение тока I можно найти, пользуясь расчетными значениями, сведенными в таблицу.

 

 

 

Аналитическое выражение для дифференциального сопротивления (сопротивления

переменному току) диода получим, взяв производную dU

из выражения для ВАХ диода

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

dI

 

 

 

qU

 

r kT

 

1

kT

0.026 2.85 10 4

 

I I

0

ekT

1

:

 

(Ом).

 

 

 

 

 

 

 

диф

q (I0

I)

qI

91

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Статическое сопротивление диода (сопротивления постоянномутоку) в рабочей точке А определяется как отношение напряжения в рабочей точке к току:

R0 UI 091.68 7.45 10 3(Ом).

Условие R0 rдиф - выполняется.

2

Задача №2

Стабилитрон подключен для стабилизации напряжения параллельно резистору RН , как

показано на рис. 1.3.

 

 

 

Известны

параметры стабилитрона Uст;Iстmin ;Iстmax и сопротивление

нагрузки RН .

Определите величину сопротивления ограничительного резистора

Rогр ,

если входное

напряжение Uвх

изменяется от Uвхmin 20(В)

до Uвхmax 30(В).

Будет

ли обеспечена

стабилизация во всем диапазоне изменения входного напряжения Uвх ?

Исходные данные: Iстmin 5(мА);Iстmax 30(мА);RН 1.5(кОм);Uст 10(В).

Rогр I0

+

Iст IН

Uвх

VD

RH Uвых =Uст

_

Рис. 1.3

Решение

Выберем средний ток стабилитрона из условия

Iст Iстmin 2Iстmax 5 230 20(мА)

Необходимая величина входного напряжения

Uвх

Uвхmin Uвхmax

 

 

20 30

25(В)

 

 

 

 

 

2

 

 

 

 

 

 

2

 

 

 

 

Ток нагрузки

 

 

 

 

I

H

 

Uст

 

10

 

6.67 10 3(A).

 

1.5 103

 

 

RH

 

 

 

 

При этом необходимая величина входного напряжения будет равна

Uвх Uст Rорг (IН Iст ).

Отсюда можно найти необходимую величину ограничительного резистора:

R

 

 

Uвх

Uст

 

 

 

25 10

 

621(Ом).

огр

IН

Iст

(6.67 20) 10 3

 

 

 

 

Границы допустимого диапазона изменения входного напряжения определяем, пользуясь

выражениями

 

 

 

 

 

 

 

 

 

10 (5 6.67) 10 3 621 17.24(В).

U

вхmin

U

ст

(I

стmin

I

Н

) R

 

 

 

 

 

огр

 

 

U

вхmax

U

ст

(I

стmax

I

Н

) R

10 (30 6.67) 10 3 621 32.76(В).

 

 

 

 

 

 

огр

 

 

Сравним с заданным диапазоном изменения входного напряжения.

Вывод: стабилизация напряжения осуществляется во всем диапазоне изменения входного напряжения.

3

Задача №3

Пользуясь справочными данными, приведите семейство входных и выходных характеристик БТ с ОЭ. В качестве независимых переменных используйте входное и выходное напряжение. Тип транзистора выберите в соответствии с шифром. Поясните поведение входных и выходных характеристик транзистора.

По справочнику установите максимально допустимые параметры БТ: постоянный ток коллектора IK max;напряжение коллектор-эмиттер Umax;мощность рассеиваемую коллектором

транзистора PK max . На семейство выходных характеристик нанести границы области

допустимых режимов работы.

Задайтесь положением рабочей точки и, пользуясь характеристиками, рассчитайте для нее значение h-параметров БТ. На основании полученных числовых значений параметров рассчитайте параметры Т-образной эквивалентной схемы транзистора и изобразите ее.

Исходные данные: КТ3127А, IK max 20(мА); Umax 20(В); PK max 100(мВт)

Решение

Статические ВАХ БТ позволяют определить дифференциальные параметры транзистора. Для описания свойств транзистора по переменному току используется система дифференциальных h-параметров, которая представляется следующими уравнениями:

dU1 h11dI1 h12dU2

dI2 h21dI1 h22dU2

Для нахождения h-параметров по статическим характеристикам дифференциалы заменим конечными приращениями и получим выражения, позволяющие определить физический смысл h-параметров

h

 

U1

 

- входное сопротивление в режиме короткого замыкания на выходе;

11

 

 

I

1

 

 

 

U2 const

 

 

 

 

 

 

 

h

 

U1

 

 

 

- коэффициент обратной связи по напряжению в режиме холостого хода

 

 

 

 

 

 

 

12

 

 

U

2

 

 

 

I1 const

по ходу;

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

h

 

I2

 

 

 

 

 

 

- коэффициент передачи по току в режиме короткого замыкания на выходе;

 

 

 

 

 

 

21

 

 

I

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

U2 const

 

 

 

 

h

 

 

I2

 

 

- выходная проводимость в режиме холостого хода по входу.

 

 

 

 

 

 

22

 

 

U

2

 

 

 

I1 const

 

 

 

 

 

 

 

Зададим рабочую точку А: U0 7(В);IK0 4.5(мА).

Для расчета h-параметров используем семейства входных и выходных характеристик БТ. Для определения дифференциальных параметров h11Э и h12Э в заданной рабочей точке А

(UБЭ0,IБ0,U0 ) на линейном участке семейства входных характеристик выполним построения, как показано на рис. 1.4,а.

4

 

 

 

 

 

 

U

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

КЭ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

U

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

КЭ

 

IК

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IБ

 

 

 

 

 

 

IKIV

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IК0

 

 

 

 

А

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IБ0

 

 

А

 

 

 

IК

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IБ

 

 

 

 

 

 

IК

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

U

 

 

U

U

КЭ0

U

 

 

 

 

 

 

 

БЭ

 

 

КЭ

 

 

КЭ

 

 

а

 

 

 

UБЭ0

 

 

 

 

 

 

б

 

 

 

 

 

 

 

U

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

БЭ

 

 

 

 

 

 

 

Рис. 1.4

Найденные приращения токов и напряжений позволяют определить искомые параметры:

h

 

 

U

БЭ

 

 

 

 

U

U

 

 

 

 

 

 

0.76 0.7

300(Ом)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

БЭ

 

БЭ

 

 

 

 

 

 

 

 

I

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(0.25 0.05) 10 3

11Э

 

 

 

 

 

 

 

 

I

I

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Б

 

Uconst

 

U

Б

 

Б

 

 

Uconst

 

 

 

 

 

 

,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

U

 

 

 

 

 

U

 

 

 

 

 

 

0.76

0.75

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

h

 

 

 

 

 

 

 

БЭ0

 

 

 

 

1.67 10

3.

 

 

БЭ

 

 

 

 

 

БЭ

 

 

 

 

 

 

 

 

Э

U

 

 

 

U

 

U

 

 

 

 

10 4

12

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

КЭ

 

 

IБ const

 

 

 

КЭ

 

КЭ

 

 

IБ const

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Параметры h21Э и h22Э

определяем по семейству выходных характеристик. В окрестности

точки A(IК0,UКЭ0,IБ0), соответствующей точке А на семействе входных характеристик,

выполним построения как показано на рис. 1.4,б. Найденные приращения токов и напряжений позволяют определить искомые параметры:

h

 

 

IК

 

 

 

 

 

 

 

IК IК

 

 

 

 

 

7 4

 

15

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.25 0.05

 

21Э

 

I

 

 

 

 

 

 

 

 

 

I

I

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Б

 

UБЭ const

 

 

 

Б

Б

 

UБЭ const

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

I

К

 

 

 

 

 

 

I

IV I

 

 

 

(5 4) 10

3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

h

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

К

 

К

 

 

 

 

 

 

 

0.17 10 3

(См).

Э

U

 

U U

 

 

10

4

 

22

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

КЭ

 

IБ const

 

 

 

 

КЭ

 

КЭ

 

IБ const

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Коэффициент обратной связи по напряжению h12Э имеет очень малую величину

(10 4...10 3), поэтомудля его вычисления рассчитаем параметры Т-образной эквивалентной схемы БТ.(рис. 1.5)

5

Рис. 1.5

Значение параметров эквивалентной схему БТ находим с использованием известных h- параметров.

r

h12Э

 

,r

*

 

 

 

1

 

, h

,r h

(1 h

)r

 

 

h

 

 

 

h

 

 

 

 

Э

 

K

 

 

 

 

Э

21Э

б

11Э

21Э

Э

 

 

 

 

22Э

 

 

 

 

 

 

22

 

 

 

 

 

 

 

Для начала вычислим дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода

r

 

T

, где

 

 

kT - тепловой потенциал, равный 26 мВ при T 300K ; I

Э0

- ток

 

 

 

Э

 

IЭ0

 

 

 

 

 

 

 

 

T

 

q

 

 

 

 

 

 

эмиттера БТ в рабочей точке (принимаемIЭ0 IK0 ).

 

 

r

0.026

 

 

 

0.026

 

5.78(Ом)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4.5 10 3

 

 

 

 

 

Э

 

IЭ0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Определяем r*

и

:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

K

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

r*

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

5880(Ом)

 

 

 

 

 

 

h

 

0.17 10 3

 

 

 

 

 

K

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

22Э

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

h21Э 15

rб h11Э (1 h21Э )rЭ 300 (1 15) 5.78 208(Ом)

Находим коэффициент обратной связи по напряжению h12Э rЭ h22Э 5.78 0.17 10 3 9.83 10 4 .

Область допустимых режимов на семействе выходных характеристик БТ, представленная на рис. 1.6 определяется его максимально допустимыми параметрами:

IK max 20(мА)- постоянный ток коллектора;

Umax 20(В)- постоянное напряжение коллектор-эмиттер;

PK max 100(мВт)- постоянная рассеиваемая мощность коллектора.

Рис. 1.6

6

Задача № 4

Рассчитайте модуль h21э и фазу h21э коэффициента передачи по току БТ в схеме с ОЭ на

частоте f. В качестве исходных данных используйте заданные в таблице значения предельной частоты коэффициента передачи по току в схеме с ОБ fh21б , статический коэффициент передачи

по токув схеме с ОБ и частоты f .

Исходные данные:

fh21б 15(МГц); f 60(кГц); 0.983

Решение

На высоких частотах возникает фазовый сдвиг между входным и выходным токами БТ, обусловленный конечным временем пролета носителей от эмиттера к коллекторуи наличием емкостей переходов БТ. Это приводит к комплексному характеру коэффициентов передачи по токуи их частотной зависимости

h

(f )

 

h

(f )

 

ej h21б ( f )

и

h

(f )

 

h

(f )

 

ej h21э( f )

 

 

 

 

21б

 

 

21б

 

 

 

 

21э

 

 

21э

 

 

 

Частотные зависимости модуля и фазы коэффициентов передачи по току характеризуются выражениями:

 

h21б (f )

 

 

 

 

 

 

 

 

 

; h21б

arctg(f / fh21б );

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1 (f / fh

)2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

21б

 

 

h21э(f )

 

 

 

 

 

 

 

 

; h21э

arctg(f / fh21э ),

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1 (f / fh

)2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

21

э

 

где , - статические коэффициенты передачи по току БТ для включения с ОБ и ОЭ, соответственно; h21б (f ),h21э(f )- предельные частоты коэффициентов передачи по току для

схемы с ОБ и ОЭ, соответственно.

Причем связь между этими частотами определяется выражением

fh21э fh21б /(1 ).

Определим статический коэффициент передачи по токудля включения с ОЭ:

 

 

 

0.983

57.82

1

1 0.983

 

 

 

Тогда предельная частота коэффициента передачи по токудля включения с ОЭ

fh

 

fh21б

 

 

15 106

2.55

10

5

(1

)

1

57.82

 

21

э

 

 

 

 

Модуль коэффициента передачи по токув схеме с ОЭ будет равен:

 

h21э

 

 

 

 

 

 

 

 

 

57.82

 

 

 

0.88

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1 (f / fh21э )2

 

 

60 103

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2.55 10

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Фаза коэффициента передачи по току в схеме с ОЭ:

 

 

 

 

 

 

 

60

103

 

 

 

 

h21

э

arctg f / f

h21

э

arctg

 

 

 

 

13.24

 

 

 

 

 

 

2.55

10

5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

7

Задача № 5

Усилительный каскад выполнен на ПТ 2П302Б в схеме с ОИ (рис. 1.7).

Рабочая точка ПТ задается напряжением источника питания UИП 10(В) и параметрами приведенными в таблице.

1.Нарисуйте принципиальную схему усилителя.

2.На семействе статических ВАХ транзистора постройте нагрузочную прямую и определите положение рабочей точки.

3.Для найденной рабочей точки определите сопротивление резистора в цепи истока RИ

ималосигнальные параметры S,Ri и .

4.Графоаналитическим методом определите параметры режима усиления KU и Pвых при амплитуде входного сигнала Uзиm 0.25(В).

Исходные данные:

RC 0.4(кОм);UЗИ0 1.7(В).

Решение

Рис. 1.7

Усилительный каскад на ПТ, выполнен по схеме с общим истоком (ОИ). Напряжение смещения задается автоматически за счет включения в цепь истока резистора RИ , падение

напряжения на котором определяет напряжение UЗИ UЗ UИ ICRИ . Уравнение нагрузочной прямой описывается выражением:

UИП UСИ IC (RС RИ ) UСИ ICRС UЗИ , тогда

IC (UИП UUЗИ )/RC

Нагрузочная прямая на семействе выходных характеристик ПТ проводится через две точки, лежащие на осях координат: точку UИП 10(В) на оси напряжений и точку

IC (UИП UЗИ ) на оси токов, как показано на рис. 1.8.

RC

I

C

 

(10

 

1.7)

 

 

0.02(А).

 

 

0.4 103

 

 

 

8

(UИП UЗИ )

RC

 

 

 

 

U

 

 

 

 

 

 

 

ЗИ

 

 

 

 

IC

t

ICm

 

O

 

I

C0

 

U

 

 

 

ЗИ

UИП

U0 UCИИ

t

Рис 1.8

Точка пересечения нагрузочной прямой с характеристикой, соответствующей заданному значению UЗИ UЗИ0 1.7(В), дает положение рабочей точки “О”, которой соответствует ток

стока IC IC0 10(мА) и напряжение UСИ UСИ0 5.5(В). Сопротивление резистора в цепи истока находим из формулы:

R

 

U

 

 

/I

 

 

 

 

1.7

 

170(Ом).

 

 

 

И

ЗИ

C

10 10 3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Малосигнальные параметры S,Ri

и определяются выражениями

 

 

 

dI

C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

I

C

 

(15 5) 10

3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

S

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.02;

 

dU

 

 

 

 

 

 

 

 

 

U

 

U

 

2 1

 

 

 

 

 

ЗИ

 

Uconst

 

 

 

 

ЗИ

 

ЗИ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

R dUСИ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

8.75 1.25

 

462(Ом);

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(17.5 1.25) 10 3

i

 

dI

C

 

 

 

UЗИ const

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

dUСИ

 

 

 

 

 

 

 

S R 0.02 462 9.23.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

dUЗИ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

i

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IC const

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Коэффициент усиления по напряжению и выходная мощность находим из выражений:

K

u

Uсиm

 

8.75 5.5

13;

 

 

Uзиm

 

 

0.25

 

 

P

 

0.5U

сиm

I

cm

0.5 (8.75 5.5) (17.5 10) 10 3

12(мВт)

вых

 

 

 

 

 

9

Задача № 6

Электронно-лучевая трубка с электростатическим отклонением луча имеет длину отклоняющих пластин L1 , расстояние между пластинами d, расстояние от экрана до ближайшего

к нему края пластины L2 . Напряжение на втором аноде равно Ua2 , а постоянное напряжение между отклоняющими пластинами равно Uоткл . Необходимо определить:

а) чувствительность ЭЛТ; б) отклонение электронного луча на экране от оси трубки;

в) угол отклонения луча в точке выхода его из поля пластин.

Исходные данные:

Ua2 2.5(кB);Uоткл 45(B);L1 28(мм);L2 160(мм);d 7.5(мм).

Решение

Конструкция электронно-лучевой трубки (ЭЛТ) с электростатическим отклонением луча, показанная на рис. 1.9.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Uоткл

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Y

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Экран

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

h2

 

 

h

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

d

V0

 

 

 

 

 

 

Eоткл

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

h1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Uоткл

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

L1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

L

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Рис 1.9

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Полное отклонение пятна на экране определяется выражением:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

h h h

Uоткл

 

L2

L tg

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4Ua2 d

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

 

 

2

 

 

 

1

 

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

U

 

 

 

 

 

L

 

L

 

 

 

 

 

 

 

 

 

45 L

 

 

 

 

28 10 3

 

 

3

 

 

 

3

 

 

 

 

 

 

 

h

 

откл

1

 

1

L

 

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

 

 

 

 

160

10

 

 

5.85

10

(м)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3

 

 

3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2Ua2 d

2

 

 

2

 

 

2

2.5

10

7.5

10

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Основным параметром электростатической отклоняющей системы является чувствительность к отклонению, показывающая, на сколько миллиметров отклонится луч на экране при изменении напряжения на 1 В.

h

h

 

5.85 10 3

1.3 10 4

(м)

Uоткл

45

 

 

 

 

Угол отклонения луча в точке выхода его из поля пластин определяется выражением

 

U

 

L

U

 

L

 

 

 

45 28 10 3

 

 

 

tg

 

откл

1

arctg

 

откл

1

 

arctg

 

 

 

 

 

 

1.92

 

 

 

 

3

 

 

 

2Ua2 d

 

2Ua2

d

 

 

2

2,5 10

7.5 10

3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

10