- •Глава I
- •§ 1. Электростатическое поле проводников
- •§ 2. Энергия электростатического поля проводников
- •§ 3. Методы решения электростатических задач
- •2 Л. Д. Ландау, е. М. Лифшиц
- •§ 4. Проводящий эллипсоид
- •§ 5. Силы, действующие на проводник
- •Глава II
- •§ 6. Электростатическое поле в диэлектриках
- •§ 7. Диэлектрическая проницаемость
- •§ 8. Диэлектрический эллипсоид
- •§ 9. Диэлектрическая проницаемость смеси
- •§ 10. Термодинамические соотношения для диэлектриков в электрическом поле
- •§ 11. Полная свободная энергия диэлектрического тела
- •§12. Электрострикция изотропных диэлектриков
- •§ 13. Диэлектрические свойства кристаллов
- •§ 14. Положительность диэлектрической восприимчивости
- •§ 15. Электрические силы в жидком диэлектрике
- •§ 16. Электрические силы в твердых телах
- •§17. Пьезоэлектрики
- •§ 18. Термодинамические неравенства
- •§ 19. Сегнетоэлектрики
- •§ 20. Несобственные сегнетоэлектрики
- •Глава III
- •§ 21. Плотность тока и проводимость
- •§ 22. Эффект Холла
- •§ 23. Контактная разность потенциалов
- •§ 24. Гальванический элемент
- •§ 25. Электрокапиллярность
- •§ 26. Термоэлектрические явления
- •§ 27. Термогальваномагнитные явления
- •§ 28. Диффузионно-электрические явления
- •Глава IV
- •§ 29. Постоянное магнитное поле
- •§ 30. Магнитное поле постоянных токов
- •§ 31. Термодинамические соотношения в магнитном поле
- •§ 32. Полная свободная энергия магнетика
- •§ 33. Энергия системы токов
- •§ 34. Самоиндукция линейных проводников
- •§ 35. Силы в магнитном поле
- •§ 36. Гиромагнитные явления
- •Глава V
- •§ 37. Магнитная симметрия кристаллов
- •§ 38. Магнитные классы и пространственные группы
- •§ 39. Ферромагнетик вблизи точки Кюри
- •§ 40. Энергия магнитной анизотропии
- •§ 41. Кривая намагничения ферромагнетиков
- •§ 42. Магнитострикция ферромагнетиков
- •§ 43. Поверхностное натяжение доменной стенки
- •§ 44. Доменная структура ферромагнетиков
- •§ 45. Однодоменные частицы
- •§ 46. Ориентационные переходы
- •§ 47. Флуктуации в ферромагнетике
- •§ 48. Антиферромагнетик вблизи точки Кюри
- •§ 49. Бикритическая точка антиферромагнетика
- •§ 50. Слабый ферромагнетизм
- •§ 51. Пьезомагнетизм и магнитоэлектрический эффект
- •§ 52. Геликоидальная магнитная структура
- •Глава VI
- •§ 53. Магнитные свойства сверхпроводников
- •§ 54. Сверхпроводящий ток
- •§ 55. Критическое поле
- •2) Мы приводим здесь вычисления с большей точностью, чем это обычно требуется, имея в виду выявить более ясно взаимоотношение между различными термодинамическими величинами.
- •§ 56. Промежуточное состояние
- •§ 57. Структура промежуточного состояния
- •Глава VII
- •§ 58. Уравнения квазистационарного поля
- •§ 59. Глубина проникновения магнитного поля в проводник
- •VaRe{a6*}.
- •§ 60. Скин-эффект
- •§ 61. Комплексное сопротивление
- •§ 62. Емкость в цепи квазистационарного тока
- •§ 63. Движение проводника в магнитном поле
- •0 Из этой формулы видно, что дополнительное тепло, выделяющееся (в течение времени 60 в проводнике при его движении в магнитном поле, есть
- •§ 64. Возбуждение тока ускорением
- •Глава VIII
- •§ 65. Уравнения движения жидкости в магнитном поле
- •§65] Уравнения движения жидкости в магнитном поле 315
- •§66] Диссипативные процессы в магнитной гидродинамике 317
- •§ 66. Диссипативные процессы в магнитной гидродинамике
- •§ 67. Магнитогидродинамическое течение между параллельными плоскостями
- •§ 68. Равновесные конфигурации
- •§ 69. Магнитогидродинамические волны
- •VX&0, Vytt—hjV4пр ,
- •§ 70. Условия на разрывах
- •§ 71. Тангенциальные и вращательные разрывы
- •§ 72. Ударные волны
- •§ 73. Условие эволюционности ударных волн
- •§ 74. Турбулентное динамо
- •Глава IX
- •§ 75. Уравнения поля в диэлектриках в отсутствие дисперсии
- •§ 76. Электродинамика движущихся диэлектриков
- •§ 77. Дисперсия диэлектрической проницаемости
- •§ 78. Диэлектрическая проницаемость при очень больших частотах
- •§ 79. Дисперсия магнитной проницаемости
- •§ 80. Энергия поля в диспергирующих средах
- •§ 81. Тензор напряжений в диспергирующих средах
- •§ 82. Аналитические свойства функции е(со)
- •§ 83. Плоская монохроматическая волна
- •§ 84. Прозрачные среды
- •Глава X
- •§ 85. Геометрическая оптика
- •§ 86. Отражение и преломление волн
- •§ 87. Поверхностный импеданс металлов
- •§ 88. Распространение волн в неоднородной среде
- •§ 89. Принцип взаимности
- •§ 90. Электромагнитные колебания в полых резонаторах
- •§ 91. Распространение электромагнитных волн в волноводах
- •§ 92. Рассеяние электромагнитных волн на малых частицах
- •§ 93. Поглощение электромагнитных волн на малых частицах
- •§ 94. Дифракция на клине
- •§ 95. Дифракция на плоском экране
- •Глава XI
- •§ 96. Диэлектрическая проницаемость кристаллов
- •§ 97. Плоская волна в анизотропной среде
- •§ 98. Оптические свойства одноосных кристаллов
- •§ 99. Двухосные кристаллы
- •§ 100. Двойное преломление в электрическом поле
- •§ 101. Магнитооптические эффекты
- •§ 102. Динамооптические явления
- •Pfffi р 1
- •Глава XII
- •§ 103. Пространственная дисперсия
- •§ 104. Естественная оптическая активность
- •§ 105. Пространственная дисперсия в оптически неактивных средах
- •§ 106. Пространственная дисперсия вблизи линии поглощения
- •Глава XIII
- •§ 107. Преобразование частот в нелинейных средах
- •§ 108. Нелинейная проницаемость
- •§ 109. Самофокусировка
- •§111. Сильные электромагнитные волны
- •§112. Вынужденное комбинационное рассеяние
- •Глава XIV
- •§ 113. Ионизационные потери быстрых частиц в веществе. Нерелятивистский случай
- •§ 114. Ионизационные потери быстрых частиц в веществе. Релятивистский случай
- •§ 115. Излучение Черенкова
- •§ 116. Переходное излучение
- •Глава XV
- •§ 117. Общая теория рассеяния в изотропных средах
- •§ 118. Принцип детального равновесия при рассеянии
- •§ 119. Рассеяние с малым изменением частоты
- •§ 120. Рэлеевское рассеяние в газах и жидкостях
- •§ 121. Критическая опалесценция
- •§ 122. Рассеяние в жидких кристаллах
- •§ 123. Рассеяние в аморфных твердых телах
- •§123] Рассеяние в аморфных твердых телах 595
- •§ 124. Общая теория дифракции рентгеновых лучей
- •§ 125. Интегральная интенсивность
- •§ 126] Диффузное тепловое рассеяние рентгеновых лучей
- •§ 126. Диффузное тепловое рассеяние рентгеновых лучей
- •§ 127. Температурная зависимость сечения дифракции
Глава XI
ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫЕ ВОЛНЫ В АНИЗОТРОПНЫХ СРЕДАХ
§ 96. Диэлектрическая проницаемость кристаллов
Свойства анизотропной среды по отношению к электромагнитным волнам определяются тензорами e./ft(co) nurt(co), устанавливающими связь между индукцией и напряженностью согласно формулам*)
А- = е,-*(со)£*. 5,-= и,, (со) Я,. (96,1)
Ниже мы для определенности говорим об электрическом поле и тензоре &ik; все получаемые результаты полностью справедливы и для тензора \ilk.
При со —► 0 величины г!к принимают свои статические значения, для которых в § 13 была доказана симметричность по индексам i, k. Это доказательство имело чисто термодинамический характер и поэтому относилось лишь к термодинамически равновесным состояниям. В переменном же поле состояние вещества, разумеется, не равновесно, и потому указанное доказательство неприменимо. Для выяснения свойств тензора г,к надо теперь обратиться к обобщенному принципу симметрии кинетических коэффициентов (см. V § 125).
Напомним, что фигурирующие в формулировке этого принципа обобщенные восприимчивости ааЬ (со) определяются по отклику системы на возмущение вида
(где ха—ряд величин, характеризующих систему) и представляют собой коэффициенты в линейной связи между фурье-компонен-тами средних значений xa(t) и обобщенных сил fa(t):
хаа — ааЬ (ш) fbas ■
Изменение энергии системы со временем под влиянием возмущения выражается формулой
')
Напомним, что все величины относятся
к
переменному
полю в волне. Возможное же наличие
постоянной индукции (в пироэлектрическом
или ферромагнитном кристалле) не
имеет отношения к рассматриваемым
здесь вопросам.
Согласно принципу симметрии,
если система не находится во внешнем магнитном поле и не обладает магнитной структурой; в противном случае abo(co) надо взять для «обращенной по времени» системы.
Легко связать компоненты тензора e,fc(co) с обобщенными восприимчивостями. Для этого замечаем, что скорость изменения энергии диэлектрического тела в переменном электрическом поле дается интегралом
l^^dV. (96,2)
Сравнив с написанными выше формулами, мы видим, что если выбрать в качестве величин ха значения компонент вектора Е в каждой точке тела, то соответствующими величинами fa будут компоненты d (причем индекс а пробегает Непрерывный ряд значений, нумеруя как компоненты векторов, так и точки тела). Роль коэффициентов ааЬ будут играть компоненты тензора е^1; но все свойства симметрии обратного и прямого тензоров, разумеется, совпадают. Поскольку в интеграле (96,2) перемножаются значения Е и Ь лишь в одинаковых точках тела, то перестановка индексов а и b фактически сводится к перестановке только тензорных индексов. Таким образом, мы приходим к выводу, что тензор tik симметричен1):
ert((o) = e„((o). (96,3)
Заметим, что под определение обобщенных восприимчивостей подпадают также и компоненты тензора поляризуемости тела как целого, т. е. коэффициенты в равенствах
Действительно, изменение энергии тела, внесенного во внешнее переменное поле ©, дается формулой
(9М)
Отсюда видно, что если величинами ха являются три компоненты вектора то соответствующими величинами fa будут компоненты вектора ©, так что коэффициенты ааЬ совпадают с Vaik.
])
Свойства тензора е,^
при
наличии внешнего магнитного поля будут
рассмотрены в § 101.
<2 = iSr {К*~е*«:) Е1Е* + Мь-Ры) ВДЕ}, (96,5)
аналогичной формуле (80,5). Условие же отсутствия поглощения состоит в равенстве z\k = es,- = e,-fe, т. е. в вещественности всех eik (и то же самое для \iik).
В отсутствие поглощения может быть определена, как было показано в § 80, электромагнитная внутренняя энергия единицы объема тела. Для анизотропной среды она дается формулой
V = Ш {I Е& +1 Н№} • (96,6)
аналогичной (80,11).
В § 87 было введено понятие о поверхностном импедансе £, с помощью которого могут быть сформулированы граничные условия на поверхности металла даже в тех случаях, когда понятие диэлектрической проницаемости теряет смысл. На поверхности анизотропного тела граничное условие, аналогичное (87,6), должно быть написано в виде
£«=U[Hn]p, (96,7)
где £ар(ш)—двумерный тензор на поверхности тела. Следует иметь в виду, что значения этого тензора, вообще говоря, зависят и от кристаллографического направления грани кристалла. Поток энергии, втекающий внутрь тела, есть
^[EH]n = ^E[Hn]^^£a[Hn]a
(здесь Е и Н вещественны). Отсюда видно, что если при применении принципа симметрии выбрать в качестве величин ха компоненты Еа, то соответствующими }а будут —[Нп]а, т. е. (возвращаясь к комплексному представлению) величинами fа будут — (t/w)[Hn]a. Поэтому коэффициенты ааЬ совпадают, с точностью до множителя, с компонентами £а(3, и мы приходим к выводу, что
U = U (96,8)
(в отсутствие внешнего магнитного поля).
Задача
Выразить компоненты тензора £ар через компоненты тензора r|ap =в~р (предполагая, что последний существует); тело немагнитно (p;,-fc = 6,-^).
Решение. В анизотропном случае равенство (87,2) £3=1/е заменится следующим:
SavSvP = ЛаЗ •
В компонентах:
С|1 + ?12$21 = Т]11, ^2+?12?21 = %2, Sl2 (£ll+£22)=Tll2> S21 ^22) = Л21-
Решение этих уравнений:
£i2 = W&> £21 = 421/?, ?n= jhii ± УчпЧгг — Л12Л21]. £22 = у [422 ± ^Лич22 —Л12Л21]
(£2=чп+Ч22 ± 2 ^ЛиЛгг —r|i2N2i)-
Выбор знаков определяется условием положительности поглощения энергии. Мы не предполагаем равенства £i2=£2i> допуская тем самым также и применение к случаю наличия внешнего магнитного поля.
