- •Глава I
- •§ 1. Электростатическое поле проводников
- •§ 2. Энергия электростатического поля проводников
- •§ 3. Методы решения электростатических задач
- •2 Л. Д. Ландау, е. М. Лифшиц
- •§ 4. Проводящий эллипсоид
- •§ 5. Силы, действующие на проводник
- •Глава II
- •§ 6. Электростатическое поле в диэлектриках
- •§ 7. Диэлектрическая проницаемость
- •§ 8. Диэлектрический эллипсоид
- •§ 9. Диэлектрическая проницаемость смеси
- •§ 10. Термодинамические соотношения для диэлектриков в электрическом поле
- •§ 11. Полная свободная энергия диэлектрического тела
- •§12. Электрострикция изотропных диэлектриков
- •§ 13. Диэлектрические свойства кристаллов
- •§ 14. Положительность диэлектрической восприимчивости
- •§ 15. Электрические силы в жидком диэлектрике
- •§ 16. Электрические силы в твердых телах
- •§17. Пьезоэлектрики
- •§ 18. Термодинамические неравенства
- •§ 19. Сегнетоэлектрики
- •§ 20. Несобственные сегнетоэлектрики
- •Глава III
- •§ 21. Плотность тока и проводимость
- •§ 22. Эффект Холла
- •§ 23. Контактная разность потенциалов
- •§ 24. Гальванический элемент
- •§ 25. Электрокапиллярность
- •§ 26. Термоэлектрические явления
- •§ 27. Термогальваномагнитные явления
- •§ 28. Диффузионно-электрические явления
- •Глава IV
- •§ 29. Постоянное магнитное поле
- •§ 30. Магнитное поле постоянных токов
- •§ 31. Термодинамические соотношения в магнитном поле
- •§ 32. Полная свободная энергия магнетика
- •§ 33. Энергия системы токов
- •§ 34. Самоиндукция линейных проводников
- •§ 35. Силы в магнитном поле
- •§ 36. Гиромагнитные явления
- •Глава V
- •§ 37. Магнитная симметрия кристаллов
- •§ 38. Магнитные классы и пространственные группы
- •§ 39. Ферромагнетик вблизи точки Кюри
- •§ 40. Энергия магнитной анизотропии
- •§ 41. Кривая намагничения ферромагнетиков
- •§ 42. Магнитострикция ферромагнетиков
- •§ 43. Поверхностное натяжение доменной стенки
- •§ 44. Доменная структура ферромагнетиков
- •§ 45. Однодоменные частицы
- •§ 46. Ориентационные переходы
- •§ 47. Флуктуации в ферромагнетике
- •§ 48. Антиферромагнетик вблизи точки Кюри
- •§ 49. Бикритическая точка антиферромагнетика
- •§ 50. Слабый ферромагнетизм
- •§ 51. Пьезомагнетизм и магнитоэлектрический эффект
- •§ 52. Геликоидальная магнитная структура
- •Глава VI
- •§ 53. Магнитные свойства сверхпроводников
- •§ 54. Сверхпроводящий ток
- •§ 55. Критическое поле
- •2) Мы приводим здесь вычисления с большей точностью, чем это обычно требуется, имея в виду выявить более ясно взаимоотношение между различными термодинамическими величинами.
- •§ 56. Промежуточное состояние
- •§ 57. Структура промежуточного состояния
- •Глава VII
- •§ 58. Уравнения квазистационарного поля
- •§ 59. Глубина проникновения магнитного поля в проводник
- •VaRe{a6*}.
- •§ 60. Скин-эффект
- •§ 61. Комплексное сопротивление
- •§ 62. Емкость в цепи квазистационарного тока
- •§ 63. Движение проводника в магнитном поле
- •0 Из этой формулы видно, что дополнительное тепло, выделяющееся (в течение времени 60 в проводнике при его движении в магнитном поле, есть
- •§ 64. Возбуждение тока ускорением
- •Глава VIII
- •§ 65. Уравнения движения жидкости в магнитном поле
- •§65] Уравнения движения жидкости в магнитном поле 315
- •§66] Диссипативные процессы в магнитной гидродинамике 317
- •§ 66. Диссипативные процессы в магнитной гидродинамике
- •§ 67. Магнитогидродинамическое течение между параллельными плоскостями
- •§ 68. Равновесные конфигурации
- •§ 69. Магнитогидродинамические волны
- •VX&0, Vytt—hjV4пр ,
- •§ 70. Условия на разрывах
- •§ 71. Тангенциальные и вращательные разрывы
- •§ 72. Ударные волны
- •§ 73. Условие эволюционности ударных волн
- •§ 74. Турбулентное динамо
- •Глава IX
- •§ 75. Уравнения поля в диэлектриках в отсутствие дисперсии
- •§ 76. Электродинамика движущихся диэлектриков
- •§ 77. Дисперсия диэлектрической проницаемости
- •§ 78. Диэлектрическая проницаемость при очень больших частотах
- •§ 79. Дисперсия магнитной проницаемости
- •§ 80. Энергия поля в диспергирующих средах
- •§ 81. Тензор напряжений в диспергирующих средах
- •§ 82. Аналитические свойства функции е(со)
- •§ 83. Плоская монохроматическая волна
- •§ 84. Прозрачные среды
- •Глава X
- •§ 85. Геометрическая оптика
- •§ 86. Отражение и преломление волн
- •§ 87. Поверхностный импеданс металлов
- •§ 88. Распространение волн в неоднородной среде
- •§ 89. Принцип взаимности
- •§ 90. Электромагнитные колебания в полых резонаторах
- •§ 91. Распространение электромагнитных волн в волноводах
- •§ 92. Рассеяние электромагнитных волн на малых частицах
- •§ 93. Поглощение электромагнитных волн на малых частицах
- •§ 94. Дифракция на клине
- •§ 95. Дифракция на плоском экране
- •Глава XI
- •§ 96. Диэлектрическая проницаемость кристаллов
- •§ 97. Плоская волна в анизотропной среде
- •§ 98. Оптические свойства одноосных кристаллов
- •§ 99. Двухосные кристаллы
- •§ 100. Двойное преломление в электрическом поле
- •§ 101. Магнитооптические эффекты
- •§ 102. Динамооптические явления
- •Pfffi р 1
- •Глава XII
- •§ 103. Пространственная дисперсия
- •§ 104. Естественная оптическая активность
- •§ 105. Пространственная дисперсия в оптически неактивных средах
- •§ 106. Пространственная дисперсия вблизи линии поглощения
- •Глава XIII
- •§ 107. Преобразование частот в нелинейных средах
- •§ 108. Нелинейная проницаемость
- •§ 109. Самофокусировка
- •§111. Сильные электромагнитные волны
- •§112. Вынужденное комбинационное рассеяние
- •Глава XIV
- •§ 113. Ионизационные потери быстрых частиц в веществе. Нерелятивистский случай
- •§ 114. Ионизационные потери быстрых частиц в веществе. Релятивистский случай
- •§ 115. Излучение Черенкова
- •§ 116. Переходное излучение
- •Глава XV
- •§ 117. Общая теория рассеяния в изотропных средах
- •§ 118. Принцип детального равновесия при рассеянии
- •§ 119. Рассеяние с малым изменением частоты
- •§ 120. Рэлеевское рассеяние в газах и жидкостях
- •§ 121. Критическая опалесценция
- •§ 122. Рассеяние в жидких кристаллах
- •§ 123. Рассеяние в аморфных твердых телах
- •§123] Рассеяние в аморфных твердых телах 595
- •§ 124. Общая теория дифракции рентгеновых лучей
- •§ 125. Интегральная интенсивность
- •§ 126] Диффузное тепловое рассеяние рентгеновых лучей
- •§ 126. Диффузное тепловое рассеяние рентгеновых лучей
- •§ 127. Температурная зависимость сечения дифракции
§ 15. Электрические силы в жидком диэлектрике
Вопрос о вычислении сил (их называют пондеромоторными), действующих на диэлектрик в произвольном неоднородном электрическом поле, довольно сложен и требует раздельного рассмотрения для жидких (или газообразных) и твердых тел. Мы начнем с более простого случая жидких диэлектриков.
Будем обозначать посредством f dV силу, действующую на элемент объема среды dV, вектор f можнъ назвать объемной плотностью сил.
Как известно, силы, действующие на какой-либо конечный объем тела, могут быть сведены к силам, приложенным к поверхности этого объема (см. VII § 2). Это обстоятельство является следствием закона сохранения импульса. Сила, действующая на вещество в объеме dV, представляет собой изменение его импульса в единицу времени. Это изменение должно быть равно количеству импульса, втекающего в течение того же времени в этот объем через его поверхность. Если обозначить тензор потока импульса через —aik, то
(15,1)
где интегрирование в правой части равенства производится по поверхности объема V. Тензор a;k называют тензором напряжений. Очевидно, что
Gikdfk = e;knkdf
есть 1-я компонента силы, действующей на элемент поверхности df (п—единичный вектор нормали к поверхности, внешней по отношению к данному объему).
Аналогичным образом сводится к интегралу по поверхности также и полный момент сил, действующих на данный объем, чем обеспечивается выполнение закона сохранения момента импульса. Как известно, возможность этого сведения связана с симметричностью тензора напряжений (oik = aki); последняя является, таким образом, выражением закона сохранения момента импульса.
Преобразуя интеграл по поверхности в (15,1) в интеграл по объему, получим
и отсюда, ввиду произвольности объема интегрирований,
Это — известная формула, выражающая объемные силы через тензор напряжений.
Приступим теперь К вычислению тензора напряжений. Каждый малый участок поверхности можно рассматривать как плб-ёкйй; а тело и электрическое поле вблизи него—как однородные. Поэтому для упрющения вывода мы можеМ) без всякого ограничения общности, рассмотреть однородный (пО составу, плотности и температуре) плоскЬпараллельньш слой вещества (толщины h), находящийся в однородном электрическом поле1). Это поле можно представлять себе как создаваемое приложенными к поверхности слоя проводящими плоскостями (обкладками конденсатора).
Следуя общему методу определения сил, подвергнем оДну из обкладок («верхнюю») параллельному виртуальному смещению на бесконечно малую величину |; направление 1 произвольно и не обязательно Совпадает с направлением нормали п. Будем считать, что потенциал проводника (в каждой его точке) остается при смещений неизменным, а вызываемая этим смещением однородная деформация слоя диэлектрика — изотермична.
На единицу площади поверхности действует со стороны самого тела (слоя) сила —oiknk. При виртуальном смещений эта сила производит работу —cr(-fenfe£,-. С Другой стороны, работа( прбиз-водимая при изотермической деформации и постоянных потенциалах проводников, равна убыли величины \FdV или (на единицу площади поверхности слоя) величины hF. Таким образом,
eik$ink = 8(hF) = h8F + F6h. (15,3)
Термодинамические величины жидкости зависят (при данных температуре и напряженности поля) только от ее плотности; деформации, не меняющие плотности' (деформации сдвига), не отражаются на термодинамическом состоянии. Поэтому для изотермической вариации 8F в жидкости пишем
tf-(#)r..«+(#)..,*—^+(1)..,*- см)
*)
Тем самым мы отбрасываем в тензоре
напряжений члены, которые могли бы
зависеть от градиентов температуры,
поля и т. п. Эти члены, однако, исче-зающе
малы по сравнению с членами, не
содержащими производных, в том же
смысле, как малы члены с производными,
которые могли бы присутствовать в
зависимости
D
от
Е.
В данную точку пространства (с радиус-вектором г) попадает при смещении вещество из точки г — и, где и — вектор смещения частиц в объеме слоя. Поскольку в рассматриваемых условиях (однородная деформация и постоянство потенциала на обкладках) каждая частица вещества перемещается вместе со своим значением потенциала, то изменение последнего в данной точке про^ странства есть
бф = ср (г—и) — ф (г) = — и ?ф = иЕ,
где Е — однородное поле внутри недеформированного слоя. Но ввиду однородности деформации имеем
и = |1, (15,5)
где z— расстояние от нижней поверхности. Поэтому вариация напряженности поля
6E = -in(El). (15,6)
Подставляя все полученные выражения в (15,4) и учитывая также, что bh = \z = \n, получим
oikhnk = ± (nD) (IE)-(in) р U + (in) F =
\ 4л
Отсюда окончательно находим следующее выражение для Тензора напряжений:
0,-ъ =
Р^ др /е, г
в,* + ^Г*. (15,7)
В изотропных средах, которые здесь и рассматриваются, направления Е и D совпадают. Поэтому EiDk = EkD[ и тензор (15,7), как и должно быть, симметричен '). При линейной связи D = eE имеем
F = F0(p, T)-e-g (15,8)
(см. (10,17)); F0 есть свободная энергия единицы объема вещества в отсутствие поля. Согласно известному термодинамическому соотношению, производная от свободной энергии 1 г вещества по удельному объему есть давление:
flFf) -'•-■>(£),--'*
х) Тот факт, что в изложенном выводе направление Е совпадает с п, несуществен, так как заранее очевидно, что может зависеть лишь от направления Е, но не п.
Р
Я0 = Я0(р, Т) есть то давление, которое имелось бы в среде в отсутствие поля при данных значениях р и Т. Поэтому при подстановке (15,8) в (15,7) получим
— (р, T)6lh-£[s-9 (|)r]'6,.fc + ^. (15,9)
В пустоте это выражение переходит в известный максвелловский тензор напряжений электрического поля1).
Силы, с которыми действуют на поверхность раздела две соприкасающиеся различные среды, должны быть равны и противоположны: aiknk = — o'tkn'k, где величины со штрихом и без него относятся к двум средам. Векторы нормали п и п' имеют взаимно противоположные направления, так что можно написать
офк = °1кПк. (15,10)
На границе двух изотропных сред равенство тангенциальных составляющих сил соблюдается тождественно. Действительно, подставив (15.7) в (15.10) и взяв тангенциальную компоненту, получим
EtDn = E'tDn.
Но это равенство удовлетворяется уже в силу граничных условий непрерывности Et и £)„. Условие же равенства нормальных составляющих сил дает нетривиальное условие, налагаемое на разность давлений в обеих средах.
Рассмотрим, например, границу между жидкостью и атмосферой (для последней можно положить е=1). Отмечая штрихом величины, относящиеся к атмосфере, и пользуясь для atk формулой (15,9), получим
-/,.(р.Л+£р(^)г + Ёг(«-£?) = -Лп.+^(^-^).
Учитывая граничные условия Et — E't, Dn = еЕп = D'n = E'n, перепишем это равенство в виде
Р.(Р. Т)-Рт = &(%)т-В-£№ + Щ). (15,11)
Это соотношение надо понимать как уравнение, определяющее плотность р жидкости вблизи ее поверхности по напряженности электрического поля в ней.
de-dp
У
т
£2
8л
дх[
4л
*) См. примечание на стр. 49.
При учете уравнения div D = dDk/dxk = 0 выражение в скобках в последнем члене сводится к сумме
дхь
кдх
обращающейся в нуль ввиду того, что rot Е = 0. Таким образом, получаем
f =
£2р
--grade (15,12)
де_
ф
J
т
(Н. Helmholtz, 1881).
Если в диэлектрике имеются сторонние заряды с объемной плотностью рС1, то к силе f добавится еще член Е div D/4n; поскольку divD = 4npCT, то этот член равен
РсгЕ">
(15,13)
не следует, однако, думать, что этот результат самоочевиден (ср. задачу 3 § 16).
В газе, как уже было указано в § 7, можно считать разность е—1 пропорциональной его плотности. Тогда pde/dp = e — 1 и формула (15,12) принимает более простой вид:
f = -
VP0 + Vgrad£?- (15'14>
Формула (15,12) справедлива для сред как однородных, так и неоднородных по своему составу. В неоднородной среде е является функцией не только р и Т, но и меняющейся вдоль среды концентрации смеси. В однородной же по составу среде е есть функция только р, Т, и grade можно раскрыть как
T-(jr).»r+Wr
Тогда (15,12) приобретает вид:
f = -V/>.<P, Т)+{-Ч
Если и температура постоянна вдоль тела, то третий член обращается в нуль, а в первом можно заменить уР0 на pV£0 (согласно известному термодинамическому соотношению для химического потенциала в отсутствие поля: pd£0 = dP0—S0dT) и
f =
8л \Тр)т
= — Р VC.
(15,16)
где £— химический потенциал вещества в электрическом поле (см. (10,19)).
В частности, условие механического равновесия f = 0 при постоянной температуре гласит:
C = £.-S(g)r=const (15,17)
в согласии с общим термодинамическим условием равновесия. Обычно это условие может быть написано в еще более простом виде. Изменение плотности среды под влиянием поля само пропорционально Е'1. Поэтому, если в отсутствие поля среда однородна по своей плотности, то и при наличии поля в последних двух членах в (15,15) следует полагать р = const; учет изменения р в формулах, предполагающих линейную связь D = еЕ, был бы превышением их точности. Тогда, приравнивая нулю f из (15,15), получим при постоянной температуре условие равновесия в виде
*'<P'r>-ir(l)r==Const' (15Л8>
отличающемся от (15,17) тем, что вместо £0 в нем стоит Р0/р.
В заключение этого параграфа покажем, каким образом можно вывести непосредственно выражение для силы (15,12) из формулы (14,1),— если не ставить себе целью вычисление тензора напряжений.
Рассмотрим неограниченную неоднородную диэлектрическую среду, подвергаемую изотермической малой деформации, обращающейся в нуль на бесконечности. Вариация бе складывается из двух частей: 1) из изменения
е (г—и) — е (г) = — и уе,
связанного с тем, что в результате деформации в заданную точку г приходит частица вещества из точки г—и, и 2) из изменения
-(!)rpdivu'
связанного с изменением плотности вещества в точке г: как известно (см. VII § 1), div и есть относительное изменение элемента объема и потому изменение плотности есть бр = — pdivu. Таким образом, вариация свободной энергии:
6<Г = 6Г0 —J 8e^dl/ = — \ P0divudV +
+ J£ [и*е + (|)г pdivu] dV (15,19)
(первый член —вариация свободной энергии в отсутствие поля). Проинтегрировав в (15,19) члены с div и по частям и сравнив
результат с выражением 8<F = — \uidV вариации свободной энергии через работу сил f, получим (15,12).
