Заключение
В ходе курсовой работы мы рассмотрели основные теоретические положения о технике ионно-плазменной обработки материалов. Произвели расчёт основных технологических параметров процесса получения тонких плёнок (время откачки = 546 с, размер катодной области = 0,16 м, коэффициент распыления = 5,6, скорость осаждения = 1,4*10-8 см/с, рабочий ток = 5,5*10-3 А).
Важность проделанной работы видится в получении знаний одной из технологий производства устройств микроэлектроники, связанных с использованием для обработки материалов направленных потоков заряженных частиц – ионов и электронов. Т.к. именно с ними связан дальнейший технологический прогресс по созданию приборов с элементами субмикронных размеров. Уменьшение размеров обеспечивает улучшение технических характеристик полупроводниковых приборов и микросхем, снижение их стоимости (что на сегодняшний день так не маловажно). При малых размерах по площади и глубине p-n переходов транзисторов можно добиться уменьшения RC-постоянной, что скажется на уменьшении времени переключения и как следствие повысится быстродействие микросхем (зачем гонятся производители современных микропроцессоров). Наконец переход к малым размерам элементов позволяет снизить потребляемую мощность и добиться более высокой плотности упаковки элементов микросборки.
Библиографический список
Расчет параметров процесса ионно-плазменной обработки материалов: методические указания к курсовой работе по дисциплине «Физико-химические основы технологии электронных средств» для студентов специальности «Конструирование и технология ЭВС»/ Курск. гос. техн. ун-т.; Сост. В.В.Умрихин. Курск, 1997. 29 с.
Физико-химические основы технологии электронных средств: Учебное пособие Ч. 1/ Курск. гос. техн. ун-т. Курск, 2003. 260 с.
Физико-химические основы технологии электронных средств: Учебное пособие. Ч. 2/ Курск. гос. техн. ун-т. Курск, 2003. 214 с.
Методические указания по выполнению лабораторной работы по курсу «Физико-химические основы технологии электронных средств» для студентов, обучающихся по направлению подготовки дипломированных специалистов 654300 «Проектирование и технология электронных средств» и бакалавров и магистров 551100 «Проектирование и технология электронных средств»
Дэшман С. Научные основы вакуумной техники. М., 1964
Грошковский Я. Техника высокого вакуума. М., 1975
Розанов Л.Н. Вакуумная техника. М., 1982
Чен Ф. Введение в физику плазмы М., 1987
Приложение 1
|
Рис. 1.1.1 ВРАЩАТЕЛЬНЫЙ МАСЛЯНЫЙ НАСОС в разрезе (упрощенная схема). R – цилиндрический ротор; V и V – подпружиненные пластинки, разделяющие рабочий объем насоса на две части – входную A и выходную A; N – пружинный обратный клапан в выпускном патрубке. |
Приложение 2
|
Рис. 1.1.2. ДВУХРОТОРНЫЙ ВАКУУМНЫЙ НАСОС. Молекулы газа, входящие в насос сверху, выбрасываются в выпускной патрубок справа под действием двух быстро вращающихся роторов. Роторы, вращающиеся в противоположных направлениях, не соприкасаются ни друг с другом, ни со стенками корпуса. |