
Лабы / Электроника. Лабы. ЮЗГУ. / №1 / ЗИ31 / lab1
.docМинистерство образования и науки РФ
Курский государственный технический университет
кафедра ВТ
Лабораторная работа №1
«Полупроводниковые диоды и выпрямители»
Выполнил: ст-нт гр. ЗИ-31 Гордиенко А.В.
Проверил: Бобырь М.В.
Курск 2005
Цель работы
Изучение статических характеристик и параметров полупро-водниковых диодов и схем выпрямителей переменного тока.
Вариант №6.
Вариант |
Модель диода |
Параметры выпрямителя |
||
Кремниевый |
Германиевый |
Uвых, В |
Iн, мА |
|
6 |
1N4152 |
mbrb3030ct |
10 |
125 |
Порядок выполнения работы.
-
Исследование вольт-амперных характеристик диодов.
Собрать схему (рис. 1) для построения ветви ВАХ полупроводниковых диодов. Произвести измерения ВАХ кремниевого и германиевого диодов, модели которых заданы в таблице.
Рис. 1. Схема измерений прямой ветви ВАХ
Таблица 1
Результаты измерений
|
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
8 |
9 |
10 |
11 |
|
|
Iпр |
1 |
10 |
20 |
30 |
40 |
50 |
60 |
70 |
80 |
90 |
100 |
Ge |
Uпр |
0,1362 |
0,1977 |
0,2163 |
0,2272 |
0,2349 |
0,2409 |
0,2458 |
0,25 |
0,2536 |
0,2568 |
0,2596 |
Si |
Uпр |
0,6015 |
0,7151 |
0,793 |
0,8635 |
0,931 |
0,9967 |
1,061 |
1,125 |
1,189 |
1,252 |
1,315 |
U,
B I,
mA Ge Si
Измерить напряжение электрического пробоя каждого из исследуемых диодов по схеме рис. 2.
Рис. 2. Схема для измерения напряжения пробоя.
I,
mA U,
B Ge Si
Рис. 3. Обратная ветвь вольтамперной характеристики полупроводникового диода.
Для кремниевого диода марки 1N4152 Uпр~70 В, для германиевого диода марки mbrb3030ct Uпр~40 В.
-
Исследование схемы однополупериодного выпрямителя.
Рис. 4. Диаграмма переменного напряжения U2 и напряжения Uвых на нагрузке.
-
Исследование схемы двухполупериодного выпрямителя.
Рис.5. Схема двухполупериодного выпрямителя
Рис. 6. Диаграмма переменного напряжения U2 и напряжения Uвых на нагрузке.
Uп =0.5 В.
ΔU = 2Uп=2
0.5=1.41
В.
Umax = Uвых + ΔU / 2=10+1.41/2=10.71 В.
U2m ≈ Umax + 2=10.71+2=12.71 В.
U2 = U2m /=12.71/
=9.08
В.
N = U1 / (2·U2)=220/(2*9.08)=12.11
мкФ.