ОЭУ (Оптоэлекронные устройства) (экамен, вопросы) / OEU_EB_(20100126-1800)
.doc
Неофициальный список экзаменационных вопросов «Оптоэлектроника» (Оптоэлектроника, январь 2010) Распределение вопросов по билетам (на основе анализа вопросов из билетов №№ 2,5,6(8),7,13,17,19,20). |
НЕ СЕКРЕТНО
(но преподавателю лучше НЕ показывай ) |
1. |
2. |
3. |
Вопрос в экзаменационном билете (формулировки иногда НЕ дословны, но смысл сохранён)
|
|
|
Б5 |
1. Лазер. Режимы работы. |
|
|
|
2. Дисперсия. |
|
|
|
3. Основные типы полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. |
|
|
|
4. Физика полупроводников. Зонная структура. |
Б5 |
|
|
5. Генерация и рекомбинация носителей заряда. Концентрация носителей заряда в полупроводниках при термодинамическом равновесии. |
Б7 |
|
|
6. Время жизни неравновесных носителей заряда. Диффузия и дрейф носителей заряда. Подвижность. |
Б17 |
|
|
7. Гетеропереход, гетероструктура, двойная гетероструктура. |
Б2 |
|
|
8. Зонная диаграмма р-п - перехода в отсутствии внешнего напряжения и при прямом смещении. |
|
|
|
9. Планарные конструкции. |
|
|
|
10. Основные понятия электроники. Монохроматичность, когерентность, поляризация, генерация, рекомбинация. |
|
|
|
11. Открытие лазера. Шкала электромагнитных волн. Примеры конкретных лазеров. Корпускулярно-волновой дуализм. |
|
|
|
12. Энергетический спектр частицы. Уравнение Шрёдингера. Вырожденный |
|
|
|
и невырожденный уровни. |
Б(6/8) |
|
|
13. Монохроматичность, расходимость, пространственная и временная когерентность. |
Б13 |
|
|
14. Оптический диапазон. Границы длин волн и частот. |
|
Б20 |
|
15. Рекомбинация. Люминисценция. |
|
|
|
16. Энергетические зоны полупроводников. |
|
|
|
17. Диффузия и дрейф носителей заряда. |
|
Б5 |
|
18. Светодиоды, физические принципы, материалы, характеристики, конструкция. |
|
Б2 |
|
19. Фотодетекторы, лавинный диод. |
|
|
|
20. Электролюминисцентные пленочные излучатели, физические принципы, материалы, характеристики, конструкция. |
|
|
|
21. Фототранзисторы, устройство, характеристики, использование фототранзисторов. |
|
Б(6/8) |
|
22. Фотодиоды, физические принципы, материалы, характеристики, конструкция. |
|
Б13 |
|
23. Лавинные фотодиоды. |
|
|
|
24. Полупроводниковые фотоэлементы, физические принципы, характеристики, конструкция. |
|
|
|
25. Фоторезисторы, физические принципы, материалы, характеристики, конструкция. |
|
|
|
26. Фотодетекторы (p-i-n фотодиоды). Оптический приемный модуль. |
|
Б19 |
|
27. Излучающие и фотоэлектронные полупроводниковые приборы. Оптопары. |
|
Б7 |
|
28. Фототок. Коэфициент усиления. Технология изготовления и конструкция фоторезистора. |
|
|
|
29. Фотодиоды. Основные характеристики ФД. |
|
Б17 |
|
30. Светодиод. Внутренний квантовый выход, внешняя квантовая эффективность, квантовый выход. |
|
|
|
31. ВОЛС. Оптоэлектронные приборы. |
|
|
|
32. Оптические приемники. |
|
|
Б2 |
33. Оптические усилители, виды ОУ, рабочие диапазоны ОУ. |
Б20 |
|
|
34. Принципиальная схема ВОЛС. |
|
|
Б13 |
35. Оптоэлектроника. Предмет оптоэлектроники, основные элементы оптоэлектроники. |
|
|
Б7 |
36. Волоконные световоды, виды ВС, условие распространения света в ВС. |
|
|
|
37. Светоизлучательные диоды (СИД). Основные характеристики и параметры СИД. Видность. |
|
|
|
39. Оптоэлектроника. Предмет оптоэлектроники, основные элементы оптоэлектроники и физические явления, на которых они связаны. |
|
|
Б17 |
40. Оптические передающие модули. |
|
|
Б20 |
41. Оптоэлектронные приборы. Источники излучения. Параметры ИК диодов. |
|
|
Б19 |
42. Полупроводниковые лазеры. Когерентное излучение. |
|
|
|
43. Классификация лазеров. Режимы работы. |
|
|
|
45. Принцип работы лазера. Инверсная населенность в полупроводниках. Пороговый ток. |
|
|
Б(6/8) |
46. Лазер. Основные элементы лазера. |
|
|
|
47. Инверсная населенность в полупроводниках. |
Б19 |
|
|
Диод Шоттки. |
Результат анализа: Всё, что ЧЕРНЫМ — 95,7% так и есть.
Вывод: Не всё котам масленица .