- •Равновесное состояние p—n-перехода2
- •Напряженность электрического поля и распределение потенциалов в резком p-n переходе5
- •Ширина области объёмного заряда резкого p-nперехода6
- •Особенности плавных p-n переходов
- •Прямое смещение р—n-перехода7
- •Случай тонкой базы19
- •Зависимость вольт-амперной характеристики от материала р- и n-областей и температуры27
- •Особенности вольт-амперной характеристики реальных р—n-переходов32
- •Пробой р—n- перехода39
- •Поверхностный пробой56
- •Частотные и импульсные характеристики р—n- переходов57
Особенности вольт-амперной характеристики реальных р—n-переходов32
При выводе уравнения (2.18) не учитывался ряд явлений, имеющих место в реальных р—n- переходах. Поэтому вольтамперные характеристики реальных переходов лишь приближенно описываются этими уравнениями. Основные отличия заключаются в следующем.
В области объемного заряда р—n- перехода, как и в любом другом объеме полупроводникового материала, происходят генерация и рекомбинация носителей, причем реальная ширина33 этой области такова, что генерация или рекомбинация носителей в ней во многом определяет параметры вольт-амперной характеристики р—n- перехода в области относительно малых токов через переход.
Как известно, для большинства полупроводниковых материалов справедливы ловушечные механизмы генерации и рекомбинации носителей, а интенсивность этих процессов определяется концентрацией свободных носителей и ловушек.
При обратном смещении концентрация свободных носителей тока в области объемного заряда мала и рекомбинация носителей здесь маловероятна. В связи с этим большинство ловушек в этой области оказывается свободным, что приводит к увеличению скорости генерации носителей. Появляющиеся здесь электроны и дырки под действием сил электрического поля перехода выносятся из области объемного заряда, не успевая прорекомбинировать. При этом электроны перебрасываются в область n, а дырки в область р, создавая дополнительную составляющую обратного тока — ток термогенерации .34
Очевидно, что количество генерированных в переходе носителей пропорционально объему области объемного заряда, т. е. ее ширине l. Так как l изменяется с изменением U, то с увеличением обратного напряжения ток растет пропорционально для резкого и для плавного перехода (рис. 2.11)35.
Поверхностные токи утечки также влияют на обратный ток р—n-перехода. Ток поверхностной утечки обусловлен тем, что в месте выхода р—n-перехода на поверхность кристалла всегда имеются посторонние примеси, пленки окислов, влага и т. д., которые повышают поверхностную проводимость полупроводника и шунтируют р—n-переход36. При повышении напряжения ток утечки увеличивается примерно по линейному закону (рис. 2.11).
В результате при обратном смещении полный ток через переход оказывается равным
(2.23)
Причем растет с ростом обратного напряжения. В случае германиевых переходов доминирующим среди этих составляющих является тепловой ток , а для кремниевых р—n-переходов определяется током термогенерации .
При достаточно больших обратных напряжениях резко возрастает за счет пробоя перехода. Пробой перехода будет рассмотрен ниже.
Рис. 2.11. Вольтамперные характеристики идеализированного и реального р—n-переходов
Прямое смещение р—n перехода сопровождается повышением концентрации подвижных носителей в области объемного заряда за счет протекания прямого тока. Увеличение концентрации носителей в переходе повышает степень заполнения ими ловушек, что повышает вероятность рекомбинации. При прямом смещении перехода крутизна потенциального барьера уменьшается, и носители, не способные преодолеть барьер, приникают в переход гораздо глубже. При этом в переходе могут рекомбинировать не только те носители, которые имеют энергию большую, чем потенциальный барьер, и проходят область объемного заряда, но и носители с меньшей энергией. Последние, проникая в область объемного заряда, попадают в ловушку, которая затем захватывает носитель противоположного знака. В результате такой рекомбинации оказывается, что прямой ток через р—n- переход переносят и те носители, энергия которых меньше высоты потенциального барьера .37Т.е. в области малых прямых токов (сравнимых с ) вольтамперная характеристика перехода идет круче, чем это следует из экспоненциальной формулы (2.18) (рис. 2.11).
С ростом прямого тока ловушки заполняются носителями и рекомбинация в области объемного заряда становится незаметной на фоне тока инжекции основных носителей; вольтамперная характеристика подчиняется уравнению (2.18).
При дальнейшем увеличении прямого тока начинает сказываться падение напряжения на объемах р- и n- областей, которое складывается с падением напряжения на самом переходе. Вольтамперная характеристика вновь отклоняется от экспоненты, переходя почти в прямую линию (рис. 2.11)38