Galvanomagnetic-properties

81

23Woodbury, D.A. Impurity conduction and the metal-nonmetal transition in manganese-doped gallium arsenide / D.A. Woodbury, J.S. Blakemore // Phys. Rev. B. – 1973. – V.8, n. 4. – P. 3803–3810.

24О взаимодействии носителей заряда с локализованными магнитными моментами в InSb<Mn> и InAs<Mn> / Д.Г. Адрианов, В.В. Каратаев, Г.В.

Лазарева, Ю.Б. Муравлев, А.С. Савельев // ФТП – 1977. – Т.11, в.7. – С. 1252–

1259.

25Ferromagnetic semiconductor InMnAs layers grown by pulsed laser deposition on GaAs / Yu.A. Danilov, A.V. Kudrin, O.V. Vikhrova, B.N. Zvonkov, Yu.N. Drozdov, M.V. Sapozhnikov, S. Nicolodi, E.R. Zhiteytsev, N.M. Santos, M.C. Carmo, N.A. Sobolev // J. Phys. D: Appl. Phys. – 2009. – V.42. – P. 035006–1–5.

26Кудрин, А.В. Гальваномагнитные свойства магнитных полупроводников

InMnAs, GaMnAs и полуметаллических соединений MnAs, MnP: дис. На соискание учен. степ. канд. физ.-мат. наук. Нижний Новгород, 2009.-152с.

27 Влияние напряжений сжатия и растяжения в слоях GaMnAs на их магнитные свойства /Б.Н. Звонков, О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, Ю.Н.

Дроздов, А.В. Кудрин, М.В. Сапожников // Физика твердого тела. – 2010. –

Т.52, в.11. – С.2124-2127.

28http://demonstrations.wolfram.com/MagneticHysteresis/

29Ферромагнетизм в GaAs структурах с дельта-легированным Mn слоем /

О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, М.В. Дорохин, Б.Н. Звонков, И.Л. Калентьева,

А.В. Кудрин / Письма в ЖТФ. – 2009. – Т.35, в.14. – С.8-17.

30 Анизотропное магнетосопротивление и планарный эффект Холла в GaAs

структуре с дельта - легированным Mn слоем / А.В. Кудрин, О.В. Вихрова,

Ю.А. Данилов // Письма в ЖТФ. – 2010. – Т.36, в.11. – С.46-53.

31 Giant Planar Hall Effect in Epitaxial (Ga,Mn)As Devices / H.X. Tang, R.K. Kawakami, D.D. Awschalom, M.L. Roukes // Phys. Rev. Lett. – 2003. – V.90, n. 10. – P.107201, 1-4.