Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

методичка

.pdf
Скачиваний:
17
Добавлен:
19.03.2015
Размер:
766.6 Кб
Скачать

51

Поглинач

, г/см3

А, г/моль

Al

2.7

26.98

Sn

7.29

118.69

Pb

11.34

207.2

Контрольні питання:

1.При яких процесах випромінюються -кванти?

2.Який фізичний зміст має коефіцієнт ослаблення -променів?

3.Чим відрізняються лінійний, масовий та атомний коефіцієнти поглинання?

4.Поясніть фізичний зміст атомного фотоефекту.

5.У чому полягають ефект Комтона та народження електронно-позитронних пар?

6.Поясніть принцип функціонування лічильника Гайгера-Мюллера?

7.За рахунок чого сцинтиляційний детектор працює у пропорційному режимі?

Література

1.Сивухин Д.В. Общий курс физики. Т.5 -1. Атомная и ядерная физика. - М.:

Наука, 1986, §2.: Т.5 -2. §71-75, 86.

2.И.В. Савельев. Курс общей физики. Т.3. Квантовая оптика, атомная физика, физика тверого тела, физика атомного ядра и элементарных частиц. - М.:

Наука, 1979, §11,70,75.

3.Лабораторные занятия по физике. Под редакцией Л.Л.Гольдина. - М.: Наука, 1983,§6.3.

4.Мухин К.Н. Экспериментальная ядерная физика. М., Атомиздат, 1974.

5.Вальтер А.К., Залюбовский И.М. Ядерная физика. Из-во ХГУ, 1974

6.Широков Ю.М., Юдин И.П. Ядерная физика. М., “Наука”, 1972

52

ЛАБОРАТОРНА РОБОТА № 5

ВИЗНАЧЕННЯ ТИПУ ТА ПАРАМЕТРУ ЕЛЕМЕНТАРНОЇ КОМІРКИ КРИСТАЛА КУБІЧНОЇ СИНГОНІЇ

Мета роботи: ознайомитись з методикою отримання рентгенівських дифрактограм за допомогою рентгенівського дифрактометра, встановити тип комірки Браве кубічного кристалу, визначити параметр елементарної комірки

Прилади: дифрактометр рентгенівський ДРОН-4-07

1.Теоретичні відомості

1.1.Основні закономірності будови кристалів

Для багатьох твердих тіл характерним є існування кристалічної гратки - трьохвимірної періодичної структури, яка побудована з дискретних елементів (молекул, атомів, іонів). Точки простору, яким відповідають положення центрів тяжіння нерухомих дискретних елементів, називають вузлами кристалічної гратки.

В ідеальному кристалі вузли різного сорту утворюють нескінчені ряди. Дуже важливо, що для кожного такого ряду завжди можна вказати деяку мінімальну відстань а, при зсуві на яку ряд суміщується сам з собою. Така операція називається трансляцією. Відповідно параметр а називають періо-

дом ідентичності, або періодом трансляції. Вузли кристалічної гратки утво-

рюють ряди, які, в свою чергу, об’єднуються у плоскі сітки. Сукупність плоских сіток породжує кристалічну гратку. Тому завжди можна вказати три некомпланарні елементарні трансляції а1, а2, а3, за допомогою яких задатється положення будь-якого вузла кристалічної гратки:

 

 

 

 

 

R

ma1

na2

pa 3

(1)

53

де m, n, p - цілі числа. Вектор R називається вектором трансляції. Косокутний паралелепіпед, побудований на трьох елементарних трансляціях є елементарною коміркою кристала. Очевидно, зміщуючи елементарну комірку на вектор трансляції R, можна побудувати весь кристал. Чисельні значення елементарних трансляцій (а1, а2, а3) називають параметрами елементарної комірки.

 

Z

 

Елементарна комірка є важливою харак-

 

 

теристикою структури кристала, оскільки її

 

a3

 

 

 

симетрія та параметри цілком визначають бу-

a2

Y

дову кристалічної гратки. Дуже важливо, що

 

існує всього сім незалежних типів елементар-

 

 

 

них комірок, які відрізняються формою косо-

O

 

 

кутного паралелепіпеда. Вони утворюють сім

a1

X

кристалічних систем або сингоній. Виберемо

 

кристалографічну систему координат так,

Ðè ñ. 1

щоб вісь ОХ співпадала з напрямком вектора

а1, OY - а2, OZ - а3 (рис. 1). Кут між осями ОХ

 

та OY прийнято позначати як , осями OX та OZ - , OY та OZ - .

1.Триклинна сингонія: а1 а2 а3; . Тип комірки - Р.

2.Моноклинна сингонія: а1 а2 а3, = = 900, 900. Тип комірок - Р,С.

3.Ромбічна сингонія: а1 а2 а3; = = =900. Тип комірок - P,C,I,F

4.Ромбоедрична (тригональна) сингонія: а1 а2 а3; = = 900. Тип комірки - Р.

5.Тетрагональна сингонія: а1 = а2 а3; = = =900. Тип комірок - Р,І.

6.Гексагональна сингонія: а1 = а2 а3; = =900, =1200. Тип комірки - Р.

7.Кубічна сингонія: а123; = = =900. Тип комірок - Р,І,F.

Тип елементарної комірки визначається розташуванням вузлів на поверхні граней та в об’ємі комірки. Примітивній (Р) елементарній комірці відповідає розташування вузлів тільки у вершинах косокутного паралелепіпеда. В об’ємоцентрованій комірці (І), окрім вузлів у вершинах існує додатковий вузол у центрі комірки. Для гранецентрованої комірки (F) характерним є розташування додаткових вузлів не в об’ємі комірки, а в центрі кожної з її граней. І нарешті, у базоцентрованій комірці додаткові вузли лежать у центрах пари протилежних граней. Якщо ця пара граней перпендикулярна до осі OZ, то така комірка є коміркою типу С. Якщо ж відповідні грані перпендикулярні до осей ОХ та OY, то відповідні комірки називаються типу А та В. Виявляється,

54

що наявність трансляційної симетрії обмежує кількість можливих типів елементарних комірок для кожної сингонії. Усі можливі типи комірок для кожної сингонії наведено вище при описі ознак сингоній. Як видно, з урахуванням форми елементарної комірки та її типу існує всього 14 незалежних видів елементарних комірок. Конжа з них називається коміркою Браве. Таким чином, існує 14 видів кристалічних граток (граток Браве), побудованих шляхом трансляцій відповідних комірок Браве.

a)

á)

â)

 

ã)

 

Рис. 2 Далі будемо розглядати тільки кристали кубічної сингонії. До неї нале-

жить більшість металів, а також такі класичні напівпровідники, як кремній, германій, CdS, ZnS, InSb, GaAs, тощо. На рис. 2а-2в показаний вигляд примітивної (а), об’ємоцентрованої (б) та гранецентрованої (в) кубічних комірок. Для кристалів цієї сингонії характерним є ще один тип елементарної комірки - типу діаманту. В цьому випадку чотири додаткових вузли розташовуються всередині F-комірки таким чином, що для кожного з них чотири найближчі сусідні вузли лежать у вершинах правильного тетраедра (рис. 2г).

55

Якщо в кристалічній гратці провести деяку площину таким чином, щоб їй належало, принаймні, три вузли, що не лежать на одній прямій, то така площина називається кристалографічною або атомною площиною. Нехай сукупність рівновіддалених атомних площин, одна з яких проходить через початок кристалографічної системи координат (нульовий вузол), розбиває елементарні трансляції а1, а2, а3 на h-,k- та l-частин відповідно. Виявляється, що наявність

 

x3

3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

трансляційної

симетрії

вима-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

гає, щоб числа h, k, l були тіль-

 

x1

 

x2

 

 

ки цілими. Три взаємно прості

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

числа (hkl), які показують, на

a1

 

 

 

 

 

 

 

a2

скільки частин система

пара-

 

a)

 

 

 

 

лельних

кристалографічних

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

площин розбиває кожну з еле-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Z (111)

 

 

 

(110)

ментарних трансляцій, нази-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ваються

індексами

Міллера

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

цієї системи площин. Зро-

 

á)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

â)

зуміло, що індекси Міллера

 

Y

 

 

 

 

 

 

 

 

окремої площини - це частини

X

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

від

елементарних трансляцій,

 

Ðè ñ. 3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

які

відсікає на

осях

ОX, OY,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

OZ ця площина. Таким чином,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

x1=a1/h;

x2=a2/k; x3=a3/l

( рис.

3а).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Як приклад, на рис. 3б, 3в зображено орієнтацію деяких атомних площин у кубічній елементарній комірці.

Мінімальна відстань між окремими площинами даної паралельної сукупності називається міжплощинною відстанню і позначається d hkl . Для кубічних

кристалів існує проста формула, яка дозволяє для будь-якої сукупності паралельних площин з індексами (hkl) визначити міжплощинну відстань:

d hkl

 

 

a

 

 

(2)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

k 2

 

 

 

h2

l2

Розглянемо явища, які відбуваються при відбиванні рентгенівських променів від паралельної сукупності кристалографічних площин. Ннхай пучок рентгенівських променів з довжиною хвилі падає під кутом на пара-

56

лельну систему атомних площин з відстанню dhkl (рис. 4). Тоді, промені 1 та 2, відбиваючись від площин А та В, будуть інтерферувати між собою, причому результат інтерференції залежить від різниці ходу між цими променями: = CD + DM = 2dhklsin . Максимуми інтерференції будуть спостерігатися при таких кутах ковзання , які відповідають умові

2 d hkl sin n ,

n 1 ,2 ,3 , . . .

(3)

Співвідношення (3) називається рівнянням Бреггів для дифракції рентгенівських променів. Ціле число n визначає порядок відбивання.

 

 

Таким чином, при відбивання пучка рентгенівських променів з довжиною

 

 

 

1

 

хвилі від системи атомних площин (hkl) інтенсив-

 

 

 

 

ність відбитого рентгенівського випромінення різко

 

 

 

 

 

 

 

 

2

 

зростає у напрямках, що визначаються рівнянням

 

 

 

 

 

Бреггів. Оскільки міжплощинні відстані у кубічних

dhkl

 

C

M

 

кристалах однозначно пов’язані з величиною пара-

 

 

метра елементарної комірки а (2), то дослідження

 

 

 

 

 

 

 

 

дифракції рентгенівських променів на

таких

 

 

 

D

 

 

 

 

Ðè ñ. 4

 

об’єктах дозволяє безпосередньо отримати

інфор-

мацію про величину цього параметра а. Дійсно, підставляючи значення dhkl із рівняння (2) у рівняння (3), маємо:

 

 

 

 

 

 

 

sin

 

H 2

K 2

L 2

(4)

 

 

2 a

 

 

 

 

 

 

Величини H=hn, K=kn, L=ln називаються індексами інтерференції. Послідовне урахування відмінностей у симетрії елементарних комірок

кубічних кристалів різних типів (P, F, I та типу діаманта) приводить до того, що для кожного типу комірки існують такі системи площин, при відбивання рентгенівських променів від яких ні під якими кутами максимуми інтерференції не спостерігаються. Кажуть, що у цих напрямках відбувається згасання інтерференції. В табл. 1 наведено значення індексів інтерференції, що визначають умови згасань.

Табл.1.

Тип грат-

индекси інетрференції H,K,L відповідні структурним згасан-

ки

ням

Р

немає

І

H+K+L - парне число

 

57

 

 

F

H,K,L- числа різної парності

тип

H,K,L- числа різної парності

діаманта

H,K,L- парні числа, але їх сума не кратна 4

Таким чином, у реальному експерименті з дифракції рентгенівських променів на кубічному полікристалі завдяки структурним згасанням будуть існувати відбивання лише від площин з певними, індивідуальними для кожного типу елементарної комірки, індексами Міллера. В табл.2 наведено значення індексів інтерференції для перших семи інтерференційних максимумів.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Табл.2

Гратка Р

 

Гратка І

Гратка F

Тип діаманта

лінії

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

HKL

H2+K2+L2

HKL

H2+K2+L2

HKL

H2+K2+L2

HKL

H2+K2+L2

1

100

1

110

 

2

111

3

111

3

2

110

2

200

 

4

200

4

220

8

3

111

3

211

 

6

220

8

311

11

4

200

4

220

 

8

311

11

400

16

5

210

5

310

 

10

222

12

331

19

6

211

6

222

 

12

400

16

422

24

7

220

8

321

 

14

331

19

531

35

Визначивши кути Бреггів, що відповідають першій структурній лінії 1, другій структурній лінії 2, тощо , можна на підставі формули (3) скласти відношення

sin2 1:sin2 2: ...= (H12+K12+L12):(H22+K22+L22): ...

(5)

Оскільки величини (H2+K2+L2), ... для кожного типу комірки кубічного кристала чітко визначені, то і відношення, яке стоїть у правій частині рівняння (15), являє собою характерний для кожного типу комірки ряд чисел (табл.3).

Табл. 3

Тип

H12+K12+

H22+K22+

H32+K32+

H42+K42+

H52+K53

H62+K62+

H72+K72+

гратки

L12

L22

L32

L42

+

L62

L72

 

 

 

 

 

L53

 

 

P

1

2

3

4

5

6

8

58

I

1

2

3

4

5

6

7

F

1

1,33

2,67

3,67

4

5,33

6,33

тип

 

 

 

 

 

 

 

діаман-

1

2,67

3,67

5,33

6,33

8

9

ту

 

 

 

 

 

 

 

Таким чином, якщо експериментально визначити бреггівські кути 1, 2,

..., знайти відношення квадратів їх сінусів, то за допомогою табл.3 можна визначити тип комірки відповідного кубічного кристала.

1.2. Принцип роботи рентгенівського дифрактометра

Рентгенівський дифрактометр - це прилад, який дозволяє досліджувати дифракцію рентгенівських променів на різних об’єктах (як на твердих тілах, так і на рідинах) за умови реєстрації розсіяного випромінення сцинтиляційним або іонізаційним детекторами. Принципова схема дифрактометра включає три обов”язкових блоки (рис.5): джерело рентгенівського випромінювання (1), гоніометр (II), блок реєстрації рентгенівських променів (III).

1.2.1. Джерело рентгенівського випромінювання

Цей блок (надалі скорочено ДРВ - джерело рентгенівського випромінювання) призначений для утворення стабільного за часом рентгенівського пучка. Густина потоку рентгенівських квантів повинна бути достатньою для того, щоб розсіяне зразком рентгенівське випромінення надійно реєструвалося детектором. Головним елементом ДРВ є рентгенівська трубка (1). Всередині корпусу трубки вміщені масивний анод, що охолоджується проточною водою, та катод у вигляді вольфрамової спіралі. Внутрішня частина трубки, де розміщені анод та катод, відкачана до тиску 10-5 мм.рт.ст. Для розігріву катоду прикладається змінна напруга U=(2-4)V. В робочому режимі рентгенівської трубки її анод заземлений, а на катод подається висока напруга від”ємної полярності. Значення високої напруги звичайно складає U=20-40 kV. Електрони, ежектовані катодом, прискорюються електричним полем в проміжку між катодом і анодом та зазнають гальмування у речовині аноду. При цьому в результаті іонізації атомів речовини аноду випромінюється характеристичне рентгенівське випромінювання, а гальмування електронів катодного пучка у полі ядер призводить до генерації гальмівного рентгенівського випромінювання. Таке поліхроматичне випромінення виходить з трубки крізь вікна, виготовлені з механічно міцного, але слабо поглинаючого рентгенівське випромінення

рен тген ³вська трубка

U

-kV

ÃÏ

áëî ê ²

детекто р

 

1

 

верти кальн а

2

â³ñü59

3

 

 

4

зразо к

 

 

5

áëî ê ²²

áëî ê ²²²

 

Ðè ñ. 5

 

матеріалу. Здебільшого для матеріалу вікон використовують берилійові пластини товщиною (0,3-0,5)мм.

Висока напруга та напруга накалу подаються на рентгенівську трубку від генераторного пристрою. Основним елементом генераторного пристрою є високовольтний трансформатор. Змінна висока напруга з виходу трансформатора поступає на випрямляч з фільтром. Для утримання заданого значення постійної високої напруги використовується стабілізатор високої напруги. Постійне значення струму трубки задається за допомогою стабілізатора анодного струму, який керує струмом накалу. Використання стабілізаторів напруги та струму дозволяє створювати пучок рентгенівських променів, коливання інтенсивності якого у часі не перевищує 1%.

1.2.2 Гоніометр

Він забезпечує реєстрацію розсіяного зразком випромінення у різних напрямках по відношенню до напрямку розповсюдження первинного рентгенівського пучка (рис.5, блок II). При вивченні структури полікристалів матеріалу, що досліджується, надають форму зразка з плоскою поверхнею. Зразок закріплюється у спеціальному держаку та має можливість обертатись навколо вертикальної осі. При обертанні зразка змінюється кут ковзання ( ) первинного пучка відносно до площини поверхні.

1.2.3 Блок реєстрації рентгенівського випромінювання

Рентгенівські промені, відбиті від зразка, потрапляють у детектор (1) (рис.5, блок III). У сучасних дифрактометрах як детектор використовуються кристали-сцинтилятори, наприклад, NaJ, активований Та. Поглинання рентгенівських квантів у речовині сцинтилятора викликає народження оптичних фотонів, які реєструються фотоелектронним помножувачем. Вихідний сигнал ФЕП являє собою імпульс напруги, амплітуда якого пропорційна енергії поглинутого рентгенівського кванта. Далі сигнал з виходу ФЕП потрапляє на вхід підсилювача (2) та після підсилення - в амплітудний дискримінатор (3). У да-

60

ному блоці із множини імпульсів різної амплітуди, що відповідають поглинутим квантам різної енергії, відокремлюються лише сигнали з амплітудою, величина якої знаходиться у деякому заданому діапазоні значень від Vн до Vв . Ширина діапазона W = Vв - Vн (регулювання - “вікно”) та його нижній рівень Vн (регулювання - “поріг”) встановлюються таким чином, щоб відокремлювались імпульси напруги, які відповідають фотонам К1,2- ліній характеристичного спектра анода. При правильно підібраному режимі дискримінації сигналу досягається висока ступінь селективності квантів, що реєструються - в основному це К- випромінення. Для пригнічення К-випромінення, енергія якого близька до К, перед входом детектора ставлять поглинач з матеріалу з порядковим номером Z(погл)= Z(анод) - 1, який слабо поглинає К-лінії та сильно К- лінії. Існує інший спосіб монохроматизації, який базується на відбиванні первинного пучка від монокристалів під кутом, що задовольняє умові Бреггів

для К1,2- ліній.

Імпульси, що пройшли амплітудну селекцію, потрапляють на інтенсиметр

(4). В інтенсиметрі відбувається інтегрування імпульсів таким чином, що відхилення стрілки пропорційне середній кількості імпульсів, потрапляючих з детектора в одиниці часу, а, одже, інтенсивності рентгенівського випромінювання. Сигнал з інтенсиметра може бути записаним за допомогою самописця (5).

Рентгенівський дифрактометр ДРОН-4 являє собою сучасний апарат даного класу. Тому практичну методику отримання дифракційних спектрів полікристалів доцільно засвоювати саме на цьому приладі.

Головна особливість дифрактометра ДРОН-4 полягає у тому, що у нього є можливість автоматизованої зйомки та обробки дифрактограм за допомогою ПЕОМ. Для цього призначений керуючий комплекс, до складу якого входять ЕОМ ВЕРХНЬОГО РІВНЯ (ЕОМ ВР - персональний комп’ютер типу IBM PC), ЕОМ НИЖНЬОГО РІВНЯ (ЕОМ НР - внутрішній процесор комплексу управління) та виконавчі механізми. В ЕОМ НР, виконану на основі мікроЕОМ “Електроніка МС 0507”, можуть бути введені дані про необхідні режими роботи блока реєстрації та гоніометра, які надалі будуть зберігатися в оперативній пам”яті. За командою оператора ЕОМ НР запускає виконавчі механізми та контролює процес зйомки дифрактограм.

Найбільш ефективним є такий режим, коли роботою ЕОМ НР керує не оператор, а ЕОМ ВР. Для роботи цього управляючого комп’ютера створено