книги из ГПНТБ / Шапиро Д.Н. Основы теории и расчета усилителей высокой частоты на транзисторах
.pdfД. Н. ШАПИРО
ОСНОВЫ ТЕОРИИ И РАСЧЁТА УСИЛИТЕЛЕЙ ВЫСОКОЙ ЧАСТОТЫ НА ТРАНЗИСТОРАХ
ГОСУДАРСТВЕННОЕ ИЗДАТЕЛЬСТВО ЛИТЕРАТУРЫ ПО ВОПРОСАМ СВЯЗИ И РАДИО
МОСКВА 1962
•А*'- >: ■■-.ггт.___ :• J JT Z ^-^ -T tsdi
с и - S ' £ 3 4 * ,
|
В |
пе р вы х |
|
тр ё х |
главах |
к н и ги с ущ е ств ую |
|||||||||||||
|
щ ая |
теория |
|
усто й чи во сти усилителей вы |
|||||||||||||||
|
соко й |
частоты |
получает |
своё |
дальнейш ее |
||||||||||||||
|
ра звити е |
|
и |
|
обобщ ение, что позволяет |
п р и |
|||||||||||||
|
м еня ть |
её |
для |
л ю б ы х |
уси л и те л ь н ы х |
прибо |
|||||||||||||
|
ро в |
с |
пр оизвольны м и |
ком пл ексны м и |
|
мало |
|||||||||||||
|
с и гн а л ь н ы м и |
парам етрам и. На |
этой |
основе |
|||||||||||||||
|
ан а л и зир уе тся работа |
ряда |
тип о в |
уси л и те |
|||||||||||||||
|
лей, |
и с п о л ь зую щ и х |
уси л и те л ьн ы е |
приборы » |
|||||||||||||||
|
у сто й ч и в ы е |
|
при двусто рон нем коротком за |
||||||||||||||||
|
м ы ка н и и , |
и |
|
разраб аты вается |
м етодика |
их |
|||||||||||||
|
и н ж е н е р н о го |
расчёта. |
Эти |
главы интересн ы |
|||||||||||||||
|
не тол ько в пределах относительно узко й |
||||||||||||||||||
|
области |
усилителей |
на |
тр а н зи сто р а х . |
|
|
|
||||||||||||
|
В |
четвёртой |
главе |
даю тся |
п р а кти че ские |
||||||||||||||
|
у ка за н и я |
|
и |
пр им ер ы |
|
расчёта |
усилителей |
на |
|||||||||||
|
т р а н зи сто р а х . |
Эта |
глава |
построена |
та к , |
||||||||||||||
|
чтобы |
читате ль |
|
м ог |
|
пользоваться |
ею |
ка к |
|||||||||||
|
пособием |
|
пр и |
п р о е ктир о ва н ии |
без предва |
||||||||||||||
|
р и те л ьн о го |
и зучен ия |
|
п е р в ы х |
тр ё х глав. С |
||||||||||||||
|
это й |
целью |
|
в ней п о втор но приведены |
о п |
||||||||||||||
|
ределения |
|
всех |
и сп о л ьзуе м ы х |
величин |
и |
|||||||||||||
|
п о чти |
все |
расчётны е |
ф орм улы |
(иногда |
с |
|||||||||||||
|
небольш им и |
|
изм енениям и). |
|
|
|
|
|
|
||||||||||
|
К нига |
предназначена |
для |
|
н а у ч н ы х ра |
||||||||||||||
|
б о тн ико в |
и |
инж ен еро в , |
а |
т а к ж е для |
препо- |
|||||||||||||
/ |
давателей, |
асп ир антов |
и |
студе нто в |
с т а р ш и х |
||||||||||||||
|
к ур со в |
в ы сш и х |
уч е б н ы х |
заведений |
соответ |
||||||||||||||
|
с т в ую щ е го |
проф иля. |
Она |
предполагает |
зна |
||||||||||||||
|
ком ство читателя с теорией |
ла м п овы х |
у с и |
||||||||||||||||
|
лителей |
вы сокой |
ча стоты , |
|
со |
свойствам и |
|||||||||||||
|
тран зи сто р о в и |
и х м ало сигна льны м и |
|
пара |
|||||||||||||||
|
м етрами |
(с |
основам и |
теории |
не автоном ны х |
||||||||||||||
|
а к т и в н ы х |
|
л и н е й н ы х |
че ты р ё хп о л ю сн ико в ). |
|
ПРЕДИСЛОВИЕ
Специфические особенности транзисторов (полупроводнико вых триодов) — малое входное сопротивление, сильная внутрен няя обратная связь и комплексный характер малосигнальных параметров даже на сравнительно низких частотах — застав ляют пересматривать многие привычные представления и изме нять методы анализа и расчёта радиотехнических схем, разрабо танные и хорошо освоенные в период развития ламповой радио техники. Для многих схем разработка новых методов расчёта отстаёт от прогресса в области производства транзисторов. Это задерживает внедрение транзисторов в аппаратуру, где приме нение их дало бы существенные преимущества.
Именно так, в частности, обстоит дело с внедрением транзи сторов в усилители высокой частоты. Несколько лет назад такие усилители строились только с нейтрализацией внутренней об ратной связи через транзистор при помощи внешних линейных элементов. Однако для массового и даже крупносерийного про изводства точная нейтрализация, связанная, как правило, с не обходимостью специальной индивидуальной подстройки каждой ступени (учитывая значительный разброс параметров транзи сторов), неприемлема. Кроме того, в условиях эксплуатации точность её нарушается вследствие изменения параметров тран зисторов при изменении температуры окружающей среды, режи ма питания, частоты настройки усилителя и т. д. В настоящее время промышленность освоила выпуск транзисторов с гранич ными частотами до нескольких сотен мегагерц, что делает воз-
. можным изготовление усилителей высокой частоты с постоянной и переменной частотой настройки в диапазоне до 100 Мгц и вы ше без нейтрализации. Такие усилители широко исследуются и строятся как у нас, так и за рубежом, о чём можно судить по большому количеству работ, опубликованных в периодической печати. Однако законченная теория и полноценная методика их инженерного расчёта, которые существенно облегчили и ускори ли бы широкое внедрение их в практику, пока не созданы.
Цель настоящей работы — способствовать заполнению ука занного пробела. Она представляет собой изложение ряда ис следований, выполненных автором по данному вопросу в период
3
с 1956 г. по 1960 г. Несмотря на довольно значительный круг рассмотренных в ней вопросов, она далека от того, чтобы её можно было считать исчерпывающей проблему. Так, в частно сти, в ней совершенно не рассмотрены усилители с переменной частотой настройки, усилители с взаимно-расстроенными конту рами, вопросы выбора режима транзисторов в различных ступе нях усилителя, вопросы обеспечения автоматической регулиров ки усиления и др. Тем не менее автор надеется, что и в настоя щем её виде эта работа окажется полезным пособием как для инженеров практиков, так и для преподавателей, аспирантов и студентов высших учебных заведений.
Отдельные положения и выводы этой работы неоднократно докладывались автором на научно-технических конференциях.
Научно-технического общества |
радиотехники и электросвязи |
им. А. С. Попова и излагались |
на лекциях, читавшихся в фа |
культативном порядке в 1958—1960 гг. для студентов старших курсов Ленинградского электротехнического института связи им. проф. М. А. Бонч-Бруевича и для работников промышленно сти. Предлагаемая автором методика расчёта с успехом исполь зовалась при некоторых разработках радпоустройств на тран зисторах.
Автор заранее приносит свою глубокую благодарность чита телям за критические замечания, которые следует направлять в Связьиздат по адресу: Москва-центр, Чистопрудный бульвар, 2.
Автор
Г Л А В А П Е Р В А Я
КОЭФФИЦИЕНТ УСТОЙЧИВОСТИ УСИЛИТЕЛЯ ВЫСОКОЙ ЧАСТОТЫ
1.1. Современное состояние теории устойчивости усилителей высокой частоты и задачи, стоящие перед исследователями в этой области
При проектировании усилителей высокой частоты (принимае мого сигнала и промежуточной частоты), как и при решении боль шинства технических задач, приходится сталкиваться с рядом трудностей. К ним относится, в частности, противоречие между стремлением получить возможно большее усиление от каждой из ступеней и стремлением обеспечить устойчивость усилителя. Под устойчивостью понимается стабильность его основных характери стик при изменениях рабочего режима, параметров усилитель ных приборов и элементов схемы, практически возможных при производстве и эксплуатации. Суть этого противоречия заклю чается в следующем.
Любой усилительный прибор в его рабочем диапазоне частот способен обеспечить коэффициент усиления по мощности, пре вышающий единицу; поэтому при его помощи, прибегнув к по ложительной обратной связи, принципиально можно построить автогенератор, а следовательно, и усилитель, обладающий сколь угодно большим коэффициентом усиления (недовозбуждённый автогенератор). В очень многих случаях для этого нет надобно сти прибегать к внешним обратным связям: вполне достаточно внутренней обратной связи, т. е. связи выходной цепи со вход ной через тот же усилительный прибор; необходимо лишь соот ветствующим образом нагрузить его со стороны выходных и входных зажимов. (Если таким путём можно довести схему до самовозбуждения, то говорят, что на данной частоте усилитель ный прибор потенциально неустойчив.)
Правда, с ростом усиления сужается полоса пропускания; но противоречие между усилением и шириной полосы пропуска ния — другая проблема. Интересующее же нас противоречие между усилением и устойчивостью выступает в наиболее чистом виде, если допустить, что нас устраивает сколь угодно узкая по лоса пропускания, лишь бы она была достаточно стабильна.
Чем ближе будем подходить к границе самовозбуждения, стремясь получить большее усиление, тем сильнее влияют на
5
коэффициент усиления и полосу пропускания случайные изме нения параметров элементов схемы. Поэтому в усилителях, как правило, не применяются внешние положительные обратные свя зи. При потенциальной неустойчивости усилительного прибора наибольший коэффициент усиления, который можно получить от одной ступени, не прибегая к нейтрализации внутренней обрат ной связи внешними элементами, ограничивается требованием удалённости от границы самовозбуждения.
Указанная связь между устойчивостью и удалённостью от границы.самовозбуждения приводит к тому, что часто эти два понятия отождествляются, а это направляет исследователей на ложный путь и тормозит развитие теории. Чтобы избежать оши бок, следует помнить, что близость усилителя к самовозбужде нию (речь идёт о самовозбуждении на рабочих, а не на паразит ных частотах) опасна не сама по себе, а именно тем, что она приводит к усилению влияния изменений параметров элементов схемы на характеристики усилителя и. что начало самовозбуж дения следует рассматривать как крайний случай проявления такого усиленного влияния. С этой точки зрения в общем слу чае усилительного прибора с комплексными малосигнальными параметрами могут оказаться опасными и такие внутренние об ратные связи, при которых усилитель весьма далёк от самовоз буждения.
Ивсё же удалённость от самовозбуждения является первым
иобязательным условием устойчивости; с исследования этой удалённости должна начинаться теория устойчивости.
В ламповых усилителях требование удалённости от самовоз буждения нередко отходит в тень из-за того, что современные высокочастотные пентоды имеют малые проходные ёмкости, и обратная связь через них начинает сказываться лишь при та ком большом усилении, которое исключается по другим сообра жениям: в усилителях частоты принимаемого сигнала большое усиление нежелательно из-за значительных перекрёстных иска жений в последующих ступенях; в узкополосных усилителях про межуточной частоты — из-за относительно большой ёмкости кон туров, необходимой для неизменности частоты настройки при сме не ламп (это тоже один из вопросов устойчивости, не отпадаю щий и при отсутствии обратных связей); в широкополосных уси лителях промежуточной частоты — из-за малой добротности контуров. В этих случаях можно ограничиться поверочным рас чётом на удалённость от самовозбуждения после того, как все параметры усилителя уже выбраны, исходя из других сообра жений. Сама теория устойчивости ламповых усилителей, в смыс ле удалённости от самовозбуждения, рассматривается поэтому как самостоятельный раздел теории этих усилителей, не связан ный органически с другими её разделами.
6
Не так обстоит дело с усилителями на транзисторах. Обрат ная связь через транзистор (триод) начинает сильно влиять на работу усилителя уже при относительно небольшом усилении. Поэтому требования устойчивости, связанные с этим влиянием, выступают на первый план и должны лежать в основе всего расчёта. Следовательно, теория устойчивости не может оста ваться обособленной, а должна служить фундаментом для всех остальных разделов теории полупроводниковых усилителей. Поэтому теория устойчивости должна сделать выбор на глядной количественной характеристики степени устойчивости, обосновать нормы и создать простую методику инженерного рас чёта усилителей, исходя из заданной степени устойчивости.
Для того чтобы выяснить, в какой мере теория устойчивости усилителей высокой частоты вообще, и на транзисторах в ча стности, в современном её состоянии удовлетворяет изложен ным требованиям, рассмотрим наиболее интересные из работ, опубликованных в печати по этому вопросу.
1
Рис. 1.1. Входная ступень резонансного усилителя
Теория устойчивости ламповых усилителей высокой частоты, хорошо знакомая широким кругам отечественных радиоспециа листов, была разработана В. И. Сифоровым в 1930—1931 гг. [Л1]. Согласно ей об устойчивости многоступенного резонансно го усилителя судят по активной составляющей его входной про водимости Re YeX , измеренной между точками 1— 1 (рис. 1.1) с учётом входного контура. В качестве критерия устойчивости, по нимаемой, в первую очередь, как удалённость от самовозбужде ния, принимают коэффициент устойчивости [Л2, стр. 83]:.
( 1. 1)
где R g — резонансное сопротивление входного контура усили теля без учёта влияния обратных связей, а Я ’э — резонансное
сопротивление того же контура с учётом обратных связей и при
7
самой невыгодной комбинации расстроек всех колебательных контуров».
В. И. Сифоров показал, что устойчивый резонансный коэф фициент усиления одной ступени многоступенного резонансного усилителя с одинаковыми контурами (включая входной) при данном К у может быть найден как
|
2 (1 — K v) S |
|
|
V |
при п = 1 |
К.о. уст |
( 1.2) |
|
|
V- |
Ку) s при п^>~ оо, |
|
2К у (1 - |
где S — крутизна характеристики, Сса — ёмкость сетка—анод лампы, п — число ступеней.
Величину К у В. И. Сифоров рекомендует выбирать равной 0,8-=-0,9 [Л2, стр. 85]. Коэффициент устойчивости, определённый выражением (1.1), имеет ясный физический смысл. Норма 0,8—j—0,9 была предложена без достаточного обоснования, а толь ко исходя из соображений, что «для обеспечения высокой устой чивости Ку нужно выбирать возможно более близким к едини це», но выбирать его «очень близким к единице с точки зрения усиления нецелесообразно». Всё же эта норма выдержала мно голетнюю проверку практикой. Формулы (1.2) достаточно про сты и удобны для инженерных расчётов. Эти причины и опреде-, лили большое практическое значение работы В. И. Сифорова.
Однако в 1949 г. А. А. Колосов подверг эту работу критике, указав, что в ней рассматривается лишь влияние обратной связи через внутриламповую ёмкость анод—сетка, не вскрывается связь между частотой самовозбуждения и частотой настройки усилителя и не учитываются особенности свч диапазона [ЛЗ,
стр. 348].
А. А. Колосов предложил исходить при оценке устойчивости резонансного усилителя, понимаемой, опять-таки, в первую оче редь, как удалённость от самовозбуждения, из анализа К р — «коэффициента передачи по кольцу обратной связи», в соответ ствии с общей теорией усилителей с обратной связью, изложен ной Г. Боде [Л4], и определить коэффициент устойчивости усили теля как [ЛЗ, стр. 361]
G = * L = f ° L =a \ - К 0%, |
(1.3) |
где «Ко — коэффициент усиления при отсутствии |
обратных свя |
зей, Ко — коэффициент усиления при наличие обратных связей»,
R0e и Roe— резонансное сопротивление контура при отсутствии
8
и при наличии обратных связей, а К 0% — значение /СВ |
при |
|
Im (Кф) = |
0. Норму для G он оставил прежнюю — 0 ,8 -г-0,9, |
не |
добавив |
ничего к её обоснованию. |
|
Анализируя отдельно вопрос о влиянии обратных связей че рез общий источник питания, А. А. Колосов выводит выражениедля постоянной времени т развязывающих фильтров в анодных цепях резонансного усилителя, имеющего п = 2 т + \ ступеней.
|
(1.4> |
где /Ci — резонансный коэффициент усиления одной ступени, |
|
та — коэффициент включения |
контура в анодную цепь, |
R B— сопротивление общего источника питания. |
|
Это выражение интересно, но |
не имеет большого 'прин |
ципиального значения, так как увеличение т не связано с умень шением коэффициента усиления, и с этой точки зрения приближе ние G к единице ограничивается только габаритами и стоимостью фильтровых конденсаторов.
Влияние обратных связей через ёмкость анод—сетка А. А. Ко лосов исследует для случая настройки всех контуров усилителя на одну и ту же частоту. При этом он выводит формулу для. устойчивого резонансного коэффициента усиления одной ступени л-ступенного резонансного усилителя в виде
(1.5>
Как видим, при п —1 выражения (!.2) и (1.5) совпадают, если считать, что совпадают Av по В. И. Сифорову и G по А. А, Коло сову. Судя по RoelR'oe в (1.3), такое совпадение действительно»
существует, однако А. А. Колосов ничего об этом не говорит. При и —>со выражения (1.2) и (1.5) расходятся, причина чего' A. А. Колосовым также не раскрыта. Не исследованным остался и вопрос о том, является ли одинаковая настройка всех контуров «самой невыгодной комбинацией расстроек», о которой говорит B, - И. Сифоров, или нет.
А. А. Куликовский [Л5] сделал попытку сопоставить оба мето да, однако ограничился лишь общими соображениями о строго сти суждения об устойчивости схемы по вещественной составляю-