книги из ГПНТБ / Арсенид галлия. Получение, свойства и применение

СОДЕРЖАНИЕ

1.2.0. Специфика выращивания кристаллов арсенпда гал­ лия (25). 1.2.1. Горизонтальная направленная кристал­ лизация (27). 1.2.2. Горизонтальная зонная плавка (29).

2.2. Вывод зонной структуры арсенпда галлпя из известной

2.3. Применение кр-метода для исследования спектра элект­

4.1.1.Эффект Холла и электропроводность (160). 4.1.2. Подвижность (162). 4.1.3. Магнетосопротивленне (163).

4.2.Кристаллы с мелкими примесными уровнями . . . . 165

4.2.1.Эффект Холла и электропроводность (1С6). 4.2.2. Подвижность (169);. 4.2.3. Эпитакснальные кристаллы (173). 4.2.4. Примеспая зона (175). 4.2.5. Отрицательное магнетосопротивленне (181). 4.2.6. Другие явления (186).

4.3.0. Введение (188). 4.3.1. Вырождение электронного га­ за в арсениде галлия (189).. 4.3.2. Эффект Холла. Энерге­ тический спектр (193). 4.3.3.' Электропроводность и подвнжпость. Особенности рассеяния носителей тока (196).

4.4. Тепловые свойства 200 4.4.1. Термо-э.д.с. (200). 4.4.2. Термомагпнтпые эффекты (205). 4.4.3. Теплопроводность (209).

4.5.Зависимость электрических свойств от давления . . . 213

4.6.Влияние сильного электрического поля на эффекты пе­

4.8.1.Рассеяние на тепловых колебаниях решетки (246),.

4.8.2.Рассеяние па дефектах (252).

7.1.0. Выпрямляющий контакт (316). 7.1.1. Образование потенциального барьера в контакте металл — полупро­ водник (317). 7.1.2. Характеристика ток — напряжение (318). 7.1.3. Характеристика емкость — напряжение (323).

7.1.4.Фотоэлектрические свойства (327).

7.2.Методика создания контактов арсенид галлпя — металл 328

7.2.1.Методика создания выпрямляющих контактов (328). 7.2.2. Методика создания омических контактов (330). 7.2.3. Контроль свойств омических контактов (330).

7.3.Свойства выпрямляющего контакта арсенид галлпя —

7.3.1.Высота барьера (332). 7.3.2. Характеристика ток — папряженне (333). 7.3.3. Характеристика емкость —на­ пряжение (334). 7.3.4. Фотоэлектрические свойства (334).

7.4.Омический контакт арсенпд галлия — металл . . . . 335

7.4.1.Требования к омическому контакту (335). 7.4.2. Свойства металлов, используемых для контактов (337).

7.4.3.Омические контакты для арсеиида галлпя (340).

7.4.4.Тонкие контакты (345),. 7.4.5. Приведенное сопроти­

параметров (350). 8.1.2. Диффузия прпмесей в арсеннде галлия (353). 8.1.3. Диффузионные р—п-переходы (361). 8.1.4. Эпитакспальные р—п-переходы (366). 8.1.5. Сплав­ ные р—и-переходы (370).

в среднелегировапиом арсеппде галлия (381). 8.2.3. Тун­ нельные р—«-переходы (390).

•8.3.1. Основные закономерности вентильного фотоэффек­ та в р—«-переходах (401). 8.3.2. Теоретическое выраже­

ние для чувствительности р — «-перехода к монохрома­

Спектры фоточувствптельпости п квантовый выход внут­ реннего фотоэффекта при «co>2eg (410). 8.3.5. Особенности фотоэффекта вблизи края основной полосы поглощения

ПРЕДИСЛОВИЕ

Арсеннд галлия — один из интереснейших полупро­ водниковых материалов как с научной, так и с прак­ тической точек зрепия. Вот уже более пятнадцати дет он интенсивно исследуется во многих ведущих лабора­ ториях мира. В последние годы интерес к этому мате­ риалу возрос особенно резко, о чем свидетельствуют конференции, проводящиеся в Советском Союзе (Томск 1965 н 1968 гг.) и за рубежом (Ридппг, Англия 1966 г.; Даллас, США 1968 г. и Аахен, ФРГ 1970 г.), посвящен­ ные специально арсеинду галлия.

К настоящему времени накопилось обширное коли­ чество экспериментального материала, относящегося к по­ лучению и исследованию свойств кристаллов арсепида галлия п приборов па его основе. Эти данные разбросаны по многочисленным изданиям, часть нз которых уже превратилась в библиографическую редкость.

Наступила, иа наш взгляд, пора обобщить весь имею­ щийся в литературе материал об арсениде галлия. За ру­ бежом некоторыми авторами написаны обзорные статьи об арсениде галлия. На русском языке таких работ еще нет. Правда, некоторое обобщение данных об арсениде галлия содержится в переведенных на русский язык мо­ нографиях п в сборпнках переводных статей, но эти ра­ боты посвящены всей группе соединений тина А Ш В У , н арсенид галлия, естественно, освещен в них довольно ограниченно.

Предлагаемая вниманию читателей монография наппсаиа коллективом авторов, каждый из которых внес свой вклад в совершенствование технологии получения кристаллов арсенида галлия, изучение свойств и практи­ ческого использования их. В пей на основе обобщения литературных данных и реззг льтатов, полученных самими

авторами, даио обстоятельное описание зопной структуры, электрических, тепловых, оптических, фотоэлектрических- и люминесцентных свойств кристаллов арсеинда галлия. Рассмотрены технология получения, очистки и легиро­ вания кристаллов, а также методы изготовления элек­ тронно-дырочных переходов и их электрические, электролюмннеецентные и фотоэлектрические свойства.

Мы надеемся, что книга окажется полезной не только для научных работников, исследующих свойства арсенида галлия, но и для широкого круга работников науки и промышленности, занимающихся разработкой, техно­ логией изготовления и применением полупроводниковых приборов, а также аспирантов и студентов старших кур­ сов, изучающих физику и технологию полупроводников и полупроводниковых приборов.

Так как настоящая монография представляет собой первый опыт обобщения сведений об арсеииде галлия н объем ее ограничен, то, естественно, она ие может претен­ довать на полноту охвата материала. В частности, не рас­ смотрены твердые растворы и гетеропереходы па основе арсепида галлия, магнитные, пьезоэлектрические свой­ ства, свойства поверхности.

Мы будем благодарны за любые замечания и конкрет­

г. Ленинград, К-21, ул. Политехническая 2G, ФТИ АН

СССР, Ф. П. Кесаманлы.

Редакторы