Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

386

.pdf
Скачиваний:
7
Добавлен:
07.06.2023
Размер:
282.79 Кб
Скачать

Рис. 6. Зависимость скорости травления YBaCuO пленки от температуры при давлении пара, близком к насыщенному

Травление тонкой YBa2Cu3O7-x пленки происходит по реакции: (HCl·kH2O)m + YBa2Cu3O6,5+x Þ

YCl3 + 2BaCl2 + 3CuCl2 + 78H2O + 6,5H2O + 2x O2,

где k = 6, m = 13.

Продукты травления легко растворяются полярными раство- рителями в процессе снятия фоторезиста.

Дефекты при проведении процесса фотолитографии

Основными дефектами при проведении процессов фотолито- графии являются:

а) наличие проколов в пленке фоторезиста; б) неровности пленки фоторезиста по всей поверхности ВТСП

пленки; в) наличие клина в окисной пленке;

г) неровность края изображения пленки фоторезиста; д) изменение заданных геометрических размеров; е) наличие ореола по краю изображения.

Наличие проколов в пленке фоторезиста наиболее распо-

страненный вид фотолитографических дефектов. Возникают эти де- фекты в результате использования некачественных или износивших- ся фотошаблонов, а также от наличия в фоторезисте пылинок, суб- полимерных частиц и других посторонних включений. Проколы в

пленке фоторезиста могут также возникнуть в результате перегрева этой пленки при экспонировании. Количество проколов в значитель-

ной степени зависит от качества смачивания поверхности рабочего образца фоторезистом. Плохое смачивание приводит к появлению большого числа проколов.

Неровности пленки фоторезиста по всей поверхности рабоче-

го образца определяются как способом нанесения фоторезистивной пленки, так и предварительной обработкой поверхности рабочего образца. Основными параметрами предварительной обработки, влияющими на неровность пленки фоторезиста, является чистота обработки поверхности (класс чистоты), плоскостность и плоскопа- раллельность. Однако даже при получении высоких показателей по предварительной обработке поверхности рабочего образца слой фо- торезиста может быть неравномерным. Это может быть обусловлено чрезмерной густотой фоторезиста, низкой скоростью вращения цен- трифуги, отклонением плоскости столика центрифуги от горизон- тальной плоскости. Неровности в пленке фоторезиста приводят к трудностям контактирования с фотошаблоном, выбора времени экс-

21

22

позиции и, как следствие этого, к дефектам в последующих техно- логических операциях.

Наличие клина в окисной пленке один из часто встречающих-

ся в фотолитографическом процессе дефектов. Этот вид дефекта оказывает существенное влияние на размер создаваемой диффузи- онной области. Без клина в окисной пленке распространение диффу-

занта вбок строго определяется режимом диффузии и однозначно связано с глубиной диффузии. При наличии клина дополнительно увеличиваются размеры диффузионной области за счет проникнове- ния диффундирующей примеси через тонкую область клина в ис- ходный материал рабочего образца. Это происходит потому, что

толщина окисла в области клина является недостаточной для защиты рабочего образца от диффундирующей примеси. Поэтому, чем больше клин, тем шире его тонкая область и, следовательно, больше дополнительное неконтролируемое увеличение диффузионной об- ласти. Причинами, вызывающими появление клина в фотолитогра- фическом процессе, могут быть неправильно подобранная экспози- ция фоторезиста, наличие плохого контакта между пластиной и фо- тошаблоном при экспонировании, недостаточная оптическая плот- ность непрозрачных участков фотошаблона, неперпендикулярное падение света на фотошаблон, а также некачественное проявление фоторезиста после экспонирования.

Неровность края изображения пленки фоторезиста появляет-

ся в тех случаях, когда плохо подобраны режимы экспозиции и про- явления. Мельчайшие неровности края в виде периодических высту- пов и впадин могут возникнуть из-за наличия в фоторезистах субпо- лимерных частиц размером 0,3 – 0,5 мкм. Появление таких частиц

связано с неполной растворимостью сухого резиста в используемых составах. Более крупные и нерегулярные выступы и впадины обычно появляются при использовании некачественных фотошаблонов. Наиболее часто этот вид дефекта возникает при употреблении ме- таллизированных шаблонов, имеющих зубчатые края элементов изображения. Для предупреждения этого вида дефекта необходимо

тщательно фильтровать фоторезист и проверять качество используе- мого фотошаблона.

Изменение заданных геометрических размеров изображения имеет место при плохом контакте между рабочим образцом и фото- шаблоном. Плохой контакт между этими элементами приводит к по- явлению воздушного зазора, который при экспонировании изменяет характер и размер переносимого с фотошаблона изображения. Чем больше зазор между контактируемыми элементами, тем сильнее ис- кажается первоначальный рисунок изображения. Кроме того, на из-

менение геометрических размеров изображения могут оказывать существенное влияние неправильно подобранные режимы экспони- рования и проявления.

Наличие ореола по краю изображения связано с рассеянием света, проходящего через фотошаблон при экспонировании. Рассея- ние света приводит к образованию по краю изображения «нерезкой зоны», которая после проявления дает ореол. Этот вид дефекта при- водит к ухудшению геометрических параметров изображения и по- следующих технологических операций. Все перечисленные дефекты оказывают большое влияние на последующие технологические опе- рации изготовления приборов, ухудшая их электрические парамет- ры.

23

24

 

Ход проведения работы

 

Контрольные вопросы

1.

Очистить подложку с предварительно напыленной ВТСП

1.

Сущность и назначение процесса фотолитографии.

 

пленкой от загрязнений.

2.

Основные типы фотолитографических устройств. Их достоинства

2.

Поместить подложку в центрифугу и жестко зафиксировать ее

 

и недостатки.

 

положение.

3.

Фоторезист. Виды фоторезистов. Основные критерии пригодно-

3.

С помощью пипетки нанести фоторезист на поверхность под-

 

сти.

 

ложки.

4.

Фотошаблон. Требования, предъявляемые к фотошаблонам.

4.

Включить центрифугу, выставив нужную частоту оборотов и

5.

В чем заключается метод сухого травления?

 

по прошествии 30 сек. выключить.

6.

Каким образом можно тонко регулировать скорость травления?

5.

После нанесения пленки фоторезиста последняя подвергается

7.

Какие дефекты характерны при проведении фотолитографиче-

 

сушке в шкафу при 45–50 °С от 1–1,5 ч.

 

ского процесса?

6.Совместить подложку с фотошаблоном (маской) под микро-

скопом.

Литература

7.Экспонировать от 20 до 40 сек.

8.

Проявить изображение, промыв образец в растворе KOH

1.

Березин Г.Н., Никитин А.В., Сурис Р.А. Оптические основы кон-

 

(от 0,5 до 1 %).

 

тактной фотолитографии. М.: Радио и связь, 1982. 104 с.

9.

Тщательно промыть в дистиллированной воде, визуально на-

2.

Броудай И., Мерей Дж. Физические основы микротехнологии /

 

блюдая процесс проявления рисунка.

 

Под ред. А.В. Шальнова. М.: Мир, 1985. 496 с.

10.

Произвести дубление полученного защитного рельефа в тече-

3.

Муравьев А.Б., Скутин А.А., Югай К.К., Югай К.Н., Сычев С.А.,

 

ние 1,5 часов в сушильной печи при 50 °С.

 

Серопян Г.М. Травление высокотемпературных сверхпроводящих

11.

Выполнить операцию химического травления в парах раствора

 

пленок YBCO // Вестник Омск. ун-та. 1997. 2. С. 26–28.

 

соляной кислоты, наблюдая процесс травления визуально.

 

 

12.Удалить защитный рельеф с поверхности ВТСП пленки, про- мыв в чистом этиловом спирте при комнатной температуре.

13.Исследовать полученную сквид-геометрию с помощью микро- скопа.

14.Проанализировать, на каком этапе фотолитографического про- цесса были допущены ошибки и неточности.

15.Повторить процесс, внеся необходимые коррективы.

25

26

Учебно-практическое издание

Составители С.А. Сычев, Г.М. Серопян, И.С. Позыгун, В.В. Семочкин

ФОТОЛИТОГРАФИЧЕСКИЙ МЕТОД СОЗДАНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ВТСП СТРУКТУР

Лабораторный практикум (для студентов физического факультета)

специальность 010400 «Физика»

Технический редактор М.В. Быкова

Редактор Л.Ф. Платоненко

Подписано в печать 21.05.04. Формат бумаги 60х84 1/16. Печ. л. 1,7. Уч.-изд. л. 1,5. Тираж 50 экз. Заказ 314.

Издательско-полиграфический отдел ОмГУ 644077, г. Омск-77, пр. Мира, 55а, госуниверситет

27

28

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]